WWW.KNIGA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, пособия, учебники, издания, публикации

 

Вестник МИТХТ, 2010, т. 5, № 1

ХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ

УДК 546.27:546.66

ПРИМЕНЕНИЕ ДИФРАКЦИОННЫХ МЕТОДОВ ДЛЯ

ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОСТАВА И СТРУКТУРНЫХ ПАРАМЕТРОВ

СОЕДИНЕНИЙ СЕМЕЙСТВА ЛАНГАСИТА

Е.А. Тюнина, научный сотрудник, И.А. Каурова, аспирант, Г.М. Кузьмичева,

профессор, *В.Б. Рыбаков, старший научный сотрудник, **A. Куссон, сотрудник лаборатории,***O. Захарко, сотрудник лаборатории кафедра Физики и химии твердого тела, МИТХТ им. М.В. Ломоносова *Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, **Laboratoire Leon Brillouin, Gif-sur-Yvette Cedex, France ***Laboratory for Neutron Scattering, ETZ Zurich & Paul Scherrer Institute, Switzerland e-mail: tyunina_elena@mail.ru ыполнен анализ известных структурных данных кристаллов семейства лангасита, В свидетельствующий о разных параметрах ячейки для фаз с одинаковыми составами шихты.

Показано, что параметры ячейки зависят от условий дифракционного эксперимента и от состава полученных кристаллов. Приведены оптимальные режимы рентгеновской съемки, позволяющие определять корректные значения параметров ячейки с минимальными стандартными отклонениями измельченных в порошок образцов. Сопоставлены результаты определения состава кристаллов с использованием рентгеновского и нейтронного монокристалльного, а также рентгеновского и синхротронного порошкового экспериментов. Выявлены границы применимости каждого из дифракционных методов для определения составов катионных и анионных позиций. Обсуждены структурные и ростовые причины образования разной дефектности кристаллов лангасита, ланганита и лангатата.

This paper reports results producing anode-supported YSZ electrolyte thin films by magnetron sputtering method for solid oxide fuel cell applications. Pulsed electron-beam treatment was used for preprocessing porous anode substrates for the purpose reducing their surface porosity. Microstructures of the anode substrates before and after electron-beam modification as well as samples with YSZ electrolyte films have been investigated.

Current – voltage and powered characteristics of experimental fuel cell was measured.

Ключевые слова: семейство лангасита, кристаллическая структура, состав, структурные параметры, дифракционные методы, точечные дефекты Key words: langasite family, crystal structure, composition, structural parameters, diffraction methods, point defects.

тата (LGT, La3Ga5.5Ta0.5O14, La3(Ga0.5Ta0.5)Ga5O14,

ВВЕДЕНИЕ

Получение материалов с заданными свойст- La3(Ga0.5Ta0.5)(1)Ga3(2)Ga(3)O14) и ланганита вами – одна из важнейших задач современной (LGN, La3Ga5.5Nb0.5O14, La3(Ga0.5Nb0.5)Ga5O14, La3(Ga0.5Nb0.5)(1)Ga3(2)Ga(3)O14) пр. гр. P химической науки, для решения которой необходимо установить количественные связи (z=1) три позиции для атомов галлия (Ga(1) – между составом и/или структурными харак- октаэдрическая, Ga(2) – тетраэдрическая и теристиками (параметры элементарной ячейки, Ga(3) – тригонально-пирамидальная) и одна, домежатомные расстояния и пр.) соединений и их декаэдрическая, для атомов La. В структуре LGS [1] атомы Ga и Si совместно занимают трисвойствами. Это в полной мере относится к соединениям семейства лангасита – перспективным гонально-пирамидальные позиции Ga(3), а в структурах LGT [2] и LGN [3] в октаэдрических материалам пьезо-, опто- и акустоэлектроники.

В структуре лангасита (LGS, La3Ga5SiO14, позициях Ga(1) галлий и тантал (ниобий) La3Ga4(GaSi)O14, La3Ga(1)Ga3(2)(GaSi)(3)O14), ланга- находятся вместе (рис. 1).

Рис. 1. Сочетание координационных полиэдров в структурах семейства лангасита (проекция XZ).

«Вестник МИТХТ», 2010, т. 5, № его подготовку к съемке, режимы съемки, обраНаиболее простым структурным параметботку экспериментальных данных). Нам предсром, позволяющим судить о составе криставляется крайне важным учитывать указанные таллов, является параметр элементарной ячейусловия при сопоставлении и анализе экспеки. Однако параметры элементарной ячейки, риментальных данных, полученных разными определенные разными авторами для крисавторами, и при установлении фундаментальталлов лангасита [1, 4–18], лангатата [1, 2, 7–10, ных связей состав–структурные параметры– 19–22] и ланганита [1, 3, 7–9, 20, 21, 23–25] с свойства. Исходя из вышесказанного, возникает одним и тем же составом расплава, резко отлинеобходимость определения оптимальных услочаются и своими значениями, и стандартными вий проведения дифракционного эксперимента отклонениями (рис. 2). Это может быть связано для корректного определения параметров элелибо с условиями эксперимента, включающими ментарной ячейки и состава каждой позиции вид образца (монокристалл, поликристалструктуры (с минимальными значениями стандартлические объекты – поликристалл или измельных отклонений) соединений семейства лангасита.

