WWW.KNIGA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, пособия, учебники, издания, публикации

 

Pages:   || 2 | 3 |

«ISSN 2079-3944 ВЕСТНИК НАЦИОНАЛЬНОГО ТЕХНИЧЕСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ХПИ Сборник научных трудов Тематический выпуск 16 ‘2010 Проблемы совершенствования электрических машин и ...»

-- [ Страница 1 ] --

ISSN 2079-3944

ВЕСТНИК

НАЦИОНАЛЬНОГО ТЕХНИЧЕСКОГО

УНИВЕРСИТЕТА "ХПИ"

Сборник научных трудов

Тематический выпуск

16 ‘2010

"Проблемы совершенствования

электрических машин и аппаратов"

Издание основано Национальным техническим университетом "Харьковский политехнический институт" в 2001 году Государственное издание Свидетельство Госкомитета по информационной политике Украины КВ № 5256 от 2 июля 2001 года

КООРДИНАЦИОННЫЙ СОВЕТ: РЕДАКЦИОННАЯ КОЛЛЕГИЯ:

Председатель Ответственный редактор:

Л.Л. Товажнянский, д-р техн. наук, проф. В.С. Лупиков, д-р техн. наук, проф.

Секретарь координационного совета Ответственный секретарь:

К.А. Горбунов, канд. техн. наук, доц. А.Г. Середа, канд. техн. наук, доц.

А.П. Марченко, д-р техн. наук, проф. В.Ф. Болюх, д-р техн. наук, проф.

Е.И. Сокол, д-р техн. наук, проф. В.Г. Данько, д-р техн. наук, проф.

Е.Е. Александров, д-р техн. наук, проф. В.Б. Клепиков, д-р техн. наук, проф.

Л.М. Бесов, д-р техн. наук, проф. Б.В. Клименко, д-р техн. наук, проф.

Б.Т. Бойко, д-р техн. наук, проф. В.И. Кравченко, д-р техн. наук, проф.

Ф.Ф. Гладкий, д-р техн. наук, проф. В.И. Милых, д-р техн. наук, проф.

М.Д. Годлевский, д-р техн. наук, проф.

В.П. Себко, д-р техн. наук, проф.

А.И. Грабченко, д-р техн. наук, проф.

Е.И. Сокол, д-р техн. наук, проф.

В.Г. Данько, д-р техн. наук, проф.

В.Д. Дмитриенко, д-р техн. наук, проф.

И.Ф. Домнин, д-р техн. наук, проф.

В.В. Епифанов, канд. техн. наук, проф.

Ю.И.Зайцев, канд. техн. наук, проф.

О.П. Качанов, д-р техн. наук, проф.

В.Б. Клепиков, д-р техн. наук, проф.

С.И. Кондрашов, д-р техн. наук, проф.

В.М. Кошельник, д-р техн. наук, проф.

В.И. Кравченко, д-р техн. наук, проф.

Г.В. Лисачук, д-р техн. наук, проф.

В.С. Лупиков, д-р техн. наук, проф.

О.К. Морачковский, д-р техн. наук, проф.

В.И. Николаенко, канд. іст. наук, проф.

Адрес редколлегии: 61002, П.Г. Перерва, д-р техн. наук, проф.

В.А. Пуляев, д-р техн. наук, проф. Харьков, ул. Фрунзе, 21. НТУ М.И. Рыщенко, д-р техн. наук, проф.

В.Б. Самородов, д-р техн. наук, проф. "ХПИ".

Г.М. Сучков, д-р техн. наук, проф. Каф. ЭА. Тел. (057) 707-68- Ю.В. Тимофеев, д-р техн. наук, проф.

Н.А. Ткачук, д-р техн. наук, проф.

Харьков Вісник Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". Збірник наукових праць. Тематичний випуск: Проблеми удосконалення електричних машин і апаратів. Теорія і практика. – Харків: НТУ "ХПІ". – 2010. – № 16. – 169 с.

Випуск присвячений 125-річчю Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут" і приурочений до Міжнародного симпозіуму "Проблеми удосконалення електричних машин і апаратів. Теорія і практика" (SIEMA’2010), 27 – 29 жовтня 2010 року, Харків, НТУ "ХПІ". В збірнику висвітлюються проблеми удосконалення електричних машин і апаратів, досягнення вчених, вузів і підприємств України та інших країн, які прийняли участь у симпозіумі.

Для наукових співробітників, викладачів, аспірантів, спеціалістів.

Выпуск посвящен 125-летию Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" и приурочен к Международному симпозиуму "Проблемы совершенствования электрических машин и аппаратов. Теория и практика" (SIEMA'2010), 27 – 29 октября 2010 года, Харьков, НТУ "ХПИ". В сборнике освещаются проблемы совершенствования электрических машин и аппаратов, достижения ученых, вузов и предприятий Украины и других стран, которые приняли участие в симпозиуме.

Для научных сотрудников, преподавателей, аспирантов, специалистов.

Рекомендовано до друку Вченою радою НТУ "ХПІ";

Протокол № 3 від 06.04. © Національний технічний університет "ХПІ", УДК 621. С.В. АДАМОВА, инженер, ТГАТУ, Мелитополь Н.Г. КОСУЛИНА, д-р техн. наук, проф. ХНТУСГ им. П. Василенко, Харьков

ПРИМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКОЙ ПЕРЕДВИЖНОЙ

УСТАНОВКИ КЭФУ-01 ДЛЯ УНИЧТОЖЕНИЯ НОЧНЫХ

НАСЕКОМЫХ-ВРЕДИТЕЛЕЙ В САДАХ

Приведені результати використання електрофізичної пересувної установки КЕФУ-01 для знищення нічних комах-шкідників в садах з високовольтними імпульсними пристроями.

Приведены результаты применения электрофизической передвижной установки КЭФУ-01 для уничтожения ночных насекомых-вредителей в садах с высоковольтными импульсными устройствами.

Введение. В настоящее время в садах Украины для уничтожения вредных насекомых применяют только химические препараты. Современные химические средства позволяют успешно защитить плодовые культуры от комплекса вредных насекомых. Повреждаемость плодов при их применении составляет 0,2…0,3%. Однако химический метод при широком его применении имеет и ряд недостатков: вызывает обеднение биоценоза в результате массового уничтожения почти всего комплекса паразитирующих и хищных насекомых, загрязнение биосферы, появление устойчивых к пестицидам вредителей, в некоторых случаях приводит к повышению плодовитости отдельных насекомых и клещей и др. При нарушении правил использования пестицидов в плодово-ягодных продуктах накапливаются остаточные количества химических препаратов, превышающие допустимые нормы.





Научные исследования последних лет показывают, что альтернативой химическому методу может быть электрофизический.

Цель, задачи исследований. Показать достоинства применения электрофизической передвижной установки КЭФУ-01 для уничтожения ночных насекомых-вредителей в садах с поражающими высоковольтными импульсными устройствами.

Экспериментальные исследования. Экспериментальная проверка разработанной установки КЭФУ-01 осуществлялась на основе непосредственно влияния существенной разницы в количествах привлеченных и пойманных насекомых-вредителей с разными поражающими устройствами: аэродинамическим и электрофизическим, с работой ламп-аттрактантов ЛЭ-15 на переменном и постоянном токе.

Объектами такой экспериментальной проверки нами выбраны насекомые-вредители в яблоневых насаждениях, в частности, имаго яблонной плодожорки (с. Pamonella). В опытном химически обрабатывавшемся массиве около 8% яблок урожая предыдущего 2007 года были повреждены гусеницами яблонной плодожорки, что дает основания считать, что в этом саду во время проведения опытов налицо сравнительно повышенная плотность этого вредителя.

Предполагая, что распределение имаго яблонной плодожорки по всей площади статистически равномерно, перед каждым опытом во внутренней зоне сада выбирались два участка площадью по 0,3 га каждый. Выбор этих участков проводился так, чтобы они отстояли друг от друга на расстоянии не менее 150 метров. Продолжительность опыта на каждом участке составляла 30 мин. Сетки, в которых собирались пойманные насекомые, снимались.

Насекомые, пойманные аэродинамическим узлом, умертвлялись и помещались в предварительно пронумерованные банки для последующего детального количественного и качественного анализа. Эксперимент проводился с двумя идентичными установками, которые располагались на выбранных участках сада.

Результаты эксперимента приведены в табл. 1 и 2.

Чтобы установить, являются ли полученные различия в количестве пойманных насекомых случайными или они достоверны был применен аппарат математической статистики.

Эксперимент проводился в южном районе Украины (Запорожская область, Мелитопольский район) в опытном высокостебельном саду, состоящем из яблоневых насаждений общей площадью в 3 га. В непосредственной близости с опытным садом был выделен эталонный участок, с аналогичными насаждениями и общей площадью 3 га, в котором проводился весь комплекс агрохимических мероприятий по назначению местной службы прогноза и сигнализации появления и движения насекомых-вредителей сельхозкультур. Было проведено 5 опрыскиваний против яблонной плодожорки, 3 против листных клещей и 3 против минирующей моли. В качестве контроля выделены единичные яблоневые деревья, к которым не применялось никаких растительно-защитных мероприятий. Опыты проводились с 20-го мая по 31е августа 2008 года, через каждые 5 7 дней, а в период усиленного лета основного вредителя – через 3 дня.

По окончанию лета яблонная плодожорка и после уборки урожая, были составлены соответствующие протоколы, в которых дана констатация по следующим основным показателям:

– степень повреждаемости плодов яблонной плодожорки;

– наличие и последствия деятельности минирующей моли;

– плотность полезной энтомонофактуры;

– общее состояние сада;

– средний урожай опытного и эталонного участков;

Таблица 1 – Число пойманных насекомых яблонной плодожорки с питанием источников-аттрактантов переменным током Аэродинамический узел Электрофизический узел Таблица 2 – Число пойманных насекомых яблонной плодожорки с питанием источников аттрактантов с постоянным током Аэродинамический узел Электрофизический узел – сэкономленные средства с единицы площади за счет непроверенных опрыскиваний ядохимикатами и др.

При уборке урожая в обоих сравниваемых садах, случайным образом выделены отдельные экземпляры яблок в количестве 15 20 кг для проведения анализов остаточных количеств ядохимикатов и их метаболитов агародифузионным способом с ингибированием холистерозной активности на газовом хроматографе.

В 2008 году после двенадцати кратного применения электрофизической установки для уничтожения ночных летающих насекомыхвредителей на опытном участке сада были получены следующие результаты повреждаемости плодов яблонной плодожоркой (табл. 3).

На эталонном участке применялись только химические препараты.

Сравнение степени повреждаемости продукции опытного и контрольного участков указывает на существенный эффект данного способа борьбы с насекомыми-вредителями. Тем не менее, он уступает химическому способу.

Таблица 3 – Повреждаемость яблок яблонной плодожоркой в опыте 2008 года В табл. 4 приведены результаты повреждаемости яблок яблонной плодожоркой в опыте 2009 г.

Результаты опыта 2009 г. показывают, что повреждаемость яблок яблонной плодожоркой на опытном и эталонном участках отличается на 0,2…0,3%. Этот факт можно объяснить тем, что в 2009 г. численность насекомых-вредителей была снижена за счет мероприятий 2008 г.

Таблица 4 – Повреждаемость яблок яблонной плодожоркой в опыте 2009 года Определение остаточного количества химических препаратов в яблоках были проведены в лаборатории НИИ. Уменьшение остаточных количеств ядохимикатов и их метаболитов в яблоках можно классифицировать как одно из наиболее существенных преимуществ электрофизического способа борьбы с насекомыми-вредителями.

В табл. 5 приведены зарегистрированные остаточные количества препаратов (согласно методике) в продукции опытного и эталонного участков, после проведения экспериментов в 2006 году.

Кроме указанных в табл. 5 остаточных количеств химических препаратов, анализом установлено присутствие препаратов Золоя 30, Гелекрон 50 и др., точное количественное определение которых затруднено загрязнением фунгицидами.

Таблица 5 – Остаточное количество химических препаратов в яблоках урожая Таблица 6 – Остаточное количество пестицидов в яблоках урожая Анализ результатов табл. 6 показывает, что в опытных вариантах ядохимикаты вообще отсутствуют.

Имея в виду регламентированные допустимые количества ядохимикатов действующими в Украине нормативами, весьма настораживает установленное их содержание в эталонной продукции (табл. 5 и 6).

Результаты проведенных аналогичных анализов яблок 2009 года приведены в табл. 7.

Таблица 7 – Остаточное количество ядохимикатов в яблоках урожая 2009 года Участки Установленные Остаточные количества, мг/кг Из табл. 7 следует, что накопление остаточных количеств химических препаратов наиболее интенсивно в коре фруктов.

