WWW.KNIGA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, пособия, учебники, издания, публикации

 

Pages:     | 1 ||

«Б.Н.МИТЯШЕВ Электронные приборы Содержание Введение Глава 1. ПРОВОДИМОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 1.1. Проводимость беспримесных полупроводниковых кристаллов. 3 1.2. Донорные и ...»

-- [ Страница 2 ] --

В случае обратного неравенства, 0 S, контакт является омическим, т.е. ток через систему определяется проводимостью образцов, и его величина не зависит от полярности приложенного внешнего напряжения.

Энергетические диаграммы для этого случая изображены на рис. 4.2.

Рис. 4.2. Энергетические диаграммы контакта металл-полупроводник при 0 xS Барьер в области контакта имеется. Однако наведенный заряд в полупроводнике в данном случае отрицательный и, следовательно, его носителями являются основные носители полупроводника п-типа – электроны. Получается очень тонкий слой, образованный пониженной концентрацией электронов в металле и повышенной в полупроводнике.

Электроны, попавшие в контактный слой, ускоряются полем перехода.

Контактный слой не оказывает сопротивления электронам проводимости.

Если контакт образован металлом и полупроводником р-типа, то выпрямляющий контакт будет при 0 xS (рис. 4.3).

Рис. 4,3. Энергетические диаграммы контакта металл-полупроводник p-типа при 0 xS При соединении металла и полупроводника внешним проводом в случае 0 xS поверхность полупроводника имеет отрицательный контактный потенциал по отношению к металлу. При сближении образцов поверхность полупроводника заряжается отрицательно и заряд максимален при касании ( 0). Носителями заряда являются отрицательные ионы акцепторной примеси. В металле наводится положительный заряд. Возникает потенциальный барьер, препятствующий движению дырок из полупроводника в металл.

Прямое смещение (положительный потенциал приложен к полупроводнику р-типа) понижает барьер для дырок.

Если 0 xS, то контакт с полупроводником р-типа получается омическим. На поверхности полупроводника в этом случае наводится положительный заряд дырок, которые при наличии контакта рекомбинируют с электронами металла.

Экспериментально определенные контактные разности потенциалов отличаются от значений, получаемых из предыдущего рассмотрения.

Сильное влияние оказывают поверхностные состояния контактирующих кристаллов, поверхностные пленки и примеси, которые создают на поверхности заряд некоторой концентрации. При большой плотности ионизированных поверхностных состояний высота потенциального барьера и его знак могут не зависеть от величины работы выхода металла и полупроводника. Величина барьера изменяется на величину, определяемую плотностью поверхностных состояний.




В таблице 4.1 приведены значения работы выхода некоторых металлов, используемых в диодах, а в таблице 4.2 значения электронного сродства основных полупроводников.

Высота барьера Бп при контакте этих материалов, найденная экспериментально приведена в таблице 4.3. Полезно сравнить эти данные c оценкой (4.1) при использовании данных таблиц 4.1 и 4.2.

Металл Все цифры отличаются от оценки (4.1). Контакты с Al по простой модели Шоттки (рассмотренная выше модель) являются омическими, а экспериментально выпрямляющими кроме контакта с CdS).

Результаты эксперимента сильно зависят от способа, каким подготовлены поверхности полупроводника перед напылением металлической пленки. Обнаружены заметные различия между сколотыми и химически обработанными поверхностями. Экспериментальные данные для п-кремния приведены в таблице 4.4.

Вид обработ. Сколотые поверхности Химически обработанные Сколотые поверхности дают контакт, у которого высота барьера почти не зависит от работы выхода металла. Это объясняется большой плотностью поверхностных состояний (незаполненные связи поверхностных атомов кристалла). Для химической обработки, нарушающей структуру кристалла, зависимость от работы выхода наблюдается.

4.2. Вольтамперная характеристика контакта Наиболее наглядна термоэлектронная теория проводимости контакта металл-полупроводник. При узкой обедненной области Б можно пренебречь столкновениями электронов при их прохождении запорного слоя.

Происходит преодоление барьера электронами, имеющими достаточно большую составляющую скорости по направлению к барьеру.

Диаграммы контакта для различных внешних напряжений на диоде изображены на рис. 4.4. Внешнее напряжение изменяет высоту барьера только со стороны полупроводника.

Можно воспользоваться результатами, полученными для вычисления плотности тока электронной эмиссии металл-вакуум Это уравнение Ричардсона для эмиссии в вакуум, где работа выхода заменена барьером Бп. Коэффициент зависит от величины эффективной массы электронов m*(k – постоянная Больцмана, h – постоянная Планка). Для свободных электронов А*= А = а/см2 k2 – постоянная Ричардсона.

Рис. 4.4. Энергетические диаграммы диода металл-полупроводник при различных Поскольку величина барьера для электронов, текущих из металла в полупроводник остается неизменной, то плотность тока не зависит от прикладываемого напряжения Суммарная плотность тока электронов через переход равна или, учитывая есть плотность обратного тока контакта металл-полупроводник.

Решение (4.9) совместно с (4.10) хорошо аппроксимирует вольтамперные характеристики диодов, получаемых контактом металла с Je, Si, JaAs при нормальных концентрациях примесей (1014 – 1017 см–3).

Таким образом, вольтамперная характеристика диода металлполупроводник (диода Шоттки) описывается такой же экспоненциальной зависимостью, как и характеристика р-п диода [см. (2.11)].

Имеются физические явления, приводящие к некоторой зависимости обратного тока диода от приложенного напряжения.

Так же, как и в вакуумных диодах барьер металл-полупроводник понижается с увеличением приложенного напряжения (эффект Шоттки).





Напряженность поля в переходе можно найти из (4.3), написанного для текущих координаты и потенциала, Напряженность поля Подставляя x из (4.11), получаем Потенциальный барьер под влиянием такого поля понижается на учетом этого эффекта равна Другой причиной, вызывающей зависимость обратного тока от напряжения является изменение ширины запорного слоя и изменение темпа регенерации носителей в запорном слое.

Характеристики реальных диодов Шоттки, выполненных по современной технологии близки к идеальным.