ченный в порошок монокристалл);

На первый взгляд, такая постановка работы способ приготовления образца (для полипредставляется тривиальной, так как, во-перкристаллических объектов: размер кюветы, вых, широко известны условия проведения, размер частиц и др.; для монокристалла: форма например, рентгеновского порошкового экспеи размер образца и др.);

римента для точного определения параметров режим съемки (с внутренним или без элементарной ячейки соединений (применение внутреннего стандарта, вид монохроматизации, внутреннего стандарта, вращение образца, общели, непрерывная или пошаговая съемка и их ласть больших углов или экстраполяция к параметры для поликристаллических объектов, большим углам, выбор отражений, чувствительинтервал углов и др.);

ных к тому или иному параметру, использовапрограммы, применяемые для обработки ние K1 и K2 – отражений, оптимальный размер (расчета) экспериментальных данных либо с вачастиц и т. д.) (см. напр. [28, 29]). Однако при риацией состава полученных кристаллов, котополучении коммерческих кристаллов большого рые в общем случае отличаются от состава расплава.

размера, к которым относятся кристаллы сеПараметром, характеризующим состав соемейства лангасита, необходимы экспрессдинений с учетом состава каждой кристаллосъемки, которые предполагают конкретные хаграфической позиции в структуре, является рактеристики условий эксперимента (например, заселенность позиций, занимаемых теми или определенный интервал углов для точных иными атомами, от которой зависит интензначений параметров ячейки с малыми сивность дифракционных отражений. Однако на стандартными отклонениями, а не указанная в интенсивность отражений измельченных в литературе рекомендуемая область углов порошок образцов могут также оказывать влияние и некоторые из перечисленных выше условий эксперимента. Это будет приводить к их искажениям, а отсюда, и к неправильно определенным составам образцов. В работах [2, 13–19, 21–23, 26] представлены результаты рентгеноструктурного и нейтроноструктурного изучения кристаллов LGS, LGT и LGN, которые свидетельствуют о том, что все они дефектны и их составы могут быть описаны в общем виде как или нельзя получить без использования (La3-x x)(Ga1-y y)(1)(Ga3-z z)(2)(Ga2-uSiu)(3)(O14-v v) (La3-x x)(Ga1-yTay)(1)(Ga3-z z)(2)(Ga2-u u)(3)O14-v v) (y=1, y1, y1) и La3(Ga1-xNbx)(1)Ga3(2)Ga2(3)O параметров элементарной ячейки монокристалx=1, x1).

Естественно, что найденные точечлических объектов известны: метод псевдоные дефекты и их концентрация существенным элементарной ячейки кристаллов (рис. 2). дящегося пучка, метод Бонда и др. В частности, литературных данных свидетельствует об от- рентгеновскими дифракционными максимумасутствии работ, в которых было бы показано, ми, соответствующими двум компланарным как определенные авторами параметры элемен- рефлексам, который позволил определить параметр ячейки LGT с точностью 10-5 [30], но укатарной ячейки и составы кристаллов семейства лангасита связаны с условиями дифракционного занные методы нельзя отнести к широко распэксперимента (сюда мы включаем вид образца и ространенным и доступным экспресс-методам.

Вестник МИТХТ, 2010, т. 5, № (поликристаллических образцов) для определения состава и изучения структурных параметров объемных объектов. Наиболее доступным является последний метод – рентгенографический полнопрофильный анализ измельченных в порошок кристаллов, поэтому необходимо установить границы его применимости для Рис. 2. Параметры элементарной ячейки (а, ) для LGS (а), LGT (б) и LGN (в), определенные по данным рентгеноструктурного (РСА) и монокристаллов и по данным полнопрофильного тотного распределения доплеровского смещерентгенографического анализа измельченных в ния лазерного луча, вызванного броуновским порошок образцов (полнопрофильный метод). движением частиц с точностью 0.01 мкм.

ность определения состава монокристаллов различных установках с различными режимами рентгеноструктурным анализом, а тем более (съемку образца IV выполняли c испольнейтроноструктурным для дефектных оксидов. зованием синхротронного излучения – СИ в Однако свойства кристаллов в большинстве Сибирском Центре на станции «Аномальное случаев измеряются на образцах сравнительно Рассеяние», смонтированной на канале № большого размера, поэтому целесообразным накопителя электронов ВЭПП3. (табл. 1, 2)).

Первичную обработку дифракционных порош- некоторых из них выявило ряд специфических ковых данных проводили по программам особенностей: расширение, асимметрия или PROFILE FITTING V 4.0 [31] для LGS, LGT и расщепление некоторых отражений при малых LGN и FullProf – 2007 [32, 33] для LGS. углах (2 1236), вызванное образованием двух Качественный фазовый анализ образцов изоструктурных фаз (рис. 3, б), плохое качество выполняли с использованием автоматизиро- дифракционной картины при больших углах (с ванной базы данных ICDD PDF2. Присутствие 2 96), перераспределение интенсивностей примесных фаз для LGN не обнаружено в отражений (в частности, отражений 11.1 и 02.1) пределах чувствительности рентгенофазового (рис.3, в, г), присутствие примесных фаз (SiO2, анализа (~2 вес.%), а для одного из образцов Ga2O3, LaGaO3, La2O3, La2SiO5), которые могут LGT обнаружен Ga2O3 (рис. 3, а). Дифрак- находиться между блоками в исследованных тометрическое (рентгеновское и синхротронное блочных монокристаллах, более выраженное излучение) измельченных образцов LGS для при использовании СИ (рис. 3, д, е).

Рис. 3. Фрагменты дифрактограмм измельченных в порошок монокристаллов LGT (а) и LGS (б, в, г, д, е) с использованием рентгеновского и синхротроннного излучений (е).