Вывод. Проведенные производственные испытания электрофизических импульсных установок показали, что их применение для борьбы с ночными летающими насекомыми-вредителями плодовых культур позволят:

– улучшить внешний вид садов;

– увеличить сахарное и витаминное содержание на 24…25%;

– повысить средний урожай с гектара на 15…20%;

– увеличить количество полезных насекомых до 50%.

Адамова Светлана Викторовна, ассистент ТГАТА (г.

Мелитополь). Научные интересы связаны с использование технических наук. Защитила диплом инженера в ХИПИ, дисертацию на соискание ученой степени кандидата технических наук в ТГАТА (г. Мелитополь), дисертацию на соискание доктора технических наук в ХНТУСХ (г. Харьков).

использование электромагнитных технологий в АПК.

УДК 621.3. И.С. ВАРШАМОВА, м.н.с., НТУ "ХПИ", Харьков В.С. ЛУПИКОВ, д-р техн. наук, проф., НТУ "ХПИ", Харьков О.А. ГЕЛЯРОВСКАЯ, ст. преподаватель, НТУ "ХПИ", Харьков Ю.Д. РУДАС, с.н.с., канд. техн. наук, НТЦ МТО НАН Украины,

ОЦЕНКА ИЗМЕНЕНИЯ СОПРОТИВЛЕНИЯ

КАТУШКИ ЭЛЕКТРОМАГНИТА КОМПЕНСАТОРА

ПРИ ДЛИТЕЛЬНОМ НАГРЕВЕ

Наведені дані експериментальних досліджень електромагнітів компенсаторів з феромагнітними осердями і без них. Отримана оцінка зміни опору котушки залежно від часу нагріву. Запропоновані рекомендації по корекції струмів котушки електромагнітів компенсаторів використовуваних як виконавчі елементи параметричних систем автоматичній компенсації зовнішнього магнітного поля.

Приведены данные экспериментальных исследований электромагнитов компенсаторов с ферромагнитными сердечниками и без них. Получена оценка изменения сопротивления катушки в зависимости от времени нагрева. Предложены рекомендации по коррекции токов катушки электромагнитов компенсаторов используемых в качестве исполнительных элементов параметрических систем автоматической компенсации внешнего магнитного поля.

Введение. Анализ уровней внешнего магнитного поля низковольтных распределительных устройств показывает, что для решения проблем электромагнитной совместимости и магнитной экологии необходимо уменьшение уровня поля примерно в 1000 раз [1, 2]. В этой связи ужесточаются и требования к электромагнитам компенсаторам (ЭК) магнитного поля по точности воспроизводимого компенсирующего магнитного поля. Электромагниты компенсаторы являются исполнительными элементами параметрических систем автоматической компенсации и их токи формируются как линейные комбинации токов силовой цепи распределительного устройства. Традиционные методы проектирования ЭК [3-6] на основе заданной величины магнитного поля ограничены инженерной погрешностью (1-5 %), что не позволяет в принципе получить эффективность компенсации более 100 единиц. Кроме того, при этом не учитывается нагрев электромагнита компенсатора в процессе длительной работы в составе распределительного устройства. Качественный анализ показывает, что независимо от способа питания ЭК (от источника тока либо источника напряжения [3]) его сопротивление меняется в процессе нагрева собственным током. В этой связи актуальной становится задача анализа зависимости сопротивления катушки в процессе нагрева и разработка рекомендаций по коррекции токов катушки электромагнитов компенсаторов.

Цель работы – экспериментальные исследования нагрева электромагнита компенсатора собственным током.

Задачи – определение зависимости величины электрического тока от времени в процессе нагрева электромагнита компенсатора собственным током и оценка разброса сопротивления катушки.

Описание физических макетов. Для экспериментальных исследований было изготовлено три физических макета ЭК: вариант 1 – круглая цилиндрическая катушка без ферромагнитного сердечника (ФС); вариант 2 – катушка со сплошным ФС; вариант 3 – катушка с шихтованным ФС.

Внешний вид катушек показан на рис. 1: а – катушка без сердечника, б – катушка с ФС, в – катушка с сердечником из шихтованной электротехнической стали. Параметры катушки: U – напряжение, I – ток, t – время, R – сопротивление катушки, l – длина катушки, d – наружный диаметр катушки, w – число витков; dк – длина наружной стороны сечения квадратной катушки; I – максимальная разность величин токов в начале и конце нагрева, относительно тока в начале процесса; параметры ФС: lс – длина сердечника, dс – диаметр сердечника. Ферромагнитный сердечник выполнялся сплошным либо шихтованным, квадратного сечения, материал сердечника – электротехническая сталь 330.

Методика экспериментальных исследований. Катушка располагалась горизонтально, на нее подавалось переменное напряжение, амплитуда которого поддерживалась постоянной, и проводились замеры тока катушки через интервалы времени в 15 мин. В месте расположения физического макета катушки отсутствовали внешние источники тепла. Измерения тока проводились миллиамперметром класса 0,1.

Для катушек, в которых предусматривалась установка ФС, измерения проводились как при наличии, так и отсутствии сердечника. Температура катушек перед началом измерений контролировалась и была равной температуре окружающей среды.

Результаты измерений тока катушки ЭК в процессе нагрева приведены в табл. 1-3.

Таблица 1 – Измеренные величины тока в процессе нагрева катушки ЭК.

Таблица 2 – Измеренные величины тока в процессе нагрева катушки ЭК.

(R = 30 Ом, l = 0,25 м, d = 0,03 м, w = 500; lс = 0,28 м, dс = 0,03 м).

Для рассмотренных вариантов ЭК построены графики зависимостей I(t). Зависимость I(t) для ЭК варианта 1, табл. 1 представлена на рис. 2. Для ЭК варианта 2 без ФС и с ФС на рис. 3 и 4 построены графики по данным измерений табл. 2. По данным табл. 3 для ЭК варианта 3 построены два графика: зависимость I(t) для ЭК без ФС – на рис.

5, для ЭК с коротким ФС – на рис. 6.

Таблица 3 – Измеренные величины тока в процессе нагрева катушки ЭК.

Как видно из данных табл. 3, для ЭК с шихтованным и длинным ФС данные измерений практически не менялись, поэтому для этих вариантов графики не строились.

24, 24, 23, 23, 23, 23, 23, Обсуждение результатов эксперимента. Как показывает анализ экспериментальных данных, при использовании катушек без ФС отклонение тока от начальной величины колеблется довольно в широких пределах, от 2,8 (вариант 2) до 9 % (вариант 1). Выбранные временные диапазоны исследования процесса нагрева достаточно велики, примерно до 4 часов, однако для ЭК варианта 1 не достигнут установившийся процесс нагрева.

Для ЭК с ФС процесс нагрева влияет на величину тока существенно меньше, чем при отсутствии ФС. Это объясняется тем, что ФС выполняет роль радиатора, дополнительно охлаждающего катушку. С увеличением длины сердечника возрастает отводимое тепло от катушки и за счет этого ток в катушке практически не меняется и не зависит от процесса нагрева.

Максимальная разность величин токов в начале и конце нагрева, относительно тока в начале процесса для пяти из семи вариантов ЭК составляет величину более 1%. Следовательно, при стендовой настройке ЭК в составе САК даже при высокой точности настройки (в пределах 1%) не может обеспечить эффективность компенсации внешнего магнитного поля на уровне 100 единиц из-за того, что при длительной работе ЭК из-за нагрева его катушки будет наблюдаться отклонение тока от настроенной величины. Это снижение эффективности зависит как от длительности нагрева собственным током, так и от наличия ФС, его длины и выполнения (шихтованный либо сплошной). Для исследуемых ЭК при условии их настройки с погрешностью 1% эффективность может снизиться со 100 до 11 единиц.

Анализ графиков процессов нагрева показывает, что они отличаются от теоретических зависимостей в виде экспонент. Это можно объяснить неточностью ручной стабилизации напряжения питания катушки ЭК.

1. Проведенные экспериментальные исследования показали, что из-за нагрева катушки электромагнита компенсатора собственным током эффективность компенсации внешнего магнитного поля с помощью параметрической системы автоматической компенсации будет падать при условии ее длительной работы в составе низковольтных распределительных устройств. Условия нагрева катушки ЭК собственным током необходимо учитывать при оценке реальной эффективности системы автоматической компенсации, а также при его проектировании.

2. С точки зрения стабильности характеристик электромагнита компенсатора предпочтительным является вариант его выполнения с ферромагнитным шихтованным сердечником.

3. При экспериментальном определении величины эффективности электромагнита компенсатора необходимо учитывать снижение тока его катушки от начала процесса нагрева до установившегося значения.

Список литературы: 1. Розов В.Ю. Системы автоматической компенсации внешнего магнитного поля энергонасыщенных объектов: Автореф. дис.

…доктора техн. наук / Институт электродинамики НАН Украины. – К., 2002. – 37 с. 2. Salinas E. Mitigation of Power-Frequency Magnetic Fields with Applications to Substation and Other Parts of the Electric Network / E. Salinas // Department of Electric Power engineering, Chalmers University of Technology. – Gothenburg. – 2001. – 149 p. 3. Коваленко А.П. Магнитные системы управления космическими летательными аппаратами. – М.: Машиностроение, 1975. – с. 4. Kildishev A., Volokhov S.A., Erisov A.V. A local shipboard telectromagnetic compensator // MARELEC'99Коваленко. 2nd International conference on marine electromagnetics. Ensieta, Brest, France, 5-7 July1999. – P. 453-458. 5. Розов В.Ю., Волохов С.А., Ерисов А.В. Электромагнитный компенсатор магнитных полей технических объектов // Вісник Національного технічного університету "Харківький політехнічний інститут". – Харків: НТУ "ХПІ". – 2001. – №15. – C.

191-197. 6. Пелевин Д.Е. Оптимизация параметров электромагнитов управления магнитным полем // Вісник Національного технічного університету "Харківький політехнічний інститут". – Харків: НТУ "ХПІ". – 2006. – №3. – C. 31Варшамова Ирина Сергеевна, м.н.с. кафедры электрических аппаратов НТУ "ХПИ". Защитила диплом магистра в 2006 г. с отличием.

Научные интересы связаны с магнетизмом технических объектов, физическими полями электрических аппаратов.

Лупиков Валерий Сергеевич, профессор, доктор технических наук.

Защитил диплом инженера, диссертации кандидата и доктора технических наук в Харьковском политехническом институте по специальности электрические машины и аппараты, соответственно в 1973, 1987 и 2004 гг. С 1973 по 1998 гг работал в области магнетизма технических объектов. Заведующий кафедрой "Электрические аппараты" Национального технического университета "Харьковский политехнический институт" с 2005 г.

Научные интересы связаны с проблемами электромагнитной совместимости технических средств, магнетизмом технических объектов, магнитной левитацией, физическими полями электрических аппаратов.

Геляровская Оксана Анатольевна, старший преподаватель кафедры компьютерной математики и математического моделирования НТУ "ХПИ". Защитила диплом специалиста в НТУ "ХПИ". Научные интересы связаны с математическим моделированием и магнетизмом технических объектов.

Рудас Юрий Данилович, канд. техн. наук, старший научный сотрудник Научно-технического центра магнетизма технических объектов НАН Украины, Харьков. Окончил Харьковский государственный университет им. М. Горького в 1972 г. по специальности радиофизика.

Научные интересы связаны с проблемами магнетизма технических объектов и магнитной экологии.

УДК 677.027.162.537. В.И. ВОДОТОВКА, д-р техн. наук, проф., Национальный университет технологий и дизайна, Киев И.А. САСИМОВА, канд. техн. наук, ст. преподаватель, Колледж перерабатывающей и пищевой промышленности ХНТУСХ им.

П. Василенко

ОСОБЕННОСТИ СУШКИ ШЕРСТИ СВЧ ИЗЛУЧЕНИЕМ

Процес сушки вовни в значній мірі залежить від діелектричної постійної вовни, зв’язаної та рухомої води, а також від градієнту тиску всередині шару вовни. Приведені переваги сушіння шерсті електромагнітним хвилями надвисокої частоти.

Процесс сушки шерсти в значительной степени зависит от диэлектрической постоянной шерсти, связанной и подвижной воды, а также от градиента давления внутри слоя шерсти. Приведены преимущества сушки шерсти электромагнитными волнами сверхвысокой частоты.

Вступление. Основным способом сушки шерсти является конвективный способ с помощью потоков горячего воздуха. Недостатками такого способа сушки является ухудшение качества шерсти: пожелтение, потеря упругости и прочности. Сушильные машины с конвективным способом сушки имеют существенные недостатки: большая длительность процесса сушки, значительный расход энергии, большая металлоемкость и габариты. Использование электромагнитных излучений СВЧ диапазона позволит устранить все эти недостатки.

Цель, задание исследования. Определение особенностей СВЧ сушки шерсти и ее преимуществ.