4.2. Конструкция и высокочастотные свойства На рис. 4.5а приведена одна из конструкций диода Шоттки на основе контакта алюминия и кремния. На рисунке указаны типовые размеры для диода малой мощности.

Рис. 4.5. Конструкции диодов металл-полупроводник: а – простая, б – с охранным кольцом Диод рис. 4.5а получен методом эпитаксии и литографии с нанесением металлического контакта. На пластине Si-п+ наращивается эпитаксиальный слой кремния толщиной около 2 мкм. Затем поверхность оксидируется и фотолитографией формируются окна, через которые напыляется алюминий, разогреваемый электронным пучком. Площадь алюминиевого контакта определяется дополнительной маской и перекрывает слой окисла. На краях контактного диска обедненный слой получается тоньше, что предотвращает нерезкий пробой диода и уменьшает утечку на краях контакта.

Вольтамперная характеристика диода рис. 4.5а хорошо описывается формулой При площади контакта Sd = 10 см обратный ток I0 = 200пка= = 0,2 на;

коэффициент =1,01 при изменении тока от I0 до 1 мА. Оценка величины потенциального барьера по характеристике дает s 0,7 эВ.

Пробой диода Шоттки лавинного происхождения и составляет около 60% от напряжения пробоя плоского р-п диода на том же материале.

Имеются более совершенные конструкции. Основной составляющей обратного тока является ток утечки на краях металлического контакта. Для устранения этого эффекта делаются диоды с охранным кольцом:

формируется методом диффузии под кромкой контакта кольцо р-типа в пматериале (рис. 4.5б). Пробивное напряжение охранного р-п перехода делается больше, чем напряжение пробоя основного диода. Прямые и обратные характеристики такого диода получаются близкими к идеальный.

Охранное кольцо может вызывать понижение высокочастотности диода Шоттки, если р-областъ сильно легирована. При сильном легировании контакт с р+ – кольцом получается омическим практически с любым металлом. Поэтому основной диод шунтируется р+-п диодом (рис. 4.6а), в котором проявляются эффекты накопления заряда неосновных носителей, что снижает высокочастотность диода.

Рис. 4.6. Эквивалентные схемы конструкции с охранным кольцом при сильном (а) и умеренном Можно резко уменьшить эффект накопления, если концентрацию акцепторов в охранном кольце сделать не очень высокой. При этом исключается туннелирование в контакте металл-Si(p) и этот контакт представляет диод Шоттки, включенный обратно основному диоду металлSi(n) (рис. 4.6б). Через диод р-п течет очень малый обратный ток диода МSi(p) и накопление заряда исключается. Таким способом можно получить диоды практически с идеальными характеристиками.

Основное достоинство диодов и других приборов на основе контакта металл-полупроводник заключается в том, что ток обусловлен движением основных носителей и не связан с явлениями накопления заряда.

Ограничение скорости переключения диодов из запертого состояния в проводящее определяется постоянной времени, образованной сопротивлением тела кристалла полупроводника Rd и барьерной и конструкционной емкостью Cd диода (рис. 4.7).

Сопротивление Rd составляет единицы Ом, а емкость Cd – доли пФ.

При Rd = 1ом, Cd = I пФ. Граничная частота диода Именно такой величины оказывается граничная частота германиевых диодов в контакте с золотом при диаметре контакта 10 мкм и умеренном легировании (ND = 1016 – 1017 см–3). Диоды на арсениде галлия получаются с более высокой граничной частотой ( fгр 300 Ггц.) вследствие более высокой подвижности электронов в этом материале.

Диоды Шоттки находят применение и перспективы в диапазоне СВЧ.

В качестве смесителей и детекторов приемников СВЧ диоды Шоттки вытесняют относящиеся к тому же типу, но технологически несовершенные и нестабильные точечно-контактные кристаллические детекторы, используемые со времен второй мировой войны по настоящее время.

Характеристики точечно-контактных диодов трудно предсказать.

Контакт, образованный давлением острия проволоки на кристалл поликристаллической структуры, имеет неопределенные свойства.

Неопределенны давление острия, площадь контакта, структура кристалла, состояние поверхности, режим формирования контакта. В то же время планарная технология изготовления диодов из монокристаллического полупроводника дает диоды с предсказуемыми и стабильными характеристиками. На рис. 4.8 для сравнения приведены вольтамперные характеристики высокочастотных диодов трех типов: точечно-контактных, обращенных (см. стр. 51 и диодов Шоттки.

Рис. 4.8. Вольтамперные характеристики обращенного (1), точечно-контактного (2) диодов и Точечно-контактный диод имеет больший обратный ток, чем диод Шоттки. Кроме того, он имеет и более высокий уровень собственных шумов.

Обращенные диоды имеют хорошие характеристики и используются в малосигнальных цепях.

Другие применения диодов Шоттки также связаны с их высокочастотностью и стабильностью характеристик. Их используют в быстродействующих переключающих устройствах. Экспоненциальная зависимость тока от напряжения (4.15) позволяет строить логарифмические преобразования (u ~ lni).

Барьер металл-полупроводник используется при изготовлении транзисторов с металлическим коллектором. В таких транзисторах не происходит накопления заряда в коллекторе и тем ускоряется время их переключения. Кроме того, получается очень малое остаточное напряжение на коллекторе в проводящем насыщенном состоянии. Недостатком является понижение пробивного напряжения коллекторного перехода.

Следует отметить, что контакт металл-полупроводник имеется во всех полупроводниковых приборах в связи с необходимостью выводных проводниковых контактов. Во всех дискретных элементах выведены контактные проволочки. Такие контакты должны быть омическими. В соответствии с теорией, изложенной в начале главы, омический контакт получается только при строгом подборе пары металл-полупроводник, обеспечивающим отсутствие потенциального барьера. Такой контакт создать трудно. Реальные контакты можно считать омическими приближенно.

Омический контакт определяется как контакт, который имеет симметричную вольтамперную характеристику, не добавляет значительного импеданса к структуре и не изменяет равновесные плотности носителей настолько, чтобы это сказалось на характеристиках прибора.

При изготовлении контактов, как правило, образуется некоторый потенциальный барьер. Эффект влияния барьера удается ослабить, внося в контактирующий металл легирующие примеси. Например, в золото вносятся примеси п- или р-типа. В процессе вплавления контакта примеси диффундируют в полупроводник, создавая под контактом области с высоким легированием (рис.4.9 б). На рис. 4.9 а приведена энергетическая диаграмма контакта.