Вестник МИТХТ, 2010, т. 5, № Таблица 1. Условия съемки и параметры элементарной ячейки кристаллов LGS.

графитовый плоский монохроматор;

пошаговый режим: шаг 0.02, = 15 c (съемка на отражение) CuK, без вращения образца, графитовый изогнутый монохроматор, непрерывный режим: шаг 0.02, X'Pert PRO MPD (съемка на отражение) 2-10- CuK, вращение образца; Si-плоский монохроматор, непрерывный режим: шаг 0.017, программа POWDER Ge - изогнутый монохроматор, пошаговый режим: шаг 0.01°, = 10 с;

Si – кристалл-монохроматор, пошаговый режим: шаг 0.01°, = 10 с;

графитовый монохроматор, графитовый монохроматор, Таблица 2. Условия съемки и параметры элементарной ячейки кристаллов LGT и LGN.

CuK, вращение образца, графитовый монохроматор, Уточнение состава и структуры поликристал- метре расположенного на канале 5С2 горячего лических объектов полнопрофильным методом источника Orphee (LLB CEA-SACLAY, Франпо программам DBWS – 9411 [35] (за иск- ция) (табл. 3, 4). При расчете кристаллических лючением образца LGS-III, который был снят на структур вводили эмпирическую поправку на дифрактометре STOE STADI P) проводили поглощение по модели Захариазена [38].

одинаково для всех образцов. После уточнения Кристаллическую структуру соединений коэффициента приведения к абсолютной шкале, уточняли полноматричным МНК в анизотфона, нуля счетчика, смещения образца, сле- ропном приближении для всех атомов с испольдовал этап уточнения профильных и структур- зованием комплекса программ SHELXL97 [39] ных параметров. Структурные параметры при учете атомных кривых рассеяния для уточняли в несколько этапов: сначала только нейтральных атомов (табл. 3, 4). Структуру координаты атомов, затем тепловые параметры в изотропном и анизотропном приближениях Захариазена (программа SHELXL97), так и по при фиксированных позиционных, далее модели модель Беккера-Коппенса (программа заселенности каждой позиции при постоянных JANA2000 [40]), причем лучший результат дает позиционных и тепловых параметрах, затем модель учета экстинкции по Беккеру-Коппенсу, заселенность отдельной позиции совместно с которая учитывает размеры блоков мозаики его тепловым параметром при неизменных всех кристаллов [17].

остальных позициях. При каждом варианте Критериями правильности уточнения структур и определения состава служили R-факторы, уточнения проводили анализ полученных результатов и коррекцию этапов уточнения. корректные значения тепловых параметров и Рентгеновскую съемку монокристаллов межатомных расстояний и результаты расчета размером ~0.20.20.2 мм3 (микрочасти) вы- локального баланса валентностей по методу полняли на четырехкружном дифрактометре валентных связей (МВС): Sij=exp[(Rij-dij)/0.37] CAD-4 [36] при комнатной температуре (табл. (1) [41] (Rij – межатомное расстояние, при коПервичную обработку дифракционных тором связь оценивается в одну единицу валентного усилия [42], dij – экспериментальные знаданных проводили по комплексу программ WinGX [37]. При расчете кристаллических структур вводили эмпирическую поправку на (2) [43] (dij – экспериментальные значения межатомных расстояний, R0 – межатомное расстояпоглощение по модели Захариазена [38].

Фриделевы пары рефлексов не усредняли. ние, при котором связь оценивается в одну Нейтронографическое изучение монокрис- единицу валентного усилия, N – табличная TriCS (-сканирование) (Швейцария) и на Измельченные в порошок монокристаллы (CuK, = 1.5424 ) ДРОН-3М DBWS La3GaGa3(Ga1.01Si0.99(1))O14 La3Ga(Ga2.98(1) 0.02)(Ga0.98(1)Si1.02)(O13.98 0.02) Измельченные в порошок монокристаллы (CuK, = 1.5424 ) HZG- Измельченные в порошок монокристаллы (CuK1, = 1.5406 ) STOE STADI P SHELXL – 97 La3GaGa3(Ga1.04Si0.96(1))(O13.98 0.02) по формуле (1) 2.92(1) 2.75(0) 2.82(0) 4.38(2) по формуле (2) 2.83(1) 2.36(0) 2.60(0) 4.52(3) по полнопрофильному + 3.00 + 3.00 + 3.00 +3.48(0) Микропробы (~0.2 0.2 0.2 мм) (MoK, = 0.7107 ) Дифрактометр CAD- SHELXL-97 La3GaGa3(Ga1.04Si0.96(1))(O13.98 0.02) La3GaGa3(Ga1.22Si0.78(3))(O13.89(4) 0.11) по рентгеноструктурному Объемный образец (~4.54.75 мм) (излучение нейтронов, =1.18 ) Дифрактометр TriCS (Швейцария) Количественный рентгеноспектральный микроанализ (QUANTA) Общий состав/предло- La3.01(5)Ga5.20(3)Si0.80(3)(O13.4(1) 0.6) / женное распределение La3.01(5)Ga4(Ga1.20Si0.80(3))(O13.4(1) 0.6) катионов по позициям Дифрактометр и ДРОН-3М:

DBWS La3(Ga0.508(2) Ta0.492)Ga5(O13.99 0.01) по формуле (1) по формуле (2) 2.86(3) 3.77(8) 2.85(4) 3.04(2) по полнопрофильному 2.77(3) 3.57(9) 2.62(4) 2.83(3) SHELXL-97 La3(Ga0.533(1)Ta0.467)Ga5(O13.97(1) 0.03) La3(Ga0.461Ta0.539(2)) Ga5 (O13.93(1) 0.07) по формуле (1) Объемный образец (~443 мм) (излучение нейтронов, =0.828 ) Дифрактометр, расположенный на канале 5С2 горячего источника Orphee (Франция) SHELXL-97 La3(Ga0.531Ta0.469 (2))Ga5O13.969(8) 0.031) (La2.905(1) 0.095)(Ga0.486(1)Ta0.514)Ga5(O13.872(6) 0. по формуле (1) Количественный рентгеноспектральный микроанализ (QUANTA) Общий состав / пред- La2.96(5)Ga5.54(4)Ta0.46(4)(O13.8(1) 0.3) / La2.98(4)Ga5.62(3)Ta0.38(3)(O13.7(1) 0.3) / ложенное распре-деление La2.96(5)(Ga0. 54(4)Ta0.46(4))Ga5(O13.8(1) 0.3) La2.98(4)(Ga0. 62(3) Ta0.38(3))Ga5(O13.7(1) 0.3) катионов по позициям тиона или формальный заряд «средне- правильно определенных кристаллических струквзвешенного катиона», ri – экспериментальные Вестник МИТХТ, 2010, т. 5, № i a, где i – валентное усилие, а – формальный заряд аниона), которая должна быть 5% [44] (табл. 3, 4). Сравнение величин формальных зарядов катионов. рассчитанных по МВС и определенных по данным структурного анализа, свидетельствует о том, что расчет по формуле (1) лучше согласуется с экспериментальными данными (табл. 3, 4).

Количественный рентгеноспектральный анализ образцов выполнялина приборе Quanta (фирма Philips). Использовали SiLi детектор с ультратонким окном, что позволяет проводить количественный анализ элементов с атомным номером N4. Калибровку прибора (6 иттераций) осуществляли по двум линиям Ксерии Al и Cu эталонного образца при постоянном контроле за разрешением прибора, определяемым по ширине линии Mn на половине высоты пика. Результаты количественного анализа в виде отношения интенсивностей для выбранной линии характеристического спектра элемента и этой же линии из библиотеки программного обеспечения корректировали на поглощение эмиссионного рентгеновского излучения, атомный номер и флуоресценцию (табл. 3). Ошибка

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Результаты определения параметров элементарной ячейки LGS и LGT как на измельченных в порошок кристаллов, так и на микрочастях этих кристаллов (табл. 1, 2), и их анализ подтверждают зависимость значений параметров от условий дифракционного эксперимента.

Наибольшее отклонение параметров ячейки найдены для LGS. Кроме того, для LGS наблюдаются максимальные отличия между параметрами ячейки объемных образцов и их микрочастей, что свидетельствует об их бльшей неоднородности по составу по сравнению с LGT. Самое малое стандартное отклонение параРис. 4. Параметры элементарной ячейки (а, ) метров ячейки получено для кристаллов LGS, снятого на СИ (табл. 1). На рис. 4 представлены LGT (б), LGN (в) в разных интервалах углов уточненные параметры элементарной ячейки и их (программа POWDER, пошаговый режим: шаг вала углов рентгеновской съемки. Отсюда следует, что минимальные стандартные отклонения (a 0.0002, c 0.0002, ) получены при II-интервал углов 100-N: N=115 (7), 130(8), 150 (9);

съемке вращающегося образца в интервале углов III- интервал углов 110-N: N=115 (10), 130(11), 2 10150°, 100115° или 100150° в зави- 150 (12);

симости от качества дифракционной картины крисIV- интервал углов 115-N: N=130(13), 150 (14).

таллов. Отметим, что одни и те же значения параИз табл. 3 видно, что полнопрофильным метров ячейки найдены и по программе Dicvol (при отсутствии сдвига нуля прибора), и с примесоставы додекаэдрических позиций и, в ряде нением внутреннего стандарта для учета сдвига.

В сопоставимых условиях эксперимента дефектные). Наблюдается некоторое отличие пошаговом режиме съемки (шаг 0.01 в общем составов позиций (GaSi)(3), определенных раз- случае, а в частности, для дифрактометров ными методами, хотя сохраняется следующая ДРОН3М и HZG4 – шаг 0.02, для синхроттенденция: GaSi в кристалле LGS-IV и SiGa в ронного излучения 0.005, экспозиция 15 сек), кристалле LGS-III. По данным нейтронно- интервал углов 10 115, вращение образца с структурного анализа (НСА), в LGS (например, размерами частиц ~10 мкм. Кроме того, нами LGS-IV) дефектны кислородные позиции O(1) и найдены конкретные условия экспресс-съемки O(3), а позиция O(2) лишена вакансий, что для определения параметров ячейки с малой полностью совпадает с результатами ПМ. Одна- величиной стандартных отклонений с использоко уточнение заселенности позиций кислорода в ванием дифрактометров ДРОН3М и HZG4:

структурах измельченных кристаллов (ПМ) пошаговый режим съемки (шаг 0.02, экспозиция приводит к большему содержанию кисло- 15 сек), интервал углов 100 115, вращение родных вакансий, чем это следует из условия образца.