Метод сушки. Шерсть после мойки в барках и отжима на валковых устройствах имеет влажность около 60% [1], а для хранения ее влажность не должна превышать 19%.

Метод сушки с использованием сверхвысоких частот (СВЧ) основан на воздействии на материал интенсивного электромагнитного поля. Под действием СВЧ поля молекулы воды (диполи) начинают совершать колебательные и вращательные движения, ориентируясь с частотой поля по его электрическим линиям. Движение молекул превращается в тепловую энергию. Чем больше воды в объеме волокнистого материала, чем больше молекул участвует в этом движении, тем больше тепловой энергии выделяется. Таким образом, разогрев происходит во всем объеме шерсти, причем более влажные участки получают больше энергии. За счет этого происходит удаление влаги, сушка шерси и, одновременно, выравнивание влажности во всем объеме. Энергия СВЧ электрических полей в основном расходуется на создание условий, интенсифицирующих перенос влаги из глубинных слоев к поверхностям.

Модель система шерсть-вода. На основе теории мультимолекулярной адсорбции система шерсть-вода представляется состоящей из трех компонентов: шерсть, связанная вода и подвижная вода [2]. Соответственно, диэлектрическая постоянная связанной воды остается неизменной в широком диапазоне частот и равна диэлектрической постоянной объемной воды.

Диэлектрические свойства материалов описываются комплексной диэлектрической проницаемостью [3] где – диэлектрическая постоянная;

– диэлектрические потери.

Действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости характеризует способность диэлектрика накапливать энергию, а мнимая характеризует способность диэлектрика рассеивать энергию в веществе.

где хi – грамм-молекула компоненты вещества, индекс k относится к шерсти, l – связанной воде, m – подвижной воде.

Экспериментальные исследования показали, что диэлектрические потери влажной шерсти определяются диэлектрическими потерями обычной воды на высоких частотах и в диапазоне температуры от до95 С величина не имеет значительной зависимости от влажности и ее значение от 6 до 8 единиц при влажности 30%, а значение величины находится в пределах от 0,6 до 1,5 [4].

Количество тепла, выделяемое при СВЧ-нагреве в единице объема материала, рассчитывается по закону Джоуля-Ленца [5] где – действительная часть комплексной диэлектрической проницаемости материала;

– угол диэлектрических потерь;

f – частота электромагнитного поля, Гц;

Е – напряженность электрического поля, В/м.

Таким образом, нагрев диэлектрических материалов в ЭМП СВЧ определяется как диэлектрическими свойствами материала и tg, так и параметрами электромагнитного поля – напряженностью Е и частотой f.

Под действием электрических полей СВЧ в волокнистом материале возникает сложное взаимодействие между полями температуры, влагосодержания и давления, влияющие на массоперенос и выделение тепла. Общее уравнение, характеризующее закон перемещения влаги в материале в процессе высокочастотной сушки, имеет вид [6] где u, t, p – соответственно градиенты влагосодержания, температуры и давления;

am – коэффициент диффузии влаги, м2/с;

0 – плотность сухого материала, кг/м3;

kp – коэффициент фильтрации.

При интенсивном подводе тепла происходит бурное испарение влаги, вызывающее рост давления внутри слоя волокнистого материала, подвергающегося сушке. Возникающий при этом градиент давления способствует образованию мощного потока влаги, направленного к поверхностным слоям. Влияние градиентов u и t в этом случае будет незначительным по сравнению с влагопереносом, который определяется градиентом давления p.

Поглощение электромагнитной энергии влажной шерстью приводит к повышению ее температуры и возникновению избыточного давления пара, приводящего к конвективному массопереносу. Фильтрационный поток определяется по формуле Дарси [7] где V – скорость фильтрации парожидкостной среды, м/с;

– плотность парожидкостной среды, кг/м3;

kс – коэффициент фильтрации парожидкостной среды, кг/(м·с·Па);

– градиент давления в слое шерсти, Па/м.

Поскольку из-за особенностей шерсти процесс ее сушки должен вестись при температуре не выше 80С, то скорость фильтрации парожидкостной среды можно считать постоянной. Так как удаление влаги из слоя шерсти при СВЧ сушке происходит вследствие конвективного переноса парожидкостной среды к верхней поверхности слоя шерсти и с дальнейшим удалением ее из сушильной камеры, то естественно, что температура на ее верхней поверхности ниже, чем в средине объема.

Следовательно, перенос тепла происходит из глубины объема слоя шерсти вдоль вертикальной оси z.

Обсуждение результатов. Анализ результатов расчетов зависимости температуры влажной шерсти объемом 1м3 с пористостью 0, среды м объема СВЧ сушке мощностью 5кВт в сушильной камере, от длительности воздействия и глубины образца показал, что в начальный момент сушки температура влажной шерсти на верхней границе объема шерсти подымается до 80С, а в процессе сушки длительностью 3 минуты температура плавно снижается до 60С как на верхней, так и на нижней границе объема [8]. Неравномерность распределения температуры в объеме влажной шерсти возникает вследствие интенсивного процесса парообразования и испарения. Так как верхняя граница объема шерсти совпадала с крышкой сушильной камеры, то выделившийся пар препятствовал уменьшению температуры на верхней границе. Необходимым условием СВЧ сушки является интенсивное удаление выделившегося пара.

Процесс сушки заканчивается после удаления влаги и температура шерсти по всему объему становится практически одинаковой. При СВЧ излучении мощностью 5мВт/см3 сушка шерсти заканчивается к 150 секунде, а при мощности излучения 15мВт/см3 – сушка шерсти заканчивается к 75 секунде [8]. Таким образом существенную экономию электроэнергии и затрат на СВЧ аппаратуру можно получить увеличением времени технологического процесса сушки.

Перечисленные факторы обуславливают некоторые исключительные преимущества СВЧ-сушки по сравнению с традиционной сушкой:

высокий КПД преобразования СВЧ-энергии в тепловую;

безинерционный нагрев объема шерсти "изнутри" с исключительно высокой интенсивностью (температура и скорость СВЧ-нагрева регулируются напряженностью Е и частотой f ЭМП);

бесконтактный экологически чистый подвод энергии;

равномерный нагрев по всему объему шерсти и его избирательность в случае неравенства диэлектрических свойств (параметров и tg).

быстрое включение и выключение нагрева;

высокий темп нагрева (до нескольких десятков °C/с, тогда как при обычном нагреве скорость нагрева до 10°C/мин), при этом градиент температуры в волокнах шерсти существенно меньше, благодаря чему снижаются внутренние напряжения в волокнах, что позволяет избежать появления микротрещин, а соответственно и ломкости волокон;

саморегулирующийся нагрев. При сушке качество получаемого материала существенно улучшается за счет того, что нагрев высушенных мест автоматически прекращается. Объясняется это тем, что тангенс угла диэлектрических потерь волокнистых материалов, как, например, шерсти, прямо пропорционален влажности. Поэтому с уменьшением влажности в процессе сушки потери СВЧ энергии уменьшаются, а нагрев продолжается только в тех участках обрабатываемого материала, где еще сохранилась повышенная влажность;

тепловые потери в подводящих трактах обычно невелики, и стенки волноводов и рабочих камер остаются практически холодными, что создает комфортные условия для обслуживающего персонала;

под воздействием интенсивного СВЧ поля происходит практически полное уничтожение микрофлоры (обеззараживание шерсти), что благоприятно сказывается на ее хранении;

СВЧ оборудование взамен эксплуатирующегося сушильного оборудования позволяет значительно упростить технологическую схему сушки шерсти, исключив все процессы и аппараты, связанные с подготовкой теплоносителя, а также вредные выбросы в атмосферу.

Выводы. Особенностью СВЧ сушки шерсти является зависимость процесса от диэлектрической постоянной каждого компонента трехкомпонентной системы (шерсть, связанная вода, подвижная вода) и их грамм-молей. Возникающий при сушке шерсти значительный объем пара должен интенсивно удалятся с сушильной машины. При СВЧ сушке шерсти существенно снижаются удельные затраты энергии и улучается ее качество.

Список литературы: 1. Демидов А.В. Разработка и исследование валкового устройства для повышения эффективности отжима шерсти после промывки:

автореф. дис. на соискание науч. степени канд. техн. наук: спец. 05.02.13 "Машины, агрегаты, процессы (легкая промышленность)" / А.В.Демидов. – Иваново, 2004 – 20, [1]c. 2. Артемонов Ю.С., Вынов Ю.С. Электрофизические и электрохимические методы обработки материалов. – М.: Энергия, 1988. – с. 3.Бранут А.А. Исследование диэлектриков на сверхвысоких частотах. – М.:

Физматгиз, 1964. – 404 с. 4. Андрейчук Е.И., Кравченко П.А. Расчеты измерения диэлектрических параметров шерсти с использованием СВЧ облучения // Украинский метрологический журнал. – Харьков: ГНПО "Метрология". – 1999. №1. С.37- 42. 5. Окресс А. СВЧ-энергетика. – М.: Мир, 1965. – 750с. 6.

Мустяца В.Т. Тепло- и массообмен во влажных материалах в электрических полях высокой частоты. – Кишинев, Штиинца, 1985. – 64с. 7. Черенков А.Д., Андрейчук Е.И. Теоретический анализ процесса СВЧ-сушки влажной шерсти.

// Питання електрифікації сільського господарства. – Харків, 1998, с.97-100. 8.

Черенков А.Д., Свергун Ю.Ф., Андрейчук Е.И. Использование СВЧ энергии для сушки влажной шерсти // Вісник науки і техніки. – Харків: Будинок науки і техніки. – 1999. №1. – С.37-42.

УДК 621. Ю.С. ГРИЩУК, канд. техн. наук, проф. НТУ "ХПІ", Харків Р.Ф. ТИМОШЕНКО, магістр, НТУ "ХПІ", Харків

АНАЛІЗ НАДІЙНОСТІ МІКРОПРОЦЕСОРНИХ

ПРИСТРОЇВ РЕЛЕЙНОГО ЗАХИСТУ

Проведено порівняльний аналіз надійності різних видів релейного захисту електроенергетичних об’єктів, виявлені переваги і недоліки електромеханічних реле захисту і мікропроцесорних пристроїв релейного захисту та запропоновано застосування високопродуктивних перешкодостійких мікроконтролерів.

Проведен сравнительный анализ надежности разных типов релейной защиты электроэнергетических объектов, выявлены преимущества и недостатки электромеханических реле защиты и микропроцессорных устройств релейной защиты и предложено применение висопроизводительных помехоустойчивых микроконтроллеров.

Вступ. Кінцевою метою функціонування релейного захисту (РЗ) є забезпечення безаварійності об’єктів захисту (ОЗ) (електричних станцій, ліній електропередач, електроенергетичних установок і т.п.) тобто можливості системи РЗ шляхом відключення ОЗ вчасно запобігати розвитку аварійних ситуацій, небезпечних для встаткування й обслуговуючого персоналу. Попереднє покоління пристроїв РЗ було створено на базі електромеханічних реле, напівпровідникових елементів і аналогових інтегральних мікросхем (ІМ) і являє собою кінцеві автомати другого роду з незмінною (твердою) архітектурою.

На відміну від них мікропроцесорні пристрої релейного захисту (МПРЗ) мають можливість перепрограмування на реалізацію тих або інших функцій без зміни складу технічних засобів і реалізації алгоритмів виявлення складних ушкоджень, їх реєстрації,зображення, документування, автоматизації процесів діагностики, налагодження, випробування та дослідження [1-3].

Метою даної роботи є ознайомлення й виявлення переваг й недоліків деяких видів систем релейного захисту, заснованих на різних елементних базах у перших і останніх періодах розвитку систем захисту це електромеханічних реле захисту (ЕМРЗ) і мікропроцесорних пристроїв релейного захисту (МПРЗ).

Аналіз джерел інформації. В [4] на основі аналізу матеріалів викладених в [5-8] показано що твердження про те, що надійність МПРЗ вище надійності ЕМРЗ тому, що вони не містять рухливих частин, є необгрунтованим. Відмови ЕМРЗ пов’язують у літературі, звичайно, зі старінням і ушкодженням ізоляції (стирання, висихання), ржавінням гвинтів і клемних затискачів, зношуванням у механічній частині реле.