Риc. 4.9. Энергетическая диаграмма контакта при высоком легировании полупроводника Повышение концентрации примесей под контактом уменьшает толщину запорного слоя настолько, что носители проникают через барьер почти свободно вследствие туннельного эффекта.

Таким образом, при контактировании с различными металлами контакт будет практически омическим, если полупроводник сильно легирован. Это явление используется при изготовлении полупроводниковых приборов.

В полевых приборах управление проводимостью осуществляется наведением или вытеснением подвижного электрического заряда электрическим полей в тонком слое полупроводника. Разработка полевых приборов последовала за освоением технологии биполярных транзисторов.

Полевые приборы не конкурируют с биполярными. Они дополняют друг друга и расширяют возможности транзисторной электроники.

Трудности создания стабильных полевых приборов с заданными параметрами были связаны с необходимостью уменьшения плотности рекомбинационных ловушек на поверхности полупроводника. При наличии большого числа рекомбинационных центров типа примесей, нарушений регулярной кристаллической структуры и поверхностных состояний значительная часть наведенного заряда является неподвижной и управление проводимостью поверхностного слоя неэффективным.

На первом этапе трудности были обойдены изобретением транзистора с управляющим р-п переходом. В этом приборе модулируется толщина проводящего канала, достаточно удаленного от поверхности, что ослабляет эффекты, связанные с поверхностными ловушками. Развитие технологии диффузии примесей через фотолитографические маски, эпитаксиального выращивания пленок привело к стабильной технологии полевых приборов с управляющим р-п переходом.

Прогресс в разработке полевых транзисторов с изолированным затвором наступил в 60-е годы после установления экспериментального факта, что поверхность кремния пассивируется при выращивании на ней пленки двуокиси кремния SiO2. Плотность свободных поверхностных состояний под пленкой резко сокращается (с 10 15 до 1011 ом –2). Была предложена конкретная структура полевого прибора на кремнии металлокисел-полупроводник (МОП; MОS). В этом приборе металлический управляющий электрод индуцирует или устраняет подвижный электрический заряд в поверхностном слое монокристаллического кремния под пленкой окисла. Рассмотрим характеристики и свойства полевых приборов обоих типов.

5.1. Транзистор с управляющим р-п переходом Рассмотрим полевой транзистор в виде бруска полупроводникового кристалла с нанесенными на противоположные поверхности управляющими р-п переходами (рис. 5.1). Для определенности проводимость кристалла будем считать электронной.

Рис. 5.1. Структура полевого транзистора с управляющим р-п переходом и полярности Один из концов бруска считается истоком, второй – стоком. Р-области являются затвором. К затвору прикладываются управляющее напряжение, смещающее переход в обратном направлении uзи = uз 0. При малых напряжениях на стоке относительно истока вольтамперная характеристика приближенно линейна и определяется омическим сопротивлением канала.

Увеличение смещения на затворе сужает канал, расширяя запорные слои р-п переходов. При некотором напряжении на затворе uз = uр0 запорные слои смыкаются, полностью перекрывая канал. В этом случае ucи 0 ic = Конфигурация проводящей части канала, когда во всех сечениях смещение на р-п переходе меньше up0, изображена на рис.5.1. У истока смещение, равно напряжению на затворе 0 uз up0, (up0 0). У стока ucи = uс 0 и смещение на р-п переходе больше uзс = uз – uс, uс 0. Сужение канала с ростом uс приводит к нелинейной вольтамперной характеристике ic = f (uc ).

При напряжении uзc = up0, когда uc = uc0 = uз – up0, канал смыкается у стокового конца и ток достигает насыщения. Дальнейший рост тока при uc uc0 обусловлен увеличением области смыкания и укорочением управляемой напряжением на затворе части канала. Примерный вид вольтамперной характеристики изображен на рис. 5.2.

В обычных рабочих режимах напряжение на затворе относительно канала отрицательно (uз 0, uc 0) и ток затвора есть обратный ток р-п перехода. Для кремниевых транзисторов ток затвора очень мал.

Рис.5.2. Вольтамперная характеристика транзистора с управляющим р-п переходом Найдем аналитические выражения для вольтамперной характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом, представляющего брусок с размерами, указанными на рис. 5.3а.

Рис. 5.3. Конструкция транзистора (а) и распределение заряда в запорном слое затвора (б) Вольтамперную характеристику транзистора можно вычислить, используя связь напряжения на р-п переходе с шириной запорного слоя, полученную при анализе барьерной емкости р-п перехода (раздел 2.3). В полевом транзисторе управляющий р-п переход затвора является резким и распределение некомпенсированного заряда примесей в некотором поперечном сечении прибора имеет вид рис.5.3б (см. также рис. 2.5а).

плотность заряда x e N D N A и учитывая, что разность потенциалов на затворе uз и собственная контактная разность потенциалов перехода u0 (uБ = uз+ u0), Использование условия нейтральности заряда в запорном слое Соотношение (5.3) связывает напряжение на затворе относительно канала uз с глубиной проникновения запорного слоя в канал n. Если напряжение стока uз = uси = 0, то канал полностью перекроется, сомкнется, когда глубина проникновения станет равной половине ширины канала а (вторая половина канала перекроется нижней на рис. 5.3а частью затвора).

Следовательно, напряжение смыкания равно Из (5.3) и (5.4) следует соотношение При налом напряжении на стоке можно пренебречь влиянием этого напряжения на ширину канала. Поэтому начальный участок вольтамперной характеристики определяется по закону Ома проводимостью бруска длиной l и поперечным сечением S = 2(a – n )в (рис. 5.3 а).

отношение n a из (5.5), получаем В области малых uc транзистор ведет себя как переменное сопротивление, управляемое напряжением на затворе. Сопротивление rc 0 1 gc 0 минимально при uз = 0 и при, u0 u p 0 приближенно равно rc 0 l 2 n aв (составляет от десятков Ом до десятков кОм в зависимости от геометрических размеров образца). При напряжении смыкания В общем случае напряжение стока влияет на ширину канала, так как в разных сечениях к р-п переходу затвора приложено разное напряжение затвор-канал u (y ). При y = 0 u (0) = uзu = uз, а при у = l u(l) = uз –uс = uзс.