электронейтральности. Результаты уточнения кристаллической струкИз результатов анализа составов кристаллов туры кристаллов семейства лангасита (табл. 3 и LGT (табл. 4) следует, что в случае LGT-III – 4) свидетельствуют о том, что кристаллы LGS GaTa, а для LGT-IV – TaGa в октаэдрической самые дефектные: для них характерны вакансии позиции Ga(1) согласно всем методам исследо- в додекаэдрической – La и тетраэдрической– вания, хотя состав данной позиции количест- Ga(2) позициях структуры и c GaSi, и GaSi в венно отличен. Вакансии в додекаэдрической тригональной-пирамидальных позициях –Ga(3) позиции образца LGT -IV выявлены методом (рис. 1). В то же время для LGT в большинстве ПМ и НСА, а по данным РСА позиция La случаев найдено лишь разное соотношение Ga и является полностью заселенной. Кроме того, дан- Ta (GaTa, GaTa) в октаэдрических позициях ные кристаллы не имеют вакансий в тетраэдричес- Ga(1). Не исключено, что это связано с особенкой Ga(2) и тригонально-пирамидальной Ga(3) ностью структуры лангасита. Нахождение в струкпозициях структуры, а по данным НСА и ПМ де- туре лангасита в одной позиции нескольких фектной является лишь кислородная позиция O(3). катионов, разных по химическим и кристаллохимическим свойствам (размер, величина Рис.

5. Зависимости интенсивностей структуры LGS, при этом кристаллоградифракционных рентгеновских отражений фические позиции атомов Ga(3), O(1), O(2) и (11 2 1 и 02 2 1) LGS от среднего размера частиц структуре расположена на оси 2-го порядка и Для измельченных образцов наблюдается перераспределение интенсивности дифракционных рентгеновских отражений которое может сопровождаться или понижением симметрии кристалла до моноклинной (чаще всего 11 2 1 и 02 2 1) за счет текстуры, от (переход от пр. гр. Р321 к пр. гр. Р2), или которой нельзя избавиться ни вращением увеличением в кратное число раз параметра образца, ни добавлением разрыхлителя (крах- ячейки. Действительно, в некоторых случаях мала), а возможно лишь измельчением крис- автоматический выбор с помощью программы талла до нужного размера частиц ~ 10 мкм, что WinGX пространственной группы для крисбыло найдено экспериментально (рис. 5). Не таллов LGS приводит к группе Р3. Так, состав исключено, что несоблюдение данной степени LGS, для которого автоматически выбирается измельчения образцов может оказывать влияние пр. гр. P3, рассчитанный в рамках пр. гр. Р321 и на правильность расчета состава. Р3, может быть записан соответственно Таким образом, согласно результатам дан- La3Ga4(Ga1.02(1)Si0.98)(O13.99[]0.01) и ной работы, корректные результаты по полно- La3Ga4(Ga0.46(1)Si0.54)(Ga0.55Si0.45(1))(O13.99[]0.01).

профильному методу (ПМ) можно получить при Для кристаллов LGT прогнозируемый Вестник МИТХТ, 2010, т. 5, № Кинетический переход порядокбеспорядок заключить, что рассчитанные значения параметможет зависеть не только от специфики струк- ров элементарной ячейки и составов кристаллов туры и свойств компонентов, но и от метода и семейства лангасита (и не только!) из экспеусловий получения образцов, в частности, нап- риментальных данных зависят от условий дифравления роста, скоростей роста, охлаждения и ракционного эксперимента, которые необходиотжига, температуры отжига и закалки и т. д. мо иметь в виду при сопоставлении результатов Образование частично упорядоченной фазы пр. структурных исследований и свойств соединегр. Р321 в области устойчивости разупоря- ний. Необходимо отметить, что наличие в составе доченной фазы пр. гр. Р3 под влиянием кине- соединений нескольких кристалло-химически разтических факторов должно приводить к изме- ных катионов занимающих одни и те же нению физических свойств по объему кристал- кристаллографические позиции структуры (все ла, более выраженному для кристаллов LGS, в част- это имеет место в лангаситах), должно быть ности, пьезоэлектрических, что видно при сопос- указанием на возможность реализации кинетитавлении матриц пьезоэлектрических модулей ческих фазовых переходов типа порядок 1. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой Ca3Ga2Ge4O14 / Б. В. Милль [и др.] // Докл. АН СССР. – 1982. – Т. 264, № 6. – С. 1385–1389.

2. Crystal Growth and Structural Characterization of New piezoelectric Material La3Ta0.5Ga5.5O14 / H.

Takeda [et al.] // Jpn. J. Appl. Phys. – 1997. – Vol. 36. – P. L919–L921.

3. Кристаллическая структура и стимулированное излучение La3Nb0.5Ga5.5O14 – Nd3+ / А. А.

Каминский [и др.] // Неогран. материалы. – 1984. – Т. 20. – С. 2058–2061.

4. Уточнение структуры La3Ga5SiO14, Pb3Ga2Ge4O14 и кристаллохимические закономерности строения и свойств соединений семейства лангасита / Е. Л. Белоконева [и др.] // Журн. неорган. химии. – 2000. – Т. 45, № 11. – С. 1786–1796.

5. Syntesis, growth and some properties of single crystals with the Ca3Ga2Ge4O14 structure / B. V. Mill [et al.] // Proc. IEEE International Frequency Control Symposium. – Besancon, 1999. – P. 829–834.

6. Mill, B. V. Langasite-type materials: from discovery to present state / B. V Mill., Yu. V. Pisarevsky // Proc.

IEEE/EIA International Frequency Control Symposium and Exhibition – Kansas City, 2000. – P. 133–144.