Однак, з урахуванням того, що кількість циклів спрацьовування (тобто руху рухливих частин) за весь термін служби ЕМРЗ у реальних умовах експлуатації в енергосистемах не перевищує декількох сотень, говорити про механічне зношування рухливих частин реле можна тільки у випадку явного браку заводу-виготовлювача або використання невідповідних для цих цілей матеріалів. Що стосується корозії металевих елементів або висихання ізоляції, то це є наслідком використання при виготовленні реле неякісних матеріалів. Такі дефекти є характерними для ЕМРЗ Російського виробництва й практично не зустрічаються в реле провідних Західних компаній, що перебувають в експлуатації по 30-40 років навіть в умовах тропічного клімату. Таким чином, говорити про недостатній механічний ресурс ЕМРЗ, як виду реле, абсолютно необґрунтовано. З іншого боку, якщо рухливі елементи ЕМРЗ перебувають у русі тільки в моменти спрацьовування реле, то тисячі електронних компонентів МПРЗ постійно перебувають у роботі: постійно працюють генератори сигналів, численні транзисторні ключі, підсилювачі, стабілізатори напруги, мікропроцесор постійно обмінюється сигналами з елементами пам’яті, аналого-цифровий перетворювач постійно веде обробку вхідних сигналів і т.д. Багато елементів постійно знаходяться під впливом високої робочої напруги ( 220-250 В) і імпульсів перенапруг, що періодично виникають у вхідних ланцюгах і ланцюгах живлення, постійно розсіюють потужність (тобто нагріваються) і т.д. В особливо важкому режимі працюють у МПРЗ імпульсні високочастотні джерела живлення, які дуже часто є причиною відмов МПРЗ.

На основі аналізу великої кількості матеріалів в [4] детально розглянуто питання про достовірність наступних тверджень про те, чи:

• надійність напівпровідникових реле на дискретних компонентах вище надійності електромеханічних реле;

• надійність напівпровідникових пристроїв захисту на основі інтегральних мікросхем з високим ступенем інтеграції вище, ніж надійність пристроїв на дискретних електронних компонентах;

• надійність мікропроцесорних реле вище надійності електронних не мікропроцесорних пристроїв.

Результати аналізу показали, що твердження про безумовно більшу надійність електронних реле перед електромеханічними є розповсюджена омана. Підвищеною надійністю напівпровідникові реле володіють тільки при великій кількості комутаційних циклів або при великій частоті комутації. У багатьох інших випадках надійність напівпровідникових реле істотно нижче надійності електромеханічних. Дискретні електронні елементи мають набагато більше високу стійкість до перенапруг і інших несприятливих впливів, чим інтегральні мікросхеми. За даними роботи [7] 75% всіх ушкоджень мікропроцесорних пристроїв відбувається через вплив перенапруг. Такі перенапруги з амплітудою від десятків вольтів до декількох кіловольтів, що виникають внаслідок комутаційних процесів у ланцюгах або при впливі електростатичних розрядів, є "смертельними" для внутрішніх мікроелементів мікросхем і процесорів. По даним [8] звичайні транзистори можуть витримувати напругу електростатичного розряду майже в 70 разів більше високе, чим, наприклад, мікрочип пам’яті мікропроцесорної системи. Найстрашніше, що випадкові збої в роботі мікропроцесора, викликані електромагнітними шумами, можуть бути тимчасовими, такими як мимовільні зміни змісту оперативної пам’яті й регістрів, а внутрішні ушкодження можуть носити схований характер.

Обоє цих виду ушкоджень не виявляються ніякими тестами й можуть проявлятися в самі несподівані моменти. За даними статистики, представленим у роботі, добре видно, що реле захисту на електронних елементах мають у троє більших пошкоджуваностей, чим електромеханічні, а мікропроцесорні - в 50 разів більшу пошкоджуваність МПРЗ. Крім того, на відміну від звичайних мікросхем, відмовою мікропроцесора є не тільки його фізичне ушкодження, але також і збої в його програмному забезпеченні ушкодження не відомі раніше для електромеханічних і електронних реле. Як відзначено в роботі програмні багги далеко не завжди виявляються при тестуванні МПРЗ. Додатковим джерелом проблем є необхідність періодичного відновлення версій програм, використовуваних МПРЗ, при якому часто виникає невідповідність між "залізом" і програмою [4].

Дуже розповсюдженою є така теза, що надійність МПРЗ значно вище надійності всіх інших типів реле захисту завдяки наявності убудованої самодіагностики. Самодіагностикою в МПРЗ охоплене 70- % всіх елементів МПРЗ. Ця теза зустрічається практично у всіх публікаціях, присвячених перевагам МПРЗ. Проаналізуємо розглянуті особливості цієї самодіагностики, які докладно наведені в [4].

Аналіз особливостей самодіагностики.

Аналого-цифровий перетворювач (АЦП). Це пристрій, що перетворює вхідний аналоговий сигнал із трансформаторів струму й напруги у двійковий код, який передається через спеціальні фільтри на обробку в мікропроцесор. Всі АЦП працюють шляхом вибірки вхідних значень через фіксовані інтервали часу й у такий спосіб перетворюють синусоїдальний сигнал у набір фіксованих амплітуд. Деякі сучасні АЦП настільки складні, що містять у собі навіть невеликий мікропроцесор, керуючий їхньою роботою. АЦП - це фактично головний вузол вимірювального пристрою. Як і будь-якому складному вимірювальному пристрою АЦП властиві різні погрішності й помилки перетворення вхідної величини. Як же можна контролювати в процесі вхідної величини, що безупинно змінюється, справність такого складного пристрою? Оскільки єдиним елементом з незмінним рівнем сигналу в процесі роботи АЦП є джерело опорної напруги, те саме на моніторингу якого й заснована так звана самодіагностика АЦП [4-8]. Питання про надійність елементів пам’яті МПРЗ у дійсності набагато складніше. Виявляється, елементи пам’яті піддаються випадковим непередбаченим збоям, не пов’язаним з фізичним ушкодженням комірок пам’яті. Такі випадкові, оборотні збої, обумовлені мимовільною зміною змісту комірок пам’яті, називаються "м’якими помилками", не плутати із програмними помилками. Помилки такого роду були невідомі раніше для електронних пристроїв, виконаних на дискретних напівпровідникових елементах або на звичайних мікросхемах[4]. Прогрес останніх років в області нанотехнологій привів до істотного зниження розмірів напівпровідникових елементів (мова йде про одиниці й навіть частки мікрона), зменшення товщини шарів напівпровідникових і ізоляційних матеріалів, зменшення робочих напруг, збільшення робочої швидкості, зменшення електричної ємності окремих комірок пам’яті, збільшення щільності розміщення елементарних логічних осередків в одному пристрої. Все це разом узяте привело до різкого підвищення чутливості елементів пам’яті до іонізуючих випромінювань. Ця чутливість стала настільки високою, що звичайне радіаційне тло на рівні моря стає небезпечним для комірок пам’яті. Особливо небезпечними є потоки високоенергетичних елементарних часток, що приходять із космосу. Навіть одна така частка при влученні в комірку пам’яті народжує вторинні потоки електронів і іонів, що викликають мимовільне перемикання елементарного транзистора або розряд ємності в елементах з пам’яттю. Проблема усугубляється тим, що в сучасних мікропроцесорних структурах спостерігається стійка тенденція розширення використання елементів пам’яті. Багато сучасних інтегральних мікросхем високого рівня інтеграції, що входять до складу мікропроцесорного пристрою, містять убудовані елементи пам’яті досить великої місткості, справність яких взагалі ніяк не контролюється. Як показано в роботах, проблема різкого збільшення чутливості до іонізуючих випромінювань актуальна не тільки для елементів пам’яті, але також і для високошвидкісних логічних елементів, компараторів і т.д., тобто, практично, для всієї сучасної мікроелектроніки [4-8].

Центральний процесор (ЦП). На відміну від описаних вище складностей з контролем справності пам’яті, самоконтроль ЦП виглядає досить простим.

Він просто посилає контрольні імпульси із заданим періодом проходження в так званий сторожовий таймер, що скидається у вихідний стан із приходом кожного нового контрольного імпульсу, після чого починає новий відлік часу. Якщо до певного моменту часу зі ЦП не надійшов черговий контрольний імпульс, то таймер запускає процес перезавантаження ЦП. При серйозній несправності мікропроцесора і його "зависанні" при перезавантаженні, що виявляється таймером як повторна відсутність контрольного сигналу, відбувається блокування ЦП і видача сигналу про несправність центрального процесора.

Робота з відстеження контрольних імпульсів сторожовим таймером синхронізована за допомогою зовнішніх синхроімпульсів. Іноді сторожові таймери вбудовуються безпосередньо в мікропроцесор, іноді являють собою зовнішні спеціалізовані інтегральні мікросхеми. Пауза між контрольними імпульсами сторожового таймера може бути 0, або 1,6 сек. Зовсім очевидно, що перевірити в такий спосіб справність сотень тисяч транзисторних наноструктур, з яких властиво й складаться будь-який мікропроцесор, абсолютно неможливо. Мова може йти про моніторинг лише загальної працездатності ЦП, тобто про те, живий він або мертвий. При дуже складній внутрішній структурі ЦП, що містить велику кількість вузлів і мікроелементів, контрольні сигнали зі ЦП можуть продовжувати надходити на сторожовий таймер навіть якщо частина внутрішньої структури ЦП виявиться ушкодженою[4-8].

Джерело живлення. МПРЗ всіх типів забезпечуються так званими імпульсними джерелами живлення, у яких вхідна напруга надходить на випрямляч і фільтр, після чого переривається з великою частотою (десятки кілогерців) за допомогою потужного транзисторного комутуючого елемента тобто перетворюється в змінне високочастотне. Ця високочастотна напруга трансформується за допомогою високочастотного трансформатора в напругу низького рівня (частіше всього. 12 В), випрямлюється, фільтрується й стабілізується. Далі із цієї постійної напруги формуються більше низькі напруги (5 В, наприклад), необхідні для роботи МПРЗ. Мікропроцесори, звичайно, досить чутливі до рівня живлячої напруги й можуть робити непередбачені операції при певнім зниженні напруги живлення, у зв’язку із чим, у МПРЗ здійснються постійний моніторинг рівня напруги живлення ЦП. Як і у випадку зі сторожовим таймером, ця мікросхема робить генерацію сигналу, що блокує роботу ЦП при неприпустимому зниженні напруги живлення. Сигнал, що блокує, залишається доти, поки напруга живлення не відновиться. Не можна вважати такий контроль рівня напруги джерела живлення його самодіагностикою, що підвищує надійність його функціонування,оскільки мова йде про чисто технологічне внутрішнє блокування, що запобігає збою в ЦП. До надійності джерела живлення такий контроль не має ніякого відношення. А тим часом, саме джерела живлення МПРЗ є самим ненадійним вузлом МПРЗ [4].

• Вихідні електромагнітні реле. Як показано в дослідженнях [4контакти мініатюрних електромеханічних реле працюють зі значним перенавантаженням. Тому надійність цих реле істотно знижена в порівнянні з величиною, нормованої заводом-виготовлювачем. З іншого боку, у рекламних проспектах МПРЗ різних виробників обов’язково відзначається, що справність таких важливих елементів, як вихідні реле, безупинно контролюється засобами самодіагностики МПРЗ. В дійсності перевірити справність електромеханічного реле в працюючих МПРЗ, якщо контакти цього реле включені безпосередньо в ланцюг котушки вимикача, що відключає не можна[4].

Теза про те, що МПРЗ є істотно більше надійними в порівнянні із пристроями релейного захисту попереднього покоління, тому що містять значно менше число елементів і ці елементи значно менше піддані фізичному старінню нічим не підтверджується. В дійсності кількість елементів, з яких складається МПРЗ на кілька порядків більше, ніж кількість елементів, з яких складалися реле захисту попередніх поколінь. Що стосується нібито більше інтенсивного фізичного старіння, елементів реле захисту попереднього покоління, то ця теза також не відповідає дійсності. Автор цієї тези порівнює сучасні матеріали, що застосовуються в МПРЗ з матеріалами, розробленими й, що проробили в реле захисту десятки років. Як вже відзначалось вище, старі електромеханічні реле західного виробництва, у яких застосовувалися високоякісні матеріали й покриття, дотепер успішно працюють і прекрасно виглядають. Крім того, за останні десятиліття прогрес в області матеріалів досягнуто не менший, чим прогрес в області мікроелектроніки. З іншого боку, не все є так райдужно зі старінням електронних компонентів, широко використовуваних у МПРЗ. Так, навіть високоякісні електролітичні конденсатори японського виробництва починають змінювати свої параметри через 7-10 років роботи у високочастотних імпульсних джерелах живлення, застосовуваних у МПРЗ. У результаті зміни параметрів всього лише одного з таких конденсаторів, повністю перестають функціонувати, джерела живлення. Ще однією проблемою є прагнення виробників до мініатюризації МПРЗ за всяку ціну, що приводить до використання в МПРЗ електронних елементів, що працюють із перевантаженням і розсіюють підвищену кількістю тепла, що аж ніяк не сприяє підвищенню їхньої надійності й зменшенню старіння. Особливо актуальна ця проблема для ланцюгів цифрових входів, на які подається напруга до 250 В. Багатошарові друковані плати МПРЗ припускають величезну кількість контактних переходів (перемичок) між шарами. Відомі випадки неправильних дій МПРЗ внаслідок зростання перехідного опору цих переходів. Конструкція багатьох типів МПРЗ припускає наявність материнської друкованої плати із багатоконтактними роз’ємами й функціональними друкованими платами з відповідними розніманнями, що зчленовуються з материнською платою. Замість материнської плати іноді використовуються гнучкі багатожильні шини із численними контактними роз’ємами, що з’єднують між собою окремі друковані плати. Далеко не завжди всі ці контактні з’єднання забезпечують надійну передачу слабкострумових сигналів [4-8].