Соотношение (5.5) справедливо для любого сечения. Запишем его в виде Плотность тока в канале различна в разных сечениях Однако полный ток во всех сечениях одинаков где сечение канала S(у ) = 2 [а – n (y)]в зависит от у и от напряжения [см.

(5.8)].

Интегрируя (5.10) по у в пределах от нуля до l и по u от u(0) = uз + u до u(l) = uз – uс + u0 = uзс + u0, получаем После интегрирования окончательно имеем Ток Ic0 есть ток стока при uз + u0 = 0 и uзс = up0, когда канал смыкается у стока и наступает насыщение. Выражение (5.12) справедливо для напряжений на затворе и на стоке вплоть до смыкания канала, т.е. отражает вольтамперные характеристики транзистора в ненасыщенном режиме (uс uз - uр0). Следует отметить, что ненасыщенность режима для полевых транзисторов имеет другой смысл, чем для биполярных транзисторов.

Кривую, отделяющую область насыщения от ненасыщенной области, получаем подставляя в (5.12) uзс = uр0:

В первом приближении ток насыщения можем считать постоянным и при uc uз – up0. В действительности ток растет с увеличением напряжения на стоке вследствие эффекта укорочения канала.

Нормированные вольтамперные характеристики полевого транзистора, вычисленные по формулам (5.12) и (5.14) приведены на рис. 5.4.

Рис. 5.4. Вольтамперные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом При выводе выражения (5.12) предполагалось, что подвижность электронов во всех проводящих областях канала остается постоянной и соответствует ее значению для небольших напряженностей электрического поля. В действительности при подходе к режиму насыщения канал сужается, напряженности возрастают, и подвижность электронов падает. На рис. 5. приведены экспериментальные зависимости средней скорости электронов от напряженности поля для кремния.

Рис. 5.5. Зависимость скорости носителей тока от напряженности поля При напряженности поля больше 105 В/см скорость электронов достигает 107 см/сек и остается постоянной. То же получается для дырок при несколько меньшей предельной скорости, Аппроксимируя кривые рис. 5. можно выполнить уточненные вычисления. Реально в полевых транзисторах напряженности поля в области смыкания канала достигают предельных.

Подвижность n становится обратно пропорциональной напряженности поля. В этом случае в области смыкания образуется очень узкий канал, обеспечивающий прохождение тока насыщения при предельной напряженности (рис. 5.6).

Увеличение uc не может сузить канал, что привело бы к уменьшению тока, а приводит к увеличению длины l сомкнутой части канала. Это сокращает участок канала до смыкания lЭ = l –l, что приводит к уменьшению падения напряжения на этом участке и небольшому росту тока iс с увеличением uс (отображено пунктиром на рис. 5.4).

Пробой затвора лавинного происхождения вызывает появление больших токов затвора, что сказывается и на выходных вольтамперных характеристиках.

5.3. Параметры и эквивалентные схемы В режиме усиления слабых сигналов используются дифференциальные параметры, аналогичные параметрам усилительных вакуумных ламп.

Основным параметром является крутизна В ненасыщенной области в соответствии с (5.12) имеем есть максимальное значение S, которое формально получается при uз + u0 = и uзс = up0. Отметим, что S0 численно равна проводимости бруска размером 2 авl.

Формулу для крутизны в области насыщения получаем, подставляя в (5.16) uзс = up0, Выходная дифференциальная проводимость в ненасыщенной области есть Как видим, основное влияние на параметры оказывают размеры и степень легирования немодулированного бруска, определяющего проводимость S0.

При данном напряжении на затворе крутизна в области насыщения численно равна выходной проводимости на начальном участке характеристики (uc = 0) Выходная проводимость в области насыщения отлична от нуля вследствие обсужденного выше эффекта укорочения канала.

Типовые значения параметров для маломощных транзисторов составляют S' = 0,1 – 10 мА/В, rc' = 0,1 – 1,0 мгОм (режим насыщения).

Увеличивая площадь сечения канала или используя многоканальную структуру, получают S' до 0,1 А/В.

Эквивалентная схема полевого транзистора на низких частотах аналогична эквивалентной схеме электронной лампы (рис.5.7) Рис. 5.7. Низкочастотная эквивалентная схема полевого транзистора Реальные конструкции транзисторов отличаются от рассмотренной модели в виде бруска рис. 5.3а. На рис. 5.8 приведена планарная конструкция, полученная эпитаксиальным выращиванием n-канала на pподложке и последующей диффузией через маски всех электродов. Подложка в этой конструкции играет роль второго затвора. Затвор выполнен в виде замкнутого вокруг стока (или истока) электрода, что позволяет полностью перекрыть канал напряжением на затворе. В центре конструкции лучше размещать сток, что снижает его площадь и тем уменьшает утечку и емкость на подложку.

Рис. 5.8. Пленарная конструкция полевого транзистора и схемное обозначение конструкции со При анализе поведения транзистора на высоких частотах нужно учитывать реальную конструкцию. Большое влияние оказывают взаимные емкости электродов ( Сзс, Сзн, Сси). мкость затвора является распределенной и подключена через распределенное сопротивление канала. Именно постоянные времени зарядных цепей определяют граничные частоты полевых транзисторовю В полевых транзисторах нет эффектов накопления заряда неосновных носителей. Однако процесс изменения проводимости канала при изменении напряжения на затворе является инерционным. При изменении напряжения на затворе изменяется область пространственного заряда р-п перехода и необходимые для изменения зарядные токи текут через неперекрытую часть канала. Сопротивление канала у стокового конца значительно, особенно в области перекрытия канала, и постоянная времени заряда получается большой.

В эквивалентной схеме заменяют распределенные емкости и сопротивления сосредоточенными. Малосигнальная эквивалентная схема полевого транзистора на высоких частотах приведена на рис. 5.9. Здесь схема 5. дополнена емкостными цепями транзисторной структуры и сопротивлениями тела истока Ruu' и стока Rcc.