7. Growth of New Langasite Single Crystals for Piezoelectric Applications / T. Fukuda [et al.] // Proc.

IEEE International Symposium on Applications of Ferroelectrics. – NJ., 1998. – P. 315–319.

8. Czochralski growth and characterization of piezoelectric single crystals with langasite structure:

La3Ga5SiO14 (LGS), La3Ga5.5Nb0.5O14 (LGN) and La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT). Part I / J. Bohm [et al.] // J.

Cryst. Growth. – 1999. – Vol. 204. – P. 128–136.

9. Czochralski drowth and characterization of piezoelectric single crystals with langasite structure:

La3Ga5SiO14 (LGS), La3Ga5.5Nb0.5O14 (LGN) and La3Ga5.5Ta0.5O14 (LGT). II. Piezoelectric and elastic properties / J. Bohm [et al.] // J. Cryst. Growth. – 2000. – Vol. 216. – P. 293–298.

10. Schreuer, J. Elastic and Piezoelectric Properties La3Ga5SiO14 and La3Ga5.5Ta0.5O14: An Application of Resonant ultrasound Spectroscopy / J. Schreuer // IEEE Transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control. – 2002. –Vol. 49, № 11. – P. 1474–1479.

11. Schreuer, J. Temperature dependence of elastic, piezoelectric and dielectric properties La3Ga5SiO and La3Ga5.5Ta0.5O14: An application of resonant ultrasound spectroscopy / J. Schreuer, J. Rupp, C. Thybaut // IEEE ultrasonics symposium. – 2002. – Р. 373–376.

12. New method for preparation of polycrystalline langasite for gas sensor: structural studies / K.

Ouzaouit [et al.] // Smart Materiails for Energy, Communications and Security. – 2008. – P. 191–203.

13. Абсолютная структура кристаллов лангасита La3Ga5SiO14 / Б. А. Максимов [и др.] // Кристаллография. – 2005. – Т. 50, № 5. – С. 813–819.

14. Структурные особенности лангасита La3Ga5SiO14 / Г. М. Кузьмичева, В. Б. Рыбаков, Е. Н.

Доморощина, А. Б Дубовский. // Неорган. материалы. – 2002. – Т. 38, № 10. – С. 1234–1241.

15. Связь между условиями выращивания, строением и оптическими свойствами кристаллов лангасита – La3Ga5SiO14 / Е. Н. Доморощина, Г. М. Кузьмичева, В. Б. Рыбаков, А. Б. Дубовский, Е. А.

Тюнина, С. Ю. Степанов. // Перспективные материалы. – 2004. – № 4. – С. 17–30.

16. Влияние состава на упругие свойства лангасита / А. Б. Дубовский, Е. А. Тюнина, Е. Н.

Доморощина, Г. М. Кузьмичева, В. Б. Рыбаков // Неорган. материалы. – 2008. – Т. 44, № 5. – С. 601–607.

17. Нейтронографическое и рентгенографическое изучение кристаллов лангасита / Г. М.

Кузьмичева, О. Захарко, Е. А. Тюнина, В. Б. Рыбаков, Е. Н. Доморощина, А. Б. Дубовский // Кристаллография. – 2008. – Т. 53, № 6. – С. 989–994.

18. Тюнина, Е. А. Лангасит и лангатат: состав, строение, свойства : автореф. дис. канд. хим. наук : 02.00.21 / Тюнина Елена Александровна. – М., 2008. – 24 с.

19. Уточнение структуры кристаллов Sr3TaGa3Si2O14 и La3Ta0.5Ga5.5O14 семейства лангасита / В. В. Юнин [и др.] // Вестник Нижегородского государственного университета им Н.И. лобачевского. – 2004. – № 1. – С. 75–80.

20. Chai, B. H. A new class of ordered langasite structure compounds / B. H. T. Chai, A. N. P Bustamante, M. C.

Chou // Proc. IEEE/EIA International Frequency Control Symposium and Exhibition. – Kansas City, 2000. – Р. 163–168.

21. Рентгенографическое изучение монокристаллов La3Ga5.5Ta0.5O14 и La3Ga5.5Nb0.5O14 со структурой лангасита / Г. М. Кузьмичева, Е. А. Тюнина, Е. Н. Доморощина, В. Б. Рыбаков, А. Б.

Дубовский // Неорган. материалы. – 2005. – Т. 41, № 4. – С. 485–492.

22. Точечные дефекты в кристаллах лангатата / Г. М. Кузьмичева, О. Захарко, Е. А. Тюнина, В. Б. Рыбаков, И. А. Каурова, Е. Н Доморощина, А. Б. Дубовский // Кристаллография. – 2009. – Т. 54, № 2. – С. 303 – 306.

23. Кристаллическая структура и оптическая активность монокристаллов La3Nb0.5Ga5.5O14 и Sr3Ga2Ge4O семейства лангасита / В. Н. Молчанов [и др.] // Письма в ЖЭТФ. – 2001. – Т. 74, вып. 4. – С. 244–247.

24. Кристаллическая структура La3Nb0.5Ga5.5O14 при 20 К / Т. С. Черная [и др.] // Кристаллография. – 2006. – Т. 51, № 1. – С. 30–35.

25. Growth and Characterization of La3Nb0.5Ga5.5O14 single crystals / H. Takeda [et al.] // J. Cryst.

Growth. – 1996. – Vol. 169. – P. 503–508.

26. A family of langasite: growth and structure / G. M. Kuz’micheva, E. N. Domoroshina, V. B.

Rybakov, A. B. Dubovsky, E. A. Tyunina // J. Cryst. Growth. – 2005. – Vol. 275. – P. e715–e719.