Разом з тим на даний час виробляються нові високопродуктивні, перешкодостійкі з наднизьким енергоспоживанням 8-ми і16-ти розрядні однокристальні мікроконтролери зі зменшеними габаритами,які можно достатньо легко вмонтовувати в МПРЗ і надійно захистити від впливу небажаних наведених вище факторів [2,3].

Висновок. На основі докладного аналізу із залученням великої кількості літературних джерел показано, що ЕМРЗ перебувають в експлуатації енергосистем по 30-40 років і що насправді надійність МПРЗ на даний час нижче надійності електромеханічних і електронних реле захисту виконаних на дискретних елементах.

Для підвищення надійності МПРЗ в них доцільно застосовувати сучасні високопродуктивні, перешкодостійкі з наднизьким енергоспоживанням 8-ми і16-ти розрядні однокристальні мікроконтролери, відповідно, фірми SiLabs сімейств C8051F060/61/62/63/64, C8051F330/ та фірми Texas Instruments MSP430F з потужною за складом високочастотною аналоговою і цифровою периферією.

Список літератури: 1. Микропроцессорные гибкие системы релейной защиты. / В. В. Михайлов, Е. В. Кириевский, Е. В. Кириевский, Е. М. Ульяницкий и др. / Под ред. В. П. Морозкина. – М.: Энергоатомиздат, 1988.– 240 с. 2. Грищук Ю. С., Кузнецов А. И., Ржевский А. Н., Грищук С. Ю. Применение микроконтроллеров в схемах автоматизированного управления испытаниями электрических аппаратов. // Вісник НТУ "ХПІ". Зб. наук. праць. – Харків: НТУ "ХПІ", 2005. – Вип. 35. – С. 63-68. 3. Грищук Ю. С. Мікропроцесорні пристрої: Навчальний посібник. – Харків: НТУ "ХПІ", 2008. – 348 с. 4. Гуревич В.И. Надежность микропроцессорных устройств релейной защиты. Мифы и реальность // Вести в электроэнергетике. – 2008. – № 4. – С. 29-37. 5. Коновалова Е. В. Основные результаты эксплуатации устройств РЗА энергосистем Российской Федерации: Сб. докладов XV науч.-техн. конф. "Релейная защита и автоматика энергосистем", Москва, 2002. 6. Белотелов А. К. Научно-техническая политика РАО "ЕС России" в развитии систем релейной защиты и автоматики / Сб. докладов XV науч. техн. конф. "Релейная защита и автоматика энергосистем", Москва, 2002. 7.Гуревич В. И. Как нам обустроить релейную защиту: мнения российских специалистов и взгляд со стороны // Вести в электроэнергетике. – 2007. – № 2. 8. Микропроцессорные реле защиты: альтернативный взгляд // Электроинфо. – 2006. – № 4.

Тимошенко Руслан Фаритович, магістрант кафедри "Електричні апарати" Національного технічного університету "Харківський Наукові інтереси пов’язані з дослідженням електричних апаратів з Грищук Юрій Степанович, канд. техн. наук, професор кафедри "Електричні апарати" Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Наукові інтереси пов’язані з використанням методів мікроконтролерного керування в електричних апаратах і електропобутовій техніці, автоматизацією їх випробувань та досліджень, розробкою математичних моделей на основі теорії планування експериментів.

УДК 681.58: 681. В.О. ЗАРВИРО, спеціаліст, НТУ "ХПІ", Харків Ю.С. ГРИЩУК, канд. техн. наук, проф., НТУ "ХПІ", Харків

АВТОМАТИЗАЦІЯ ДОСЛІДЖЕННЯ ТА

ВИПРОБОВУВАННЯ МІКРОХВИЛЬОВИХ ПЕЧЕЙ

Розроблена структурна схема для автоматичного дослідження мікрохвильових печей. Вибраний базовий мікроконтролер для проведення досліджень. Розроблений алгоритм роботи програми для дослідження режимів роботи мікрохвильової печі.

Разработана структурная схема для автоматического исследования микроволновых печей. Выбран базовый микроконтролер для проведения исследований.

Разработан алгоритм работы программы для исследования режимов работы микроволновой печи.

Вступ. Стрімкий розвиток електроніки в ХХІ столітті привів до того, що ціни на напівпровідникові елементи і мікроконтролери значно знизилися, що суттєво сприяє широкому застосуванню мікроконтролерів в системах керування електропобутовою технікою. Крім того, застосування мікроконтролерного керування має ряд інших переваг і дозволяє автоматизувати роботу електропобутової техніки без участі оператора.

Одним з електропобутових приладів з мікроконтролерним керуванням, що найбільш часто використовуються в побуті є мікрохвильова піч. Сам мікроконтролер, без використання датчиків, в НВЧ печі виконує лише роль таймеру, який в залежності від заданого користувачем режиму приготування їжі регулює потужність НВЧ випромінювання, та час приготування. В даному випадку, якщо користувач помилився і ввів не вірні данні для приготування відповідного блюда, то він може не отримати бажаного результату.

Цього недоліку позбавлена мікрохвильова піч з використанням мікроконтролера в поєднанні з датчиками. Тому для перевірки правильності виконання закладеної в мікроконтролер програми залежно від режиму роботи і вхідних даних, що поступають з датчиків, доцільно застосувати стенд, що дозволяє в автоматичному режимі проводити збір даних з подальшим збереженням і обробкою їх на персональному комп’ютері.

Метою даної роботи є розробка структурної схеми мікроконтролерного стенда та алгоритму його роботи для автоматичного дослідження мікрохвильових печей.

Структурна схема. Для автоматичного дослідження НВЧ печей з мікроконтролерним керуванням була розроблена структурна схема на базі мікроконтролера КМ1816ВЕ51. Восьмирозрядний високопродуктивний однокристальний мікроконтролер КМ1816ВЕ51 виконаний за високоякісною n-МОП технологією є програмно сумісним з іншими мікроконтролерами сімейства MCS-51 [1-6].

Структурна схема для автоматизованого дослідження мікрохвильових печей, яка зображена на рис. 1, включає наступні елементи:

мікрохвильову піч з елементами приготування їжі (магнетрон, гриль, конвектор);

двійкові датчики типу так/ні Д1 - Д4;

датчики контрольованих параметрів (ваги, температури, пару, вологості) Д5 - Д8 (первинні перетворювачі);

нормуючі підсилювачі П1 - П4;

чотириканальний комутатор аналогових сигналів типу КМ590КМ6;

аналого-цифровий перетворювач (АЦП) типу К 1113 ПВ1;

мікроконтролер, що містить вбудований генератор тактових сигналів, пам’ять команд, ОЗП, вбудовані 4 порти і послідовний канал зв’язку.

Через послідовний інтерфейс RS232С схема пов’язана з ПЕОМ, яка може змінювати режими випробувань або досліджень, а також приймати, запам’ятовувати, відображати і документувати результати досліджень.

До об’єкту дослідження підключені відповідні датчики. Датчики контрольованих параметрів Д5-Д8 є первинними перетворювачами ваги, температури, пару, вологості в напругу. Нормуючі підсилювачі погоджують вихідну напругу датчиків з необхідним вхідним сигналом АЦП 0 - 10 В і забезпечують низький вихідний опір.

Комутатор аналогових сигналів перемикає один з входів на вихід залежно від керуючого коду, що поступив від мікроконтролера. Аналоговий сигнал з виходу комутатора поступає на АЦП який забезпечує перетворення його в цифровий код. Таке перетворення реалізовано найбільш швидкодіючим апаратним засобом на основі ВІС АЦП, що підключається до порту МК.

Схему підключення портів мікроконтролера КМ1816ВЕ51 зображено на рис. 2. Незадіяні порти можуть бути надалі використані для розширення функціональних можливостей мікроконтролера.

У якості датчика температури можуть застосовуватися термопари. Наприклад, хромель-алюмельові термопари, які відрізняються невисокою вартістю, призначені для вимірювання температури в діапазоні від – 270 °C до +1372 °C. Чутливість цих термопар складає мкВ/°C. Для вимірювання ваги продукту застосовуються тензометричні або ємносні датчики, наприклад, тензо датчик балочного типу CB1, фірми "Прибор". Діапазон вимірювання складає від 150 Г до 50 кг, номінальний вихідний сигнал 1 мВ/Г ± 1%, нелінійність 0.02%, гістерезис 0.02%, вхідний опір 420 ± 30 Ом.

Для вимірювання вологості застосовуються датчики абсолютної або відносної вологості. Наприклад, датчик вологості HIH-3602-L фірми Honeywell, виконаний в корпусі TO-39 з щілинним отвором. Діапазон вимірювання датчика складає 0..l00 %RH, лінійність 0,50 ±%RH, гістерезис 1,20 ±%RH, Uживл = 4,0 В, Iживл = 0,20 мА.

Датчиком пари в мікрохвильових печах застосовується піроелектричний датчик. Вихідні сигнали датчиків унаслідок їх різної фізичної природи можуть потребувати посилення і проміжного перетворення на АЦП або на схемах формувачів сигналів, які найчастіше виконують функції гальванічної розв’язки і формування рівнів двійкових сигналів стандарту ТТЛ.

Алгоритм роботи. Блок-схема алгоритму наведенор на рис. 3.

Для проведення дослідження з необхідною точністю на початку програми константі TIME привласнюється значення інтервалу часу, через який опитуються датчики і елементи мікрохвильової печі для приготування їжі. Введення константи на початку програми необхідно для того, щоб при зміні часу опитування у програміста на виникали складності у зміні тексту програми. Далі обнулюємо чотири порти мікроконтролера і перевіряємо чи включена піч. Подальше виконання програми відбуватиметься тільки тоді, коли на відповідний розряд порту мікроконтролера буде подано сигнал логічної "1".

При включенні печі мікроконтролер посилає сигнал керування на аналоговий комутатор. Згідно одержаному сигналу комутатор сполучає виведення датчика ваги (Д5) з виведеннями відповідного порту мікроконтролера.

Далі на АЦП подається сигнал запуску, після зчитування і перетворення сигналу датчика, АЦП посилає сигнал готовності на мікроконтролер. Данні прийняті з датчика видаються зовнішньому пристрою через універсальний асинхронний приймач-передавач (УАПП) персональному комп’ютеру для подальшого зберігання та обробки. Після передачі даних мікроконтролер проводить опитування приладів мікрохвильової печі, які використовуються в даний час для приготування їжі, а саме магнетрона, гриля і конвектора. Дані про їх роботу через УАПП передаються в комп’ютер (РС).

Після цього програма аналогічно тому, як знімались дані з датчика ваги, зчитує дані з датчиків температури, пари і вологості. Далі мікроконтролер перевіряє ввімкнена чи вимкнена мікрохвильова піч. Якщо мікрохвильова піч ввімкнена, то програмно запускається таймер на час який, вказаний в константі TIME. Після закінчення відліку заданого часу мікроконтролер знову проводить опитування роботи магнетрона, гриля і конвектора, та знімає данні з датчиків (окрім датчика ваги).

Датчик ваги повторно не опитується, тому що в процесі приготування їжі вага продукту практично не змінюється, тобто, істотних змін в програму приготування конкретного блюда дані, зняті з датчика ваги не вносять.

Вихід з циклу і завершення роботи програми відбувається при відключенні печі.

Висновки. Розроблений стенд і алгоритм роботи програми автоматизованого дослідження мікрохвильових печей, дозволяють суттєво скоротити терміни і витрати на проведення їх випробувань і досліджень та підвищити точність отримуваних результатів.

Список літератури: 1. Сташин В.В.,Урусов А.В., Мологонцева О.Ф. Проектирование цифровых устройств на однокристальных микроконтроллерах. М.:

Энергоатомиздат, 1990. 224 с. 2. Башков Е.А. Аппаратное и программное обеспечение зарубежных микроЭВМ. К.: Высшая шк., 1990. 207 с. 3. Боборыкин А.В., Липовецкий Г.П., Литвинский Г.В. Оксинь О.Н., и др. Однокристальные микроЭВМ. Справочник. М.: МИКАП, 1994. 400 с. 4. Щелкунов Н.Н., Дианов А.П. Микропроцессорные средства и системы. М.: Радио и связь, 1989. 189 с. 5. Ахметов Р.Р., Бакин А.Д., Кабанов Н.Д. Однокристальные промышленные микроконтроллеры // Мир ПК. – 1993. – № 10. – С. 31-37.