СЗС RЗС RСС

Рис. 5.9. Эквивалентная схема полевого транзистора на высоких частотах Емкости имеют величину Сзи = I – 15 пкФ, Cзс= I – 10 пкФ. Полная схема включает также индуктивности выводов, емкости исток-край затвора, сток-край затвора и внешние емкости между выводами.

Часто оценивают граничную частоту усилительного элемента как частоту, на которой коэффициент усиления по мощности равен единице. Для прибора с крутизной характеристики S коэффициент усиления по току коэффициент усиления по напряжению и коэффициент усиления по мощности На высоких частотах входное и выходное сопротивления имеют в первом приближении емкостной характер. Пусть Z вх Z вых.

Экспериментально измеренные граничные частоты высокочастотных полевых транзисторов с управляющим переходом около 200 мгц.

5.4. Полевой транзистор с изолированный затвором (МОП транзистор) Управление проводимостью полупроводника электрическим полем, создаваемым металлическим затвором, изолированным от поверхности полупроводника тонким слоем диэлектрика является одним из самых ранних изобретений. Это предложение реализовано в виде серийных полевых приборов в 60 -е годы. Примеры конструкций транзисторов с п-каналом приведены на рис. 5.10.

Транзистор со встроенным п-каналом (рис. 5.10 а) формируется на рподложке. Канал в виде тонкого (около I мкм) слоя п-кремния отделен от затвора изолирующим слоем двуокиси кремния. При напряжении па затворе, равном нулю, канал является проводящим. Подача отрицательного напряжения уменьшает проводимость канала, и функционирование транзистора аналогично уже рассмотренному случаю затвора в виде управляющего р-п перехода. Положительное напряжение на затворе увеличивает концентрацию электронов в канале и увеличивает его проводимость.

В транзисторе с наведенным (индуцированным) каналом (рис. 5.10 б) положительное напряжение на затворе притягивает электроны р-подложки к поверхности и соединяет п-области истока и стока тонким проводящим слоем. Рабочие напряжения на затворе и стоке одного знака, что упрощает связь между усилительными каскадами или логическими элементами.

Следует отметить, что наведенный канал может появиться и при uзи = 0 под влиянием положительного заряда ионов в изолирующей пленке SiO Рис. 5.10. Конструкции МОП - транзисторов со встроенным каналом (а) и с индуцированным Оба типа транзистора называют МОП-транзисторами, так как они образованы системой металл-окисел-полупроводник.

На п-подложке формируются МОП-транзисторы c р-каналом, т.е.

каналы с дырочной проводимостью. Канал наводится под влиянием отрицательного напряжения на затворе.

5.5. Энергетические диаграммы МОП-структуры Свойства МОП-транзисторов можно выявить на основе энергетических диаграмм. На рис. 5.11 приведены энергетические диаграммы для напряжения на затворе uз = 0 и при пассивной изолирующей пленке (заряд в пленке SiO2 отсутствует).

Рис. 5.11. Энергетические диаграммы и распределение заряда в Диаграммы аналогичны рассмотренным ранее диаграммам металлполупроводник (разд. 4.1) при отсутствии непосредственного контакта.

Отличие работ выхода электронов металл-окисел МО и полупроводникокисел SО вызывает наведенный поверхностный заряд, который включает и ионизированные поверхностные состояния и примеси. Наведенный заряд понижает энергетический уровень поверхности на еSO. При uз = 0 уровень Ферми для системы общий и можно написать равенство где uOO – разность потенциалов на поверхности пленки двуокиси кремния.

Если обозначить то разность потенциалов на поверхности изолирующей пленки равна Положение уровня Ферми F относительно дна зоны проводимости П в (5.24) зависит от концентрации примесей в полупроводнике и температуры где NA – концентрация акцепторов в р-подложке, ni – концентрация пар носителей тока в чистом полупроводнике Данные о величине MS, вычисленные по формулам (5.24) и (5.26) с учетом, что для МОП структуры на кремнии SO = 3,25 эВ, МО = 3,2 эВ (Al), МО = 4,1 эВ (Аu), приведены в таблице 5.1.

Система Al-SiO2 -Si(n) Al-SiO2 -Si(p) Au-SiO2 -Si(n) Au-SiO2 -Si(p) N(см–3) Как видим выбором металла затвора и степени легирования полупроводника можно изменять величину MS в больших пределах.

На рис. 5.11 приведена диаграмма и для плотности распределения заряда (х). Носителями заряда в полупроводнике являются неподвижно закрепленные в кристаллической решетке ионы и проводящего канала не имеется.

величиной uз 0, то заряд в структуре скомпенсируется [(х) = 0] и искривление зон у пленки окисла исчезнет (рис. 5.12 а).

Рис. 5.12. Энергетические диаграммы МОП-структуры при отрицательном напряжении на При u з на поверхности наводится положительный заряд, носителями которого являются дырки. Однако повышенная концентрация дырок лишь изменяет контактную разность потенциалов на запертых р-п переходах истока и стока (рис. 5.10 б) и проводящий канал не образуется.

Если приложить к затвору положительное напряжение, то по мере увеличения этого напряжения сначала расширится область пространственного заряда отрицательных акцепторных ионов, а затем у поверхности образуется тонкий слой, содержащий электроны. Это снимает контактный барьер у истока и стока вблизи поверхности, т.е. образуется проводящий канал. Энергетические диаграммы, соответствующие этому случаю приведены на рис. 5.13.

Проявление индуцированного п-слоя на поверхности р-кристалла экранирует толщу полупроводника и при дальнейшем увеличение смещения uз увеличивается концентрация электронов у поверхности и остается практически неизменной глубина запорного слоя Xd.

Эксперименты показали, что в защитной пленке SiO2 образуется положительный заряд, носителями которого являются замороженные ионы металла затвора и подложки (Si +), проникшие в пленку окисла при ее формировании. Влияние заряда пленки окисла отображено на рис. 5. пунктиром. Видно, что наличие заряда в пленке увеличивает наведенный заряд в полупроводнике.