27. Czochralski growth of RE3Ga5SiO14 (RE = La, Pr, Nd) single crystals for the analysis of the influence of rare earth substitution on piezoelectricity / J. Sato [et al.] // J. Cryst. Growth. – 1998. – Vol. 191. – P. 746–753.

28. Пущаровский, Д. Ю. Рентгенография минералов / Д. Ю. Пущаровский. – М. : ЗАО «Геоинформмарк», 2000. – 295 с.

29. Pecharsky, V. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials / V. Pecharsky, P Zavalij. – N. Y. : Springer, 2005. – 713 c.

30. Изучение микромасштабных неоднородностей параметров кристаллической решетки лангатата методом трехволновой компланарной рентгеновской дифрактометрии / П.А. Просеков [и др.] // XIII Нац.

конф. по росту кристаллов : тез. докл., М., Россия, 17 – 21 ноября 2008. – М., 2008. – С. 98.

31. Журов, В. В. Программа PROFIT уточнения кристаллической структуры по порошковым данным / В. В. Журов, С. А Иванов // Кристаллография. – 1997. – Т. 42. № 2. – С.239–243.

32. Филонова, Е. А. Элементы структурного анализа. Метод FULLPROF как один из методов обработки дифракционных данных. Методические указания для студентов химического факультета / Е. А. Филонова, А. Н. Пирогов. – Екатеринбург : Ур ГУ, 2005. – 35 с.

33. Филонова, Е. А. Элементы структурного анализа. Часть 2. Рекомендации к использованию метода Ритвельда для обработки дифракционных данных. Методические указания для студентов химического факультета / Е. А. Филонова. – Екатеринбург : Ур ГУ, 2006. – 32 с.

34. Boultif, A. Powder pattern indexing with the dichotomy method / A. Boultif, D. Louer // J. of Appl. Cryst. – 2004. – Vol. 37. – P. 724–731.

35. User's guide to Program DBWS-9411 «Rietveld analysis of X-Ray and neutron powder diffraction patterns» / R. A. Young, A. Sakthivel, T. S. Moss, C. O. Paiva-Santos. – 30 March 1995.

36. Enraf-Nonius. CAD-4 Software. Version 5.0 / Enraf-Nonius. – Delft., The Netherlands. – 1989.

37. Farrugia, L. J. WinGX-96. X-Ray Crystallographic Programs for Windows. Version 1.5a / L. J.

Farrugia. – University of Glasgow, UK. – 1996.

38. North, A. C. T. Mathews F.S. A semi-empirical method of absorption correction / A. C. T. North, D. C. Phillips // Acta Cryst. – 1968. – Vol. A 24, № 3. – P. 351–359.

39. Sheldrick, G. M. SHELXL-97. Program for the Refinement of Crystal Structures / G. M.

Sheldrick. – University of Gottingen, Germany. – 1997.

40. Petricek, V. The crystallographic computing system JANA2000 / V. Petricek, M. Dusek, L.

Palatinus. – Institute of Physics, Praha, Czech Republic. – 2000.

41. Brown, I. D. Bond-valence parameters obtained from a systematic analysis of the inorganic crystal structure database / I. D. Brown, D. Altermatt // Acta Cryst. – 1985. – Vol. B 41. – P. 244–247.

42. Brese, N. E. Bond – valence parameters for solids / N. E. Brese, M. O’Keeffe // Acta Cryst. – 1991. – Vol. B 47. – P. 192–197.

43. Brown, I. D. The bond-valence method: an empirical approach to chemical structure and bonding / Brown I.D. // Structure and Bonding in Crystals. – 1981. – Vol. 2. – P. 1–30.

44. Пятенко, Ю. А. О едином подходе к анализу локального баланса валентностей в неорганических структурах / Ю. А. Пятенко // Кристаллография. – 1972. –Т. 17, вып. 4. – С. 773–779.





Похожие работы:

«УДК 577.2 Обзорная статья АНАЛИЗ ТРАНСКРИПТОМОВ ПАТОГЕННЫХ БАКТЕРИЙ В ИНФИЦИРОВАННОМ ОРГАНИЗМЕ: ПРОБЛЕМЫ И СПОСОБЫ ИХ РЕШЕНИЯ © 2010 г. Т. А. Скворцов, Т. Л. Ажикина# Учреждение Российской академии наук Институт биоорганической химии им. акад. М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН, 117997 ГСП, Москва, В-437, ул. Миклухо-Маклая, 16/10 Поступила в редакцию 19.02.2010 г. Принята к печати 07.04.2010 г. Обзорная статья посвящена современной стратегии полнотранскриптомных исследований внутриклеточных...»

«Черемичкина И.А. Гусева А.Ф. ОРГАНИЧЕСКАЯ ХИМИЯ Строение органических соединений. Теория строения А.М. Бутлерова 2 _ СОДЕРЖАНИЕ Предисловие...................................................3 Часть I. Введение в органическую химию 1. Краткий исторический очерк развития органической химии.. 4 2. Предмет органической химии........................... 5 3. Строение органических соединений. Теория строения А. М. Бутлерова...»