6. Грищук Ю.С. Мікропроцесорні пристрої: Навчальний посібник. – Харків:

НТУ "ХПІ", 2008. –348 с.

Зарвиро Валерій Олександрович, студент кафедри "Електричні апарати" Національного технічного університету "Харківський Наукові інтереси пов’язані з дослідженням електропобутової техніки з мікроконтролерним керуванням.

Грищук Юрій Степанович, канд. техн. наук, професор кафедри "Електричні апарати" Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Наукові інтереси пов’язані з використанням методів мікроконтролерного керування в електричних апаратах, розробкою математичних моделей на основі теорії планування експериментів.

УДК 621.3.013. Н.П. КОРБАН, ассистент, ВНУ им. В. Даля, Луганск

АНАЛИЗ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

РАССЕЯНИЯ ДЕФЕКТА НАМАГНИЧЕННОГО

ФЕРРОМАГНИТНОГО ТЕЛА

Приводиться методика розрахунку магнітного поля розсіяння дефекту намагніченого феромагнітного тіла з дефектом за допомогою адаптації методу інтегральних рівнянь. На базі чисельного моделювання проведені експерименти і аналіз розподілення магнітного поля розсіяння дефекту. Встановлені основні закономірності і параметри розподілення.

Приводится методика расчета магнитного поля рассеяния дефекта намагниченного ферромагнитного тела с дефектом посредством адаптации метода интегральных уравнений. На базе численного моделирования проведены эксперименты и анализ распределения магнитного поля рассеяния дефекта. Установлены основные закономерности и параметры распределения.

Вступление. Для осуществления качественной идентификации дефектов сплошности намагниченного тела путем анализа распределения магнитного поля рассеяния дефекта (МПРД) [1], актуальным вопросом является установление степени зависимости основных параметров распределения МПРД от геометрических параметров контролируемого дефекта. Подобный анализ даст возможность по количественной оценке основных параметров МПРД косвенно определять геометрические параметры дефекта намагниченного тела. В тоже время, ценность достоверной информации о картине распределения внешнего магнитного поля намагниченного тела с дефектом определяется тем, что путем сопоставления рассчитанного и измеренного внешнего магнитного поля представляется возможным качественно определять причину его искажения. Например, искажение внешнего магнитного поля намагниченного тела может быть вызвано, кроме наличия в его объеме дефекта, также локальной неоднородностью магнитной среды ферромагнитного тела.

Проведение анализа МПРД наиболее эффективно производить путем численного моделирования магнитной системы намагничиваемого ферромагнитного тела, содержащего дефект, внешним магнитным полем.

Цель и задачи исследования. Основной целью настоящей работы является установление основных параметров распределения МПРД намагниченного тела, на которые в наибольшей степени оказывает влияние изменения геометрических параметров дефекта, а также количественная оценка их соотношений. Для реализации поставленной цели возникает задача выбора и адаптации наиболее эффективного и достаточно точного метода численного расчета магнитных полей.

Методика проведения численных экспериментов. В [2] был проведен анализ методов и современных программных пакетов применимо к расчету внешнего магнитного поля ферромагнитного тела, содержащего дефект. Сложность проведения численных расчетов внешнего магнитного поля намагниченного тела заключается в том, что их реализация требует значительного времени. Кроме того, должна удовлетворяться сходимость итерационного процесса при численном решении уравнений описывающих магнитную систему.

С целью проведения численных экспериментов по расчету внешнего магнитного поля намагниченного ферромагнитного тела с допустимой погрешностью при минимальных затратах машинного времени допускается определенная идеализация условий расчета. В данном случае предполагается, что наличие дефекта в намагниченном объеме вносит существенное изменение в распределение внутреннего магнитного поля ферромагнетика только в определенном объеме, окружающем область дефекта.

Рациональные геометрические параметры ферромагнитного тела, содержащего дефект, определяются из такого условия, когда дальнейшее их увеличение не оказывает существенного влияния на количественные параметры распределения магнитного поля над поверхностью намагниченного тела в области дефекта.

В качестве геометрической модели намагничиваемого тела служит параллелепипед размерами 2а2b2с, в объеме которого заключен дефект типа трещины размерами 2ад2 bд2сд и глубиной расположения относительно поверхности параллелепипеда – d [3].

Для реализации численных расчетов в данном случае наиболее эффективным является применение метода пространственных интегральных уравнений [3]. Интегральные уравнения точно учитывают магнитные поля рассеяния намагниченных тел в неограниченном пространстве и имеют минимальную расчетную область. Методика расчета внешнего магнитного поля намагниченного ферромагнитного тела методом интегральных уравнений детально была изложена в работах [3, 4]. Численное решение нелинейного интегрального уравнения осуществляется итеративным методом Гаусса-Ньютона. Критерием сходимости итерационного процесса является обусловленность расчетной матрицы, представляющей собой ядро интегрального уравнения [4].

Обусловленность матрицы зависит от дискретизации объема намагниченного тела, характера кривой намагничивания ферромагнитного материала – M(H), и величины напряженности внутреннего магнитного поля ферромагнетика – H.

Путем проведения ряда численных экспериментов по описанной выше методике были установлены рациональные геометрические параметры намагниченного тела, содержащего дефект, размеры которого не превышают 2ад = 2,0 мм; 2bд = 10 мм; 2сд = 6 мм [3]. При размерах ферромагнитного тела 505050 мм достигалась удовлетворительная сходимость численного решения и приемлемые затраты машинного времени. Относительная погрешность численного расчета МПРД намагниченного тела с указанным дефектом при различных значениях напряженности внутреннего магнитного поля и дискретизации объема ферромагнетика не превышала 0,6%.

Результаты численных экспериментов и их анализ. Для анализа распределения МПРД намагниченного тела проводились численные эксперименты при вариации следующих параметров: ширины раскрытия дефекта – 2ад, длины дефекта – 2bд, высоты дефекта – 2сд; глубины расположения дефекта – d; высоты наблюдения – h [3]; напряженности внутреннего магнитного поля ферромагнетика – H. Геометрические параметры намагниченного тела с дефектом для всех опытов принимаются постоянными и равными определенным ранее рациональным для проведения численных экспериментов размерам – 505050 мм.

Пределы варьирования размеров дефекта, заключенного в объеме ферромагнитного тела не превышают 2ад = 2 мм; 2bд = 10 мм; 2сд = 6 мм.

В таком случае максимальная относительная погрешность расчетов составляющих напряженности МПРД, заключенного в намагниченном объеме оценивается в 0,6%. Магнитные параметры материала ферромагнетика задаются равными магнитным параметрам конструкционной стали 40Х.

Результаты численных экспериментов для наглядности выводятся в виде графиков распределения составляющих напряженности МПРД в точках наблюдения над поверхностью намагниченного тела. Для возможности сопоставления расчетных данных, во всех экспериментах точки наблюдения располагаются на линии расположенной в плоскости xz параллельно оси x [3] на заданной высоте относительно поверхности параллелепипеда – h. В этом случае из-за симметрии образца с дефектом относительно системы координат [3], поперечная составляющая напряженности МПРД Hдy равна нулю.

Целью проведения анализа является установление степени влияния каждого из параметров, оказывающего влияние, как на характер распределения, так и на количественные значения составляющих напряженности МПРД намагниченного тела. Для установления степени влияния одного из параметров на распределение МПРД проводятся численные эксперименты путем их варьирования при постоянном значении остальных параметров. Такая процедура повторяется для каждого параметра, оказывающего влияние на распределение и количественные значения напряженности МПРД намагниченного тела: 2ад, 2bд, 2сд, h, d, H.

На рис. 1,а,б представлены графики зависимостей составляющих напряженности МПРД соответственно Hдx и Hдz в зависимости от ширины поверхностного (d = 0) дефекта 2ад при постоянных параметрах 2bд = 6 мм; 2сд = 4 мм; h = 2,5 мм; H = 20000 А/м; d = 0.

По характеру распределения составляющих и амплитудному значению напряженности МПРД можно отметить следующие. Изменение ширины дефекта типа трещины существенно влияет на амплитудные значения составляющих напряженности МПРД. Кроме того, при изменении ширины дефекта наблюдается увеличение расстояния между экстремумами составляющей Hдz.

Графики на рис. 2 отображают аналогичные зависимости составляющих напряженности МПРД Hдx и Hдz от длины поверхностного дефекта 2bд при постоянных параметрах 2ад = 0,4 мм; 2сд = 4 мм; h = 2, мм; H = 20000 А/м; d = 0. Как и в предыдущих экспериментах, амплитудные значения составляющих напряженности МПРД увеличиваются пропорционально величине напряженности внутреннего магнитного поля намагниченного тела.

При сильной напряженности внутреннего магнитного поля ферромагнетика, содержащего дефект, распределение составляющих Hдx и Hдz имеет более четко выраженный характер. Вследствие этого эффективность выявления дефектов и точность определения их геометрических параметров будет выше при сильном намагничивании объема ферромагнетика.

Приращение длины дефекта 2bд оказывает существенное влияние только на амплитудные значения составляющих Hдx и Hдz. Но если сравнивать с влиянием ширины дефекта на эти параметры (рис. 1), то видно, что длина дефекта влияет в значительно меньшей степени на максимальные значения Hдx и Hдz, чем ширина.

Расстояние между экстремумами составляющей Hдz при вариациях длины дефекта изменяется незначительно.

Зависимость составляющих Hдx и Hдz от высоты поверхностного дефекта 2сд при постоянных значениях 2ад = 0,4 мм; 2bд = 10 мм; h = 2, мм; d = 0; H = 20000 А/м, показана на рис. 3.

Характер влияния высоты дефекта 2сд на распределение составляющих Hдx и Hдz подобен характеру влияния длины дефекта 2bд, так как изменяются в большей степени амплитудные значения составляющих напряженности МПРД. Расстояние между экстремумами составляющей Hдz при вариациях высоты дефекта также изменяется не значительно.

С практических соображений важно оценить распределение составляющих напряженности МПРД на различной высоте наблюдения h от поверхности исследуемого объекта. Для этого проводятся численные эксперименты по расчету составляющих Hдx, Hдz на различной высоте наблюдения h при постоянных значениях геометрических параметров поверхностного дефекта и напряженности внутреннего магнитного поля ферромагнитного тела. Результаты численных расчетов распределения Hдx, Hдz в зависимости от h при постоянных параметрах 2ад = 0,4 мм; 2bд = 6 мм; 2cд = 6 мм; H = 20000 А/м, представлены на рис. 4.

По мере незначительного удаления точек наблюдения от поверхности ферромагнетика, МПРД убывает в значительной степени. При увеличении h на один миллиметр, амплитудные значения составляющих Hдx, Hдz падают в два раза.

Основной задачей магнитного неразрушающего контроля является выявление наиболее опасных подповерхностных дефектов металлических изделий – поперечных трещин, развитие которых способствует их излому. Важно оценить является искажение внешнего магнитного поля намагниченного изделия следствием магнитной неоднородности объема его локальной области или следствием образования дефекта. С этой целью необходимо провести анализ распределения магнитного поля рассеяния подповерхностного дефекта ферромагнитного тела на базе численных экспериментов.

На рис. 5 представлены результаты численных расчетов составляющих напряженности Hдx и Hдz для случая подповерхностного дефекта при постоянных параметрах дефекта 2ад = 0,4 мм; 2bд = 6 мм; 2сд = 2 мм; h = 2,5 мм; H = 20000 А/м в зависимости от глубины его расположения d. С целью сопоставления зависимостей распределения составляющих напряженности МПРД совместно с графиками для подповерхностного дефекта приводится график поверхностного дефекта с такими же геометрическими параметрами.

Как видно на рис. 5,а, отличие амплитудных значений составляющих Hдx, Hдz, начиная с глубины d = 4 мм, является несущественным. С результатов численных экспериментов было установлено, что идентифицировать глубину расположения дефекта ферромагнитного тела эффективнее в отличие от поверхностного дефекта при относительно небольшой намагниченности ферромагнетика. Кроме изменения амплитудных значений Hдx и Hдz вследствие увеличения глубины расположения подповерхностного дефекта d, возрастает расстояния между экстремумами составляющей Hдz (рис. 5,б).

Анализируя характер распределения составляющих МПРД Hдx (рис. 5,а), можно выделить еще одну закономерность свойственную для подповерхностного дефекта. На уровне равном 0,6 от максимального значения Hдx – 0,6Hдmx ширина раскрытия распределения составляющей Hдx изменяется очень мало при варьировании глубины расположения дефекта.

Аналогично анализу поверхностного дефекта ферромагнитного тела, для определения влияния геометрических параметров подповерхностного дефекта на характер распределения составляющих напряженности МПРД, проводятся численные эксперименты при различных значения геометрических параметров подповерхностного дефекта. В частности, на рис. 6 представлены графики составляющих Hдx, Hдz в зависимости от ширины дефекта при постоянных параметрах: 2bд = 10 мм; 2cд = 2 мм; d = 2 мм; h = 2,5 мм; H = 2000 А/м.