Рис. 5.13. Энергетические диаграммы МОП - структуры при положительном напряжении на Заряд в пленке окисла может быть достаточным для наведения инверсного проводящего слоя и в отсутствие напряжения на затворе (uз = 0) Характеристики такого транзистора будут аналогичны характеристикам транзистора со встроенным каналом (рис. 5.10 а). В связи с этим следует заметить, что заряд в пленке SiO2 препятствует образованию наведенного р-канала на п-подложке. Поэтому транзисторы с индуцированным р-каналом в отличие от транзисторов с п-каналом заперты при uз = 0 и отпираются только при достаточном отрицательном смещении.

5.6. Вольтамперные характеристики МОП-транзисторов Вольтамперные характеристики МОП-транзисторов похожи на характеристики транзисторов с управляющий р-п переходом: имеется ненасыщенная область и область насыщения. Отличия связаны с увеличением проводимости наведенного канала с ростом напряжения на затворе и с влиянием заряда в пленке окисла (рис.5.14). На характеристиках все напряжения отсчитываются относительно истока.

Рис. 5.14. Выходные характеристики МОП-транзисторов с n-каналом (а) и с р-каналом (б) Транзистор с р-каналом начинает проводить ток при напряжении на затворе uз0 0 (uз0 – напряжение отсечки); для конкретности на рис. 5. uз0 = – 4 В.

Входные характеристики (рис. 5.15) более наглядно выявляют отличия транзисторов с п- и р-каналом.

Рис, 5.15. Входные характеристики МОП-транзистора Проводимость п-канала при нулевом напряжении на затворе зависит от концентрации акцепторов в подложке. При сильном легировании заряд в пленке окисла уравновешивается зарядом акцепторов и подвижный заряд при uз = 0 оказывается небольшим или же совсем не наводится. Проводимость канала при uз = 0 будет малой (пунктир на рис. 5.15).

Концентрация доноров в п-подложке транзистора с наведенным р-каналом влияет на величину напряжения отсечки uз0. При увеличении легирования уменьшается толщина запорного слоя, наведенного зарядом в пленке окисла.

Следовательно, увеличивается емкость затвор-подложка и уменьшается напряжение на этом конденсаторе при заданном заряде в пленке окисла (влияние увеличения легирования отображено пунктиром на рис. 5.15).

характеристики МОП-транзистора с наведенным каналом. Сделаем ряд допущений. Пренебрежем контактной разностью потенциалов затворподложка, так как это повлияет лишь на начало отсчета напряжения на затворе. Влияние поверхностных состояний и ловушек на поверхности учтем совместно с влиянием заряда в пленке окисла, считая, что на единицу поверхности затвора приходится заряд qS. И, наконец, делается основное предположение, что весь наведенный вблизи поверхности полупроводника (подложки) заряд является подвижным и имеет подвижность, не зависящую от приложенного поля. Для конкретности рассмотрим случай наведенного пканала. Конструкция канала с указанием размеров и координат изображена на рис. 5.16.

Рис. 5.16. Конструкция транзистора для аналитического рассмотрения Толщина пленки окисла равна X0 и емкость единицы площади затвор-подложка равна C0 = E0 / X0. Ток в канале ic создает падение напряжения u(у) на расстоянии у от истока. Наведенный заряд под элементарной площадкой Bdy равен где [uз – u(y)] – напряжение, приложенное к элементу поверхности.

Если учесть, что qS C0 uз 0 есть напряжение отсечки, (5.27) запишем в виде запишем в виде где использовано (5.28) и интерпретировано как скорость Интегрируя в пределах u(0) = 0, u(l) = uc с учетов того, что ток стока не зависит от у, получаем Выражение (5.31) справедливо вплоть до смыкания канала (0 uc uз – uз0).

Канал сомкнется при uc = uз – uз0. При насыщении ток равен Входная характеристика в области насыщения квадратична: icн uз uз и крутизна S k uз uз 0. Коэффициент k можно, отвлекаясь от конкретной модели (рис. 5.16) и решения (5.32), найти экспериментально или по паспортным данным: k S 2 2icн.

Эквивалентная схема МОП-транзистора аналогична схеме транзистора с управляющим р-п переходом (рис. 5.9).

Сопротивление утечки затвора очень велико. Это вызывает опасность пробоя затвора напряжением, вызываемым наведенными внешними полями зарядами. Пробой затвора опасен, так как может быть необратимым и вызвать короткое замыкание затвора. При толщине пленки Х =0,1 мкм напряжение на затворе 50 В создает напряженность поля 5106 В/см, вызывающую пробой. В конструкцию МОП-транзисторов вводятся вспомогательные элементы, шунтирующие затвор и защищающие от необратимого пробоя (дополнительный диод или полевая структура, имеющие напряжение обратимого пробоя ниже предельно допустимого на затворе). Эти вспомогательные полупроводниковые элементы могут вызвать отклонения от расчетных вольтамперных характеристик.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Бонч-Бруевич В. Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников, М., Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов, М., Энергия, 1973.

Епифанов Г. И. Физические основы микроэлектроники, М., Сов.

Агаханян Т. М. Основы транзисторной электроники, М., Энергия,

Pages:     | 1 ||
Похожие работы:

«ЭСТОНСКАЯ ТОРГОВО-ПРОМЫШЛЕННАЯ ПАЛАТА № 9 • НОЯБРЬ 2009 г. ИЗДАНИЕ ЭСТОНСКОЙ ТОРГОВО-ПРОМЫШЛЕННОЙ ПАЛАТЫ Таави Котка: Пробуждение может вызвать депрессию, однако необходимо задуматься о расширении сотрудничества. 7 октября в Пярну, в рамках недели пред- маа, занимающимся деревообработкой, принимательства, состоялся бизнес-зав- показали слайд с подписью если у сотрак с Таави Котка, который является седа дела идут хорошо, то и у меня будут исполнительным директором занимающе- дела идти хорошо, то...»

«Книга Ирина Трущ. Винный этикет скачана с jokibook.ru заходите, у нас всегда много свежих книг! Винный этикет Ирина Трущ 2 Книга Ирина Трущ. Винный этикет скачана с jokibook.ru заходите, у нас всегда много свежих книг! 3 Книга Ирина Трущ. Винный этикет скачана с jokibook.ru заходите, у нас всегда много свежих книг! Ирина Николаевна ТРУЩ ВИННЫЙ ЭТИКЕТ 4 Книга Ирина Трущ. Винный этикет скачана с jokibook.ru заходите, у нас всегда много свежих книг! Введение Этикету посвящено множество книг. В них...»