«Вестник Томского государственного университета. Биология. 2012. № 4 (20). С. 21–35 УДК 631.4 Г.А. Конарбаева, В.Н. якименко Институт почвоведения и агрохимии СО РАН (г. Новосибирск) СОДЕРжАНИЕ И РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ГАЛОГЕНОВ В ПОЧВЕННОМ ПРОФИЛЕ ЕСТЕСТВЕННЫх И АНТРОПОГЕННЫх ЭКОСИСТЕМ ЮГА ЗАПАДНОЙ СИБИРИ В проведенных исследованиях определено содержание галогенов и установлены закономерности их распределения в профиле целинных и пахотных серых лесных почв юга Западной Сибири. Выявлено, что концентрация...»

«ВВЕДЕНИЕ В системе показателей качества одежды важнейшие значения имеют гигиенические показатели, определяющие микроклимат у поверхности тела человека, тепло и газообмен его с окружающей средой. Оптимальный микроклимат под одеждой обеспечивает нормальное функциональное состояние человека, хорошее его самочувствие и как следствие этого сохранение высокой работоспособности, рост производительности труда, эффективность жизнедеятельности человека в целом. Именно этим объясняется тот факт, что...»

«Вестник СамГУ — Естественнонаучная серия. 2006. №4(44). 129 УДК 548.31 НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ СТЕРЕОХИМИИ U(VI) В КИСЛОРОДСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЯХ В.Н. Сережкин, Л.Б. Сережкина1 © 2006 С позиций стереатомной модели рассмотрены важнейшие особенности стереохимии U(VI) в структуре кристаллов, содержащих 1465 кристаллографически разных координационных полиэдров UOn. Установлено, что объем полиэдров Вороного-Дирихле атомов урана практически не зависит от их координационного числа — 5, 6, 7 или 8. На...»

«УДК 540.1:532.7 СТРУКТУРА СВЕРХКРИТИЧЕСКОГО МЕТАНОЛА ПО ДАННЫМ КЛАССИЧЕСКОЙ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ И МЕТОДА КАРА–ПАРИНЕЛЛО Н.А. Абакумова1, Е.Г. Одинцова2, В.Е. Петренко2 Кафедра Химия, ФГБОУ ВПО ТГТУ (1); ФГБУН Институт химии растворов им. Г.А. Крестова РАН, г. Иваново (2); vep@isc-ras.ru Ключевые слова и фразы: водородная связь; сверхкритическое состояние; методы молекулярной динамики, Монте-Карло, Кара–Паринелло; функция радиального распределения. Аннотация: Проведен расчет функций...»

«УДК 577.113.6:547.791.2 Обзорная Статья МОДИФИКАЦИЯ НУКЛЕИНОВЫХ КИСЛОТ С ПОМОЩЬЮ РЕАКЦИИ [3+2]ДИПОЛЯРНОГО ЦИКЛОПРИСОЕДИНЕНИЯ АЗИДОВ И АЛКИНОВ © 2010 г. А. В. Устинов*, И. А. Степанова*, В. В. Дубнякова*, Т. С. Зацепин**,***, Е. В. Ножевникова*, В. А. Коршун*# *Учреждение РАН Институт биоорганической химии им. акад. М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН, 117997 ГСП, Москва, В-437, ул. Миклухо-Маклая, 16/10; ** Химический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова,...»

«Химия и Химики №3 (2009)   Ненаглядное пособие по математике Григорий Остер. Рекомендовано Министерством образования Российской Федерации в качестве пособия для учащихся. ПРЕДИСЛОВИЕ Рассказать вам садистский анекдот? Приходит детский писатель к читателям и говорит: А я для вас новую книжечку написал – задачник по математике. Это, наверное, все равно, что в день рождения вместо торта поставить тарелку с кашей. Но если честно, книжка раскрытая перед вами, - не совсем задачник, Для взрослых Нет,...»

«ВЕ СТ НИК НАЦИОНАЛЬНОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА “ХПИ” Сборник научных трудов 22’2009 Тематический выпуск Химия, химическая технология и экология Издание основано Национальным техническим университетом ХПИ в 2001 году Госиздание РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ Свидетельство Госкомитета Ответственный редактор По информационной политике Украины М.И. Рыщенко, д-р техн. наук, проф. КВ № 5256 от 2 июля 2001 года Ответственный секретарь Г.Н. Шабанова, д-р техн. наук, проф. КООРДИНАЦИОННЫЙ СОВЕТ Председатель...»

«Федеральное агентство по образованию Сыктывкарский лесной институт – филиал ГОУ ВПО Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия имени С. М. Кирова КАФЕДРА ХИМИИ ОРГАНИЧЕСКАЯ ХИМИЯ СБОРНИК ОПИСАНИЙ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ для направления подготовки 655000 Химическая технология органических веществ и топлива специальности 240406 Технология химической переработки древесины (очная и заочная формы обучения) Сыктывкар 2007 УДК 547 ББК 24.2 О-64 Сборник составлен в соответствии с...»

«Полная исследовательская публикация Тематический раздел: Химия и технология растительных веществ. _ Подраздел: Химия природных соединений Регистрационный код публикации: 2pс06 Поступила в редакцию 23 июля 2002 года. УДК 615.322:582.457.074 АРАБИНОГАЛАКТАН ЛИСТВЕННИЦЫ – ПЕРСПЕКТИВНАЯ ПОЛИМЕРНАЯ МАТРИЦА ДЛЯ БИОГЕННЫХ МЕТАЛЛОВ © Медведева Светлана Алексеевна,1*+ Александрова Галина Петровна,1+ Дубровина Валентина Ивановна,2 Четверикова Татьяна Давыдовна,3 Грищенко Людмила Анатольевна,1 Красникова...»














 
© 2014 www.kniga.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, пособия, учебники, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.