Как и в случае поверхностного дефекта (рис. 1), изменение ширины подповерхностного дефекта существенно влияет на амплитудные значения составляющих напряженности МПРД и не так значительно на расстояние между экстремумами составляющей Hдz.

В целом закономерности изменения основных параметров распределения составляющих напряженности МПРД, которые имели место при вариациях геометрических параметров поверхностного дефекта, как показали численные расчеты, сохраняются и в случае подповерхностного дефекта ферромагнитного тела.

Обобщая полученные результаты численных экспериментов и основные положения проведенного анализа распределения составляющих напряженности МПРД намагниченного тела, можно выделить такие моменты.

Варьирование геометрических параметров и глубины расположения дефекта существенно влияет на распределение составляющих напряженности МПРД. В частности это наблюдается по изменению амплитудных значений Hдx и Hдz, расстоянию между экстремумами составляющей Hдz. Кроме этих параметров распределения Hдx, Hдz, как еще один параметр, характеризующий распределение составляющей Hдx, может быть принята ширина раскрытия распределения составляющей Hдx на уровне равном 0,6 от максимального значения Hдx – 0,6Hдmx.

Каждый из параметров дефекта сплошности ферромагнетика в различной степени влияет на все приведенные основные параметры составляющих напряженности МПРД. Поэтому не представляется возможным раздельно, по приращению, какого либо из основных параметров составляющих Hдx, Hдz, однозначно определить какой из параметров дефекта внес вклад в значение конкретного параметра составляющих Hдx, Hдz. Но по результатам проведенного анализа наблюдаются определенные закономерности изменения основных параметров распределения составляющих напряженности МПРД в зависимости от изменения геометрических параметров дефекта и глубины его расположения при постоянном значении напряженности внутреннего магнитного поля в объеме намагниченного тела.

Выводы. В ходе проведения анализа распределения составляющих напряженности МПРД намагниченного тела, содержащего дефект типа трещины были установлены основные параметры Hдx и Hдz, на которые преимущественно оказывает влияние изменение геометрических параметров дефекта и глубины его расположения. Такими параметрами являются: амплитудные значения составляющих Hдx, Hдz – Hдmx, Hдmz; расстояние между экстремумами Hдz – xz; ширина раскрытия распределения составляющей Hдx на уровне 0,6Hдmx – xx.

Определенно можно сказать, что совокупность взаимосвязанных зависимостей основных параметров распределения составляющих Hдx, Hдz от геометрических параметров дефекта и глубины его расположения представляет собой систему, которая обладает наличием однозначных закономерностей. Только путем совокупного анализа основных закономерностей этой системы можно провести качественную идентификацию геометрических параметров дефекта.

Список литературы: 1. ГОСТ 24450-80. Контроль неразрушающий магнитный. Термины и определения. 2. Корбан Н.П., Яковенко В.В., Додонов В.И.

Обзор методов и программных пакетов применимо к расчету внешнего магнитного поля ферромагнитного тела, содержащего дефекты // Праці Луганського відділення МАІ. – 2009. – № 2 (20). – Ч. 2. – С. 19-23. 3. Корбан Н.П. Расчет магнитных полей дефекта типа "трещина" // Збірник тез доповідей 5-ої науково-технічної конференції "Сучасні прилади, матеріали і технології для неруйнівного контролю технічної діагностики машинобудівного і нафтогазопромислового обладнання", Івано-Франківськ, 2008. – С. 29-31. 4. Корбан Н.П.

Расчет магнитного поля, индуцируемого остаточной намагниченностью ферромагнитной детали // Вісник Кременчуцького державного політехнічного університету ім. Михайла Остроградського. – 2009. – № 3 (56). – Ч. 2. – С. 67Корбан Николай Петрович. Защитил диплом инженера в Восточноукраинском национальном университете по специальности "Научные, аналитические и экологические приборы и системы" в 2005 г. Ассистент кафедры "Электромеханика", а также аспирант заочного отделения по специальности 05.11.13. "Приборы и методы контроля и определения Научные интересы связаны с теоретическим построением и численным моделированием магнитных полей при неразрушающем контроле металлоконструкций, вопросами измерения магнитных полей.

УДК 621.3. Е.Г. КОРОЛЬ, ассистент, НТУ "ХПИ", Харьков В.С. ЛУПИКОВ, д-р техн. наук., проф., зав. каф., НТУ "ХПИ",

ОЦЕНКА НЕЛИНЕЙНОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК

ЭЛЕКТРОМАГНИТА ДЛЯ КОМПЕНСАЦИИ

МАГНИТНОГО МОМЕНТА ЭЛЕКТРООБОРУДОВАНИЯ

Для петлі гістерезису феромагнітного матеріалу отримані оцінки коефіцієнтів спотворень і гармонік, а також визначена вихідна функція несинусоідальності і вхідна функція корекції. Отримані аналітичні співвідношення для цих функцій.

Результати рекомендовані для використання при проектуванні автоматичних систем високоточної компенсації магнітного моменту електроустаткування.

Для петли гистерезиса ферромагнитного материала получены оценки коэффициентов искажений и гармоник, а также определена выходная функция несинусоидальности и входная функция коррекции. Получены аналитические соотношения для этих функций. Результаты рекомендованы для использования при проектировании автоматических систем высокоточной компенсации магнитного момента электрооборудования.

Введение. Данная работа является продолжением исследований, приведенных в [1]. Эти исследования связаны с обеспечением требований электромагнитной совместимости электрооборудования (ЭО) со слаботочными элементами автоматики, чувствительными к магнитному полю ЭО частоты сети [2-4]. Предложенный в [1] подход заключается в компенсации внешнего магнитного поля ЭО путем использования параметрических систем автоматической компенсации и увеличения их эффективности за счет повышения точности компенсации поля.

Как показывают теоретические исследования [1], основными ограничениями эффективности являются нелинейность кривой намагничивания и петли гистерезиса (ПГ) ферромагнитного материала сердечника – конструктивного элемента используемого для усиления составляющих магнитного момента источника компенсирующего поля, выполненного в виде катушки с ферромагнитным сердечником (ФС). Конструктивно такой источник компенсирующего магнитного поля выполняется в виде электромагнита компенсатора (ЭК). Результаты теоретических исследований нелинейности кривой намагничивания ферромагнитного материала сердечника ЭК подробно изложены в работе [1].

Цель работы – определение функции коррекции входного сигнала электромагнита компенсатора с ферромагнитным сердечником с учетом петли гистерезиса для повышения эффективности компенсации переменного магнитного момента электрооборудования.

Основными задачами исследования является гармонический аннализ ПГ, определение значение коэффициентов искажений и гармоник, а также функций нелинейности и коррекции.

При анализе ЭК принято, что входной величиной является напряжение питания, а выходной – ток катушки.

Допущения, принятые при анализе ПГ. Как и при анализе, кривой намагничивания ферромагнитного материала, в данной работе используются следующие допущения:

– определение коэффициентов искажения и гармоник производится для синусоидального входного сигнала ЭК;

– определение функции несинусоидальности выходного сигнала проводится на основе гармонического анализа выходного сигнала ЭК, питаемого синусоидальным током частоты 50 Гц;

– определение функции коррекции входного сигнала ЭК проводится в предположении синусоидального характера выходного сигнала ЭК;

– петля гистерезиса определеляется при медленном намагничивании ферромагнетика во внешнем магнитном поле, вначале нарастающем до некоторого фиксированного значения, а затем спадающем до противоположного значения и снова нарастающего до первоначального значения.

Предельная петля гистерезиса соответствует намагничиванию материала до насыщения. Вершины промежуточных ПГ располагаются на кривой намагничивания ферромагнитного материала. Для характеристики симметричной петли гистерезиса обычно используются точки двух вершин. Особенности этих кривых намагничивания, связанные с их поведением при малых, средних и больших величинах напряженности внешнего магнитного поля, отмечены в работе [1].Эти особенности кривой намагничивания могут быть учтены для всего диапазона изменения намагничивающего ФС поля. Например, путем поточечного задания кривой намагничивания и последующего перехода к аналитическому описания в виде отрезка ряда Фурье.

В качестве примера на рис. 1 показана предельная петля гистерезиса ППГ и множество промежуточных ПГ, построенных для фиксированных значений напряженности внешнего магнитного поля. Вершины промежуточной ПГ обозначены цифрами 1 и 2, ППГ – 3, а кривая намагничивания нелинейностей кривой намагничивания и ПГ При моделировании петли гистерезиса необходимо учитывать [1] как особенности кривой намагничивания, так и характеристику частРис. 1.

ной петли гистерезиса.

Учет нелинейность петли гистерезиса материала ферромагнитного сердечника. При подаче синусоидального напряжения на катушку ЭК создается синусоидальный магнитный поток и индукция в сердечнике описывается синусоидальной функцией вида где Bm – амплитуда индукции; – циклическая частота напряжения питания; t – время процесса.

Основные характеристики – кривая намагничивания и петля гистерезиса для выбранного материала сердечника заданы поточечно в виде табл. 1. и табл. 2, соответственно.

Таблица 1 – Кривая намагничивания материала ферромагнитного сердечника Таблица 2 – Петля гистерезиса материала ферромагнитного сердечника Для удобства расчетов используется переход к приведенным величинам от реальных величин индукции и напряженности магнитного поля по следующим соотношениям:

где Bn – приведенная величина магнитной индукции; B – реальные значения магнитной индукции, приведенные в табл.1 и 2; n – приведенная величина напряженности магнитного поля; H – реальные значения напряженности магнитного поля, приведенные в табл. 1 и 2;

mB, mH – масштабы по оси индукции и напряженности:

Графики кривой намагничивания и петли гистерезиса, построенные в реальных и приведенных величинах, представлены на рис. 1 и 2.

С учетом (2) и (3), входной сигнал индукции имеет форму синусоиды с амплитудой Bn1 = 6,283. За начало отсчета электромагнитных процессов принят момент времени t = 0. При этом функция индукции (для приведенных величин) с учеом (1) имеет вид где – приведенное время, = t.

С использованием графического метода на рис. 4 показано преобразование по ПГ Bn(Н) Передаточная функция ЭК по параметрам магнитного поля определяется как зависимость выходного сигнала – напряженности магнитного поля Нn(t), от входного сигнала – индукции магнитного поля Bn(t):

Для точного учета нелинейности передаточной функции (5) рекомендуется ее задание по экспериментальным данным в виде отрезка ряда Фурье [5]:

где Hnkc, Hnks – амплитуды косинусных (индекс c) и синусных (индекс s) составляющих k-х гармоник функции приведенной напряженности.

Как и в случае кривой намагничения [1], для оценки несинусоидальности передаточной функции (6) используются коэффициент искажений kd (distortion factor) и коэффициент гармоник kh (harmonic factor):

где Н1, Н n1 – действующее значение первой гармоники реальной и приведенной напряженности; НK, НnK – полное действующее значение функции реальной и приведенной напряженности поля, определенное для первых K гармоник; НK-1, Нn.K-1 – действующее значение всех высших гармоник реальной и приведенной напряженности, кроме первой (а в общем случае и нулевой), Коэффициенты искажений kd и гармоник kh, рассчитанные по соотношениям (7) и (8) для функции (6), равны:

Как и в случае кривой намагничивания, коэффициент гармоник (9) более точно характеризует состав и величины гармоник по сравнению с коэффициентом искажений.

Для характеристики нелинейности в любой момент времени используется функция несинусоидальности Hna(t), определяемая для приведенных значений по соотношению:

где Hn1(t) – синусоидальная функция первой гармоники приведенной напряженности, Для наглядности на рис. 5 приведена функция несинусоидальности ЭК Hna(t), определенная формулой (10), с учетом нелинейности петли гистерезиса ФС, построенная на периоде основной частоты Т, и ее первая гармоника (11).



Pages:   || 2 | 3 |

Похожие работы:

«15 Электронное научное издание Устойчивое инновационное развитие: проектирование и управление том 9 № 2 (19), 2013, ст. 2 www.rypravlenie.ru УДК 330.3, 338.2 О ПОЛИТИКЕ ОПЕРЕЖАЮЩЕГО РАЗВИТИЯ В УСЛОВИЯХ СМЕНЫ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ УКЛАДОВ Глазьев Сергей Юрьевич, доктор экономических наук, академик РАН, член бюро Отделения общественных наук РАН, директор Института новой экономики Государственного университета управления, научный руководитель Национального института развития, председатель Научного...»