«БЛОК И СОЮЗ ПОЭТОВ I. БЛОК В АРХИВЕ ВС. А. РОЖДЕСТВЕНСКОГО Предисловие и публикация М. В. Р о ж д е с т в е н с к о й Комментарии Р. Д. Т и и е н ч и к а Поэт Всеволод Александрович Рождественский (1895—1977) в 1919—1921 гг. довольно часто общался с Блоком. Об этих встречах Рождественский рассказал в автобиографической книге Страницы жизни 2. Глава об Александре Блоке, занявшая в ней центральное место, появилась в печати еще в 1945 г.2 К воспоминаниям о Блоке Рождественский вернулся через 15...»

«Антикварные галереи КАБИНЕТЪ 283 Густафсон Р. Земной глобус папы: Сказка Р. Густафсона. Рисунки Дмитрия Митрохина. М., изд. И.Н. Кнебель, [1912]. Формат издания: 30 х 22,8 см.; [11] с., ил. В издательской иллюстрированной обложке работы Д. Митрохина. В очень хорошем состоянии. Потертости (следы от скотча?) на бумаге у корешка, аккуратная реставрация уголков первой страницы. 30 000 – 40 000 руб. 284 Гауф В. Корабль-призрак. Сказка. Рисунки Дмитрия Митрохина. М., издание И.Н. Кнебель, 1912....»

«1 15-я МОСКОВСКАЯ МЕЖДУНАРОДНАЯ ОПТИЧЕСКАЯ ВЫСТАВКА 15-18 сентября 2014 г. ОФИЦИАЛЬНОЕ РУКОВОДСТВО УЧАСТНИКА Международный выставочный центр Крокус Экспо: Россия, 143402, Московская область, г. Красногорск, 65-66 км МКАД (Московской кольцевой автомобильной дороги), Торгово-выставочный комплекс, корпус 2. Ст. м. Мякинино Организатор: МВЦ Крокус Экспо КОНТАКТЫ: Елена Владимировна Бегунова, директор выставки Елена Юрьевна Крышина, старший менеджер Ирина Сергеевна Стефанова, менеджер Тел./факс: +7...»

«Проф. Ирена Жеплиньска (Irena Rzepliska) Яцек Бялас (Jacek Biaas) Богуслава Доманьска (Bogusawa Domaska) Эва Осташевска Жук (Ewa Ostaszewska uk) Каролина Русилович (Karolina Rusiowicz) Марта Щeпаник (Marta Szczepanik) Майя Тобиаш (Maja Tobiasz) Статус беженца – дополнительная защита в Польше – что дальше? Хельсинкский фонд по правам человека Варшава 2012 Face la procdure d’asile. Votre droits et obligations en cours de la procdure. Статус беженца – дополнительная защита в Польше – что дальше?...»

«МИНИСТЕРСТВО ПРИРОДНЫХ РЕСУРСОВ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ФЕДЕРАЛЬНОЕ БЮДЖЕТНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ПРИРОДНЫЙ ЗАПОВЕДНИК “ ОСТРОВ ВРАНГЕЛЯ ” “УТВЕРЖДАЮ” Директор ГУ ГПЗ “Остров Врангеля” _ А.Р. Груздев “” мая 2013 г. Летопись Природы 2012 года СОГЛАСОВАНО И.о. зам. директора по НИР Н.Г.Овсяников “_” _мая 2013 г. Певек, 2013 СОДЕРЖАНИЕ 1. ТЕРРИТОРИЯ ЗАПОВЕДНИКА 1.1. Стационары и кордоны ГПЗ ПЗ Остров Врангеля. 1.2. Учетные площади на о. Врангеля.. 2. ПОГОДА: характеристика...»

«Братья Бри СЛЁЗЫ ШОРОША 2012 The Tears of Shorrosh By Brie Brothers Copyrights © 2011 Brie Brothers All rights reserved. No part of this book may be reproduced in any form or by any means, including information storage and retrieval systems, without permission in writing from the Publisher and/or the Author, except by a reviewer who may quote brief passages in a review. © Brie Brothers, text © Brie Brothers, cover design © Brie Brothers, illustrations ISBN 978-5-9965-0068-0 Printed in the...»

«САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ Е. Б. Малашичев СТРОЕНИЕ И РАЗВИТИЕ КРЕСТЦОВО-ТАЗОВОГО КОМПЛЕКСА АМНИОТ Под ред. д-ра биол. наук В. Г. Борхвардта ИЗДАТЕЛЬСТВО С.-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА 2006 ББК 28.66 М18 Р е ц е н з е н т ы: д-р биол. наук, проф. А. К. Дондуа (С.-Петерб. гос. ун-т), д-р биол. наук, проф. Ф. Я. Дзержинский (Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова) Печатается по постановлению Редакционно-издательского совета биолого-почвенного факультета С.-Петербургского...»

«TIRASPOL STATE UNIVERSITY By way of manuscript CZU 515.14:515.1(043.3) Liubomir CHIRIAC TOPOLOGICAL ALGEBRAIC SYSTEMS AND ITS APPLICATIONS 01.01.04 – Geometry and topology Doctor Habilitat Thesis in Physical Mathematical Sciences Scientic consultant: Mitrofan CIOBAN Doctor Habilitat in Physical Mathematical Sciences, Professor, Academician Author: Liubomir CHIRIAC CHISINAU, 2011 UNIVERSITATEA DE STAT TIRASPOL Cu titlu de manuscris CZU 515.14:515.1(043.3) Liubomir CHIRIAC SISTEME...»

«1 15 сентября 2006 г. № 39 Кашинская газета ГАЗЕТА ОСНОВАНА в марте 1918 года Еженедельник 15 сентября 2006 г. № 39 (11.594) Цена свободная Общественно-массовое издание Кашинского района Тверской области Люди кашинского края Работникам и ветеранам лесного хозяйства Кашинского района Уважаемые товарищи! Примите от имени Собрания депутатов и администрации Кашинского района самые искренние и сердечные поздравления с вашим профессиональным праздником - Днем работников леса. Дело, с которым вы...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ Башантинский аграрный колледж им. Ф. Г. Попова (филиал) ГОУ ВПО КАЛМЫЦКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РАБОЧАЯ ПРОГРАММА ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО МОДУЛЯ Проведение ветеринарно-просветительской деятельности 2011 г. 1 Рабочая программа профессионального модуля разработана на основе Федерального государственного образовательного стандарта по специальностям среднего профессионального образования (далее – СПО) 111801 Ветеринария Организация-разработчик:...»