«www.koob.ru Max Wertheimer Productive THINKING Harper & Brothers New York М.Вертгеймер Продуктивное МЫШЛЕНИЕ Перевод с английского Вступительная статья доктора психологических наук В. П. Зинченко Общая редакция С. Ф. Горбова и В. П. Зинченко Москва -ПРОГРЕССwww.koob.ru ББК 88 В 35 Переводчик С. Д. Латушкин Редактор Э. М. Пчелкина Вертгеймер М. В 35 Продуктивное мышление: Пер. с англ./Общ. ред. С. Ф. Горбова и В. П. Зинченко. Вступ. ст. В. П. Зинченко. — М.: Прогресс, 1987. — 336 с.: ил. 213....»

«Министерство транспорта Российской Федерации Федеральное агентство железнодорожного транспорта Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования ДАЛЬНЕВОСТОЧНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ Кафедра Железнодорожный путь, основания и фундаменты Л.Л. Севостьянова УСТРОЙСТВО, ПРОЕКТИРОВАНИЕ И РАСЧЕТЫ РЕЛЬСОВОЙ КОЛЕИ Конспект лекций В двух частях Часть 2 Рекомендовано Методическим советом ДВГУПС в качестве учебного пособия Хабаровск Издательство ДВГУПС...»

«ОГЛАВЛЕНИЕ: 1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ – ПСИХИАТРИЯ, МЕД. ПСИХОЛОГИЯ; ЕЕ МЕСТО В СТРУКТУРЕ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ.3 2. КОМПЕТЕНЦИИ ОБУЧАЮЩЕГОСЯ, ФОРМИРУЕМЫЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ – ПСИХИАТРИЯ, МЕД. ПСИХОЛОГИЯ.4 3. ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ.8 4.СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ..8 4.1 Лекционный курс..8 4.2. Клинические практические занятия..10 4.3. Самостоятельная внеаудиторная работа студентов.12 5. МАТРИЦА РАЗДЕЛОВ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ И ФОРМИРУЕМЫХ В НИХ ОБЩЕКУЛЬТУРНЫХ...»

«Министерство образования Российской Федерации Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия имени С. М. Кирова Сыктывкарский лесной институт Ю. С. Новиков, Ф. Ф. Рыбаков ОСНОВЫ ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ТЕОРИИ И МЕНЕДЖМЕНТА Курс лекций для студентов всех специальностей и форм обучения СЫКТЫВКАР 2000 УДК 330:65-0 Н 73 Новиков Ю. С., Рыбаков Ф. Ф. Основы экономической теории и менеджмента. – Сыктывкар: СЛИ, 2000 В предлагаемом читателям издании авторы стремятся оказать посильную помощь...»

«Артур Кларк: 2001: Космическая Одиссея Артур Чарльз Кларк 2001: Космическая Одиссея Серия: Космическая Одиссея – 1 OCR Alef Космическая одиссея. Серия: Шедевры фантастики: Эксмо; М.; 2007 ISBN 5-699-19734-6 Оригинал: Arthur Clarke, “2001: A Space Odyssey” Перевод: Я. Берлин Нора Галь Артур Кларк: 2001: Космическая Одиссея Аннотация Роман 2001: Космическая Одиссея – повествование о полете космического корабля к Сатурну в поисках контакта с внеземной цивилизацией. Роман написан со свойственным...»

«Министерство транспорта Российской Федерации Федеральное агентство железнодорожного транспорта Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Дальневосточный государственный университет путей сообщения Кафедра Тепловозы и тепловые двигатели В.Г. Григоренко, И.В. Дмитренко, А.С. Слободенюк ТЕОРИЯ И КОНСТРУКЦИЯ ЛОКОМОТИВОВ Курс лекций Рекомендовано Методическим советом ДВГУПС в качестве учебного пособия Хабаровск Издательство ДВГУПС 2011 УДК 629.424.1 (075.8) ББК...»

«ОГЛАВЛЕНИЕ стр. 1 ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ – ПЕДИАТРИЯ, ЕЁ МЕСТО В СТРУКТУРЕ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ.3 2 КОМПЕТЕНЦИИ ОБУЧАЮЩЕГОСЯ, ФОРМИРУЕМЫЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ..3 3 ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ.8 4 СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ..8 4.1 Лекционный курс..8 4.2 Клинические практические занятия..12 4.3 Самостоятельная внеаудиторная работа студентов.17 5 МАТРИЦА РАЗДЕЛОВ УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ И ФОРМИРУЕМЫХ В НИХ ОБЩЕКУЛЬТУРНЫХ И ПРОФЕССИОНАЛЬНЫХ КОМПЕТЕНЦИЙ.19 5.1 Разделы...»

«СЫКТЫВКАРСКИЙ ЛЕСНОЙ ИНСТИТУТ _ КАФЕДРА ОБЩЕТЕХНИЧЕСКИХ ДИСЦИПЛИН И. В. Боровушкин МИКРОСТРУКТУРА И СВОЙСТВА УГЛЕРОДИСТЫХ СТАЛЕЙ ПОСЛЕ ТЕРМООБРАБОТКИ Методическое руководство к лабораторным и практическим занятиям по дисциплине Технология конструкционных материалов и материаловедение для студентов специальностей 150405, 190601, 190603, 110301, 110302 всех форм обучения СЫКТЫВКАР 2007 ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ СЫКТЫВКАРСКИЙ ЛЕСНОЙ ИНСТИТУТ – ФИЛИАЛ ГОСУДАРСТВЕННОГО ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО...»

«ДИРЕКТИВА СОВЕТА 2002/60/ЕС от 27 июля 2002 года, формулирующая специальные положения по борьбе с африканской чумой свиней и вносящая поправки в Директиву 92/119/ЕЕС в отношении болезни Тешена и африканской чумы свиней (Текст имеет отношение к ЕЭЗ) СОВЕТ ЕВРОПЕЙСКОГО СОЮЗА, Принимая во внимание Договор, учреждающий Европейское Сообщество, Принимая во внимание Директиву Совета 92/119/ЕЕС от 17 декабря 1992 года, вводящую основные меры Сообщества по борьбе с определенными болезнями животных и...»

«Информационные технологии в ОРД К ВОПРОСУ ОБ ИСПОЛЬЗОВАНИИ СПЕЦИАЛЬНЫХ ТЕХНИЧЕСКИХ СРЕДСТВ В ОПЕРАТИВНО-РОЗЫСКНОЙ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ОВД В.Н.Диденко (Тюменский юридический институт МВД России) По мнению независимых отечественных экспертов за последние три года увеличился удельный вес посягательств, ранее неизвестных российской правоприменительной практике и связанных с использованием средств компьютерной техники и информационно-обрабатывающей технологии. Преступные группы активно применяют в своей...»

«2 ОГЛАВЛЕНИЕ 1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ- КЛИНИЧЕСКАЯ ФАРМАКОЛОГИЯ, ЕЕ МЕСТО В СТРУКТУРЕ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ. 1.1. Цели дисциплины 1.2. Задачи дисциплины 2. КОМПЕТЕНЦИИ ОБУЧАЮЩЕГОСЯ, ФОРМИРУЕМЫЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ КЛИНИЧЕСКАЯ ФАРМАКОЛОГИЯ. 2.1. Общекультурные 2.2. Профессиональные. 3. ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ. 4. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ.. 4.1 Лекционный курс.. 4.2 Практические занятия.. 4.3 Самостоятельная внеаудиторная работа студентов. 5. МАТРИЦА...»

«Федеральное агентство по образованию Сыктывкарский лесной институт – филиал ГОУ ВПО Санкт-Петербургская государственная лесотехническая академия имени С. М. Кирова Кафедра Машины и оборудование лесного комплекса ТЕОРИЯ И КОНСТРУКЦИЯ ЛЕСНЫХ КОЛЕСНЫХ И ГУСЕНИЧНЫХ МАШИН СБОРНИК ОПИСАНИЙ ЛАБОРАТОРНЫХ РАБОТ для подготовки дипломированных специалистов по направлению 651600 Технологические машины и оборудование специальности 150405 Машины и оборудование лесного комплекса (очная и заочная формы...»

«СОДЕРЖАНИЕ Содержание Цели и задачи дисциплины, ее место в структуре основной образовательной 1. программы специалиста..3 1.1. Цели преподавания дисциплины...3 1.2. Задачи преподавания оториноларингологии.3 Требования к уровню освоения дисциплины..3 2. Объем дисциплины и виды учебной работы..5 3. Содержание дисциплины..5 4. 4.1. Лекционный курс..5 4.2. Клинические практические занятия..8 4.3. Самостоятельная работа студентов..11 4.4. Научно-исследовательская работа студентов....»

«Образовательный стандарт МГТУ им. Н.Э. Баумана 200401 Электронные и оптико-электронные приборы и системы специального назначения Образовательный стандарт МГТУ им. Н.Э. Баумана 200401 Электронные и оптико-электронные приборы и системы специального назначения ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ Специальность 200401 Электронные и оптико-электронные приборы и системы специального назначения утверждена постановлением Правительства Российской Федерации от 29 июня 2011 г. N 521. Образовательный стандарт разработан в...»

«СОДЕРЖАНИЕ 1. ЦЕЛИ И ЗАДАЧИ ДИСЦИПЛИНЫ – ОТОРИНОЛАРИНГОЛОГИЯ, ЕЕ МЕСТО В СТРУКТУРЕ ОСНОВНОЙ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЙ ПРОГРАММЫ.3 1.1. Цели преподавания дисциплины..3 1.2. Задачи преподавания оториноларингологии.3 2. КОМПЕТЕНЦИИ ОБУЧАЮЩЕГОСЯ, ФОРМИРУЕМЫЕ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОСВОЕНИЯ ДИСЦИПЛИНЫ - ОТОРИНОЛАРИНГОЛОГИЯ..3 3. ОБЪЕМ ДИСЦИПЛИНЫ И ВИДЫ УЧЕБНОЙ РАБОТЫ.6 4. СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ..6 4.1. Лекционный курс..6 4.2. Клинические практические занятия..6 4.3. Самостоятельная работа студентов..11 5. МАТРИЦА...»

«ПРАКТИЧЕСКАЯ ЭНТОМОЛОГИЯ ВЫП. VII Под ред. проф. Н. Н. Б о г д а н о в а-К а т ь к о в а Г. Г. ЯКОБСОН ОПРЕДЕЛИТЕЛЬ ЖУКОВ ИЗДАНИЕ 2-Е дополненное Д. А. О г л о б л и н ы м Книга оцифрована Мартьяновым Владимиром Дата последней компиляции — 13.2.2005 ГОСУДАРСТВЕННОЕ ИЗДАТЕЛЬСТВО СЕЛЬСКОХОЗЯЙСТВЕННОЙ И КОЛХОЗНО-КООПЕРАТИВНОЙ ЛИТЕРАТУРЫ МОСКВА — 1931 — ЛЕНИНГРАД Редактор А. М. Карнаухова Технич. редактор И. С. Гимельштейб Книга сдана в набор 30 апреля, подписана к печати 6 октября 1931 г. СХ-У...»

«7 Пленарні доклади УДК 1:001 ИССЛЕДОВАНИЯ И РАЗРАБОТКИ НА ФАКУЛЬТЕТЕ КОМПЬЮТЕРНЫХ НАУК И ТЕХНОЛОГИЙ Аноприенко А.Я. Донецкий национальный технический университет, г. Донецк Кафедра компьютерной инженерии E-mail: anoprien@gmail.com Аннотация Аноприенко А.Я. Исследования и разработки на факультете компьютерных наук и технологий. В докладе представлен краткий очерк истории, состояния и будущего исследований и разработок на факультете компьютерных наук и технологий ДонНТУ. Приведены примеры...»

«Информационные технологии в криминалистике ПРИЗНАКИ МОНТАЖА И ДРУГИЕ ИЗМЕНЕНИЯ В ЦИФРОВЫХ ФОНОГРАММАХ И ФОТОГРАФИЯХ И.Ю.Фетняев(Государственный экспертно-криминалистический центр МВД Республики Беларусь) Развитие и широкое распространение компьютерных средств обработки и монтажа цифровых записей, доступность детальной информации о выполнении таких действий на сегодняшний день привели к ситуации, когда создание поддельной фонограммы или фотографии может оказаться простой задачей даже для...»

«К ЮБИЛЕЮ Г.С. БАТЫГИНА КАРьЕРА, эТОС И НАУЧНАя БИОГРАфИя: К СЕмАНТИКЕ АВТОБИОГРАфИЧЕСКОГО НАРРАТИВА Г.С. Батыгин1 Биографическое повествование подчинено некоторым архетипическим схемам запоминания мест, событий и образов. Эти схемы, в отличие от мнемотехнических схем запоминания в эпоху, предшествовавшую изобретению книгопечатания, где манипуляции с памятными образами должны были захватывать всю душу целиком [7, с. 6], воспроизводятся в институциональных образцах, заданных коллективными...»







 
© 2014 www.kniga.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, пособия, учебники, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.