«Роберт Рэнкин Чисвикские ведьмы Распознавание и вычитка – Георгий http://www.litres.ru/pages/biblio_book/?art=156498 Чисвикские ведьмы: АСТ, Транзиткнига ; М.; 2006 ISBN 5-17-028525-6, 5-9713-1311-8, 5-9578-1676-0 Оригинал: RobertRankin, “The Witches of Chiswick”, 2003 Перевод: Галина Сергеевна Усова Аннотация Электронные часы на руке джентльмена с викторианского портрета?! Подделка? Но кто станет подделывать такую вопиющую чушь?! Скромный служащий галереи Тейт середины ХХШ в., заметивший эту,...»

«Министерство общего и профессионального образования Российской Федерации РОССИЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ГИДРОМЕТЕОРОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ АКАДЕМИЯ ВОДОХОЗЯЙСТВЕННЫХ НАУК Н.Б. Барышников, Е.А. Самусева АНТРОПОГЕННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ НА САМОРЕГУЛИРУЮЩУЮСЯ СИСТЕМУ БАССЕЙН - РЕЧНОЙ ПОТОК-РУСЛО РГГМУ Санкт-Петербург 1999 УДК 556.537 Барышников Н.Б., Самусева Е.А. Антропогенное воздействие на саморегулирующуюся систему бассейн - речной поток - русло. - СПб: Изд. РГГМУ, 1999. - 220 с. Рассмотрена...»

«ЛИТЕРАТУРНО-ЭЗОТЕРИЧЕСКИЙ АЛЬМАНАХ ОРДЕНА БЕЛОЙ ОБЕЗЬЯНЫ И КЛУБА 93 IN 39 (ЦИТАДЕЛЬ ХАОСА) АПОКРИФ Выпуск 22. Скрижали Маклу. Эго и Я. Начало переоформления серии приурочено к дню рождения Алистера Кроули. Оглавление Таблички Маклу 3 От переводчика 3 Табличка I 6 Табличка II 11 Табличка II 17 Табличка IV 22 Табличка V Табличка VI Табличка VII Табличка VIII Карачи. Эго и Я Апокриф • 93 in 39: Цитадель Хаоса. 16-31 марта 2010. 236000 Калининград • ул. Нарвская 17, 11;...»

«СОДЕРЖАНИЕ Стр. ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ 1. 3 1.1 Нормативные документы для разработки ООП по направле- 4 нию подготовки 1.2 Общая характеристика ООП 5 1.3 Миссия, цели задачи ООП ВПО 6 1.4 Требования к абитуриенту 7 ХАРАКТЕРИСТИКА ПРОФЕССИОНАЛЬНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ВЫПУСКНИКА ПО НАПРАВЛЕНИЮ ПОДГОТОВКИ 2.1. Область профессиональной деятельности выпускника 8 2.2. Объекты профессиональной деятельности выпускника 2.3. Виды профессиональной деятельности выпускника 2.4. Задачи профессиональной деятельности...»

«Сердце (сокровенная суть) распространения книг (Опыт впечатляет ярче фантазии Реальный опыт превосходит фантазии) Диалектический синтез взаимосвязанного развития внутреннего и внешнего принципов чистой преданности (вн и вн аспектов деятельности в чистой преданности) АИНДРА дас Посвящение Это исследование посвящается моему возлюбленному духовному учителю, Нитья-лила-правишта Ом Вишнупада Парамахамса 108 Шри Шримад Бхактиведанта Свами Махараджу Прабхупаде, и всем ачарьям Гаудия-вайшнавизма в...»

«ЕЖЕКВАРТАЛЬНЫЙ ОТЧЕТ Открытое акционерное общество Нефтяная компания Роснефть Код эмитента: 0 0 1 2 2 - А за I квартал 2008 года Место нахождения эмитента: Российская Федерация, 115035, г. Москва, Софийская набережная, 26/1. Информация, содержащаяся в настоящем ежеквартальном отчете, подлежит раскрытию в соответствии с законодательством Российской Федерации о ценных бумагах Президент открытого акционерного общества Нефтяная компания Роснефть С.М.Богданчиков мая 2008 года Главный бухгалтер...»

«л i л.^.' ^H ^.л H. булича. л о ^ ' г • ' i t г*, г. Ii ддд л^ 141550 г. КАЗАНСКИЯ ГИМНАЗИИ въ хт111 столетии. аа РТЕМЬЕВА. д.-'' С.-ПЕТЕРБУРГЪ. с. Типография В. Садовая ул., д. № 4 9 - 2 ). БАЛАШЕВА (;БОЛЬШ. 1в74. ^^ w \ • ; if ! VД ; * 1 Л' '/•i •; • 1 ' Д ^ i. казАНСКИЯ столетии. ГИМНАЗИИ ВЪ Х У Ш Назадъ тому более двадцати л е т ъ, служа при библиотеке Импераиторского Казанского университета и занимаясь собиранИемъ свйденИй объ ея исторИи и описанИемъ ея рукописей '), я решился...»

«Ветхий Завет Ветхий Завет o Первая книга Моисеева. БЫТИЕ Глава 1 Глава 2 Глава 3 Глава 4 Глава 5 Глава 6 Глава 7 Глава 8 Глава 9 Глава 10 Глава 11 Глава 12 Глава 13 Глава 14 Глава 15 Глава 16 Глава 17 Глава 18 Глава 19 Глава 20 Глава 21 Глава 22 Глава 23 Глава 24 Глава 25 Глава 26 Глава 27 Глава 28 Глава 29 Глава 30 Глава 31 Глава 32 Глава 33 Глава 34 Глава 35 Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Глава Вторая Книга Моисеева. o Глава o Глава o Глава...»





Загрузка...



 
© 2014 www.kniga.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, пособия, учебники, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.