WWW.KNIGA.SELUK.RU

БЕСПЛАТНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ БИБЛИОТЕКА - Книги, пособия, учебники, издания, публикации

 

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ РЕСПУБЛИКИ МОЛДОВА

На правах рукописи

УДК: 621.315.592.539.213

КИРИЦА АРКАДИ

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

В СТРУКТУРАХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫЙ

ПОЛУПРОВОДНИК - ДИЭЛЕКТРИК ДЛЯ

ГОЛОГРАФИЧЕСКОЙ РЕГИСТРАЦИИ ОПТИЧЕСКОЙ

ИНФОРМАЦИИ

134.01 - ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ

Автореферат диссертации на соискание учёной степени доктора физических наук

КИШИНЁВ - 2014

Работа выполнена в лаборатории “Фототермопластическая регистрация” Государственного Университета Молдовы

Научный руководитель:

КАРАМАН М.И., доктор хаб. физ.-мат. наук, профессор, Государственный Университет Молдовы

Официальные оппоненты:

ЦИУЛЯНУ Д.И - доктор хаб. физ.-мат. наук, профессор, Технический Университет Молдовы АКИМОВА Е.А.. - доктор физ.-мат. наук, Академия Наук Молдовы Члены специализированного научного совета 30.134.01-01:

1. ГАШИН П., председатель, доктор хаб. физ.- мат. наук, профессор, Государственный Университет Молдовы 2. ЕВТОДИЕВ И., научный секретарь, доктор хаб. физ.- мат. наук, Государственный Университет Молдовы 3. НЕДЕОГЛО Д., доктор хаб. физ.- мат. наук, профессор, Государственный Университет Молдовы 4. ШЕРБАН Д., доктор хаб. физ.- мат. наук, профессор, Академия Наук Молдовы 5. АБАШКИН В., доктор физ.- мат. наук, Академия Наук Молдовы 6. ГЕОРГИЦЭ Е., доктор хаб. физ.- мат. наук, профессор, Тираспольский Технический Университет

Защита состоится 4 апреля 2014г. в 15:00 часов на заседании специализированного научного Совета 30.134.01-01 при Государственном Университете Молдовы по адресу: ул.

А.Матеевич 60, г. Кишинёв, MD-2009, Республика Молдова, блок IV, ауд. 122/

С диссертацией и авторефератом можно ознакомиться в библиотеке Государственного Университета Молдовы и на сайте Национального Совета по Аттестации и Аккредитации (www.cnaa.md).

Автореферат разослан 27 февраля 2014 г.

Учёный секретарь спец. научного совета 30.134.01-01, доктор хаб. физ.- мат. наук, _ЕВТОДИЕВ Игорь Научный руководитель, доктор хаб. физ.-мат. наук, КАРАМАН Михаил Автор, _КИРИЦА Аркади © Кирица Аркади,





ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы В настоящее время проблемам регистрации, накопления и обработки оптической информации уделяется большое внимание, что требует разработки, как новых регистрирующих сред, так и усовершенствования известных фоточувствительных носителей и методов регистрации и обработки оптической информации. Повышенное внимание уделяется носителям и устройствам для регистрации оптической информации в реальном масштабе времени, когда регистрация и получение изображения происходят без дополнительной обработки носителя за времена, соизмеримые со временем записи. К таким способам записи относятся цифровые методы регистрации оптической информации, запись на фоторефрактивные кристаллы и фототермопластический процесс.

Фототермопластические (ФТП) носители оптической информации обладают высокими значениями фоточувствительности, разрешающей способности и малыми временами регистрации оптической информации, что в первую очередь обусловлено свойствами фоточувствительных материалов, применяемых для изготовления ФТП носителей. В настоящее время хорошо известны ФТП носители на основе как органических, так и неорганических полупроводников, которые не отличаются принципом записи, а только составом фоточувствительного слоя. К неорганическим материалам для создания ФТП носителей в первую очередь следует отнести халькогенидные стеклообразные полупроводники (ХСП). Большой интерес к ХСП системы сульфид – селенид мышьяка связан с возможностью их использования в качестве регистрирующих сред для записи оптической информации. Высокая фоточувствительность в сочетании с низкой темновой проводимостью позволяют использовать ХСП для создания электрофотографических и фототермопластических носителей оптической информации. Также способность ХСП к фотоструктурным превращениям, проявляющаяся в фотопотемнении или фотопросветлении слоя под действием облучения, позволяет регистрировать оптическую информацию непосредственно в полупроводниковом слое. Эти свойства ХСП расширяют диапазон возможностей ФТП носителей на их основе по сравнению с органическими носителями, например, в голографической интерферометрии, когда исходное состояние объекта может быть зарегистрировано фотоструктурными превращениями в слое ХСП, а изменение его состояния – методом фототермопластической записи.

Регистрирующие среды на основе ХСП обладают избирательной спектральной монохроматическом лазерном излучении необходимо получать полупроводниковые слои с максимумом спектральной чувствительности вблизи длины волны используемого лазерного излучения. Также основные голографические параметры ФТП носителей зависят не только от свойств ХСП, но и от физических параметров структуры полупроводник – термопластик.

Актуальной задачей является получение структуры ХСП – термопластический полимер с высокими значениями чувствительности, разрешающей способности для регистрации голограмм и интерферограмм в реальном масштабе времени с высокими значениями дифракционной эффективности. Выполнение такой задачи позволит не только успешно применять ФТП носители в голографической микроскопии, интерферографии и импульсной голографии, но и разработать новые методики их успешного применения в регистрации голографической информации.





Цель и задачи работы Получение тонких пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Se-S на гибкие подложки большой протяженности с электрофизическими параметрами, необходимыми для записи и воспроизведения голографической информации. Исследование электрофизических и оптических параметров полученных тонкопленочных структур с целью их применения в ФТП процессе.

Получение фототермопластических (ФТП) носителей на основе ХСП системы As-Se-S и термопластического слоя на основе poly-N-epoxypropylcarbazole с максимумом спектральной фоточувствительности в зеленой области видимого спектра для регистрации оптической информации в реальном масштабе времени.

Получение ФТП носителей с разрешающей способностью до 4000mm-1 и исследование влияния структуры тонких пленок ХСП системы As-Se-S на разрешающую способность носителя.

Получение ФТП носителей для регистрации голографических решеток с дифракционной эффективностью до 40% в проходящем сигнале.

Исследование процессов регистрации и восстановления голограмм в реальном масштабе времени и импульсной записи в наносекундном диапазоне на ФТП носители на основе системы As-Se-S.

Разработка метода регистрации голограмм в растрированном волновом фронте, который позволит определять размеры регистрируемых микрообъектов по известному периоду интерференционного растра.

Научная новизна исследований 1. Установлено, что дифракционная эффективность голографических решеток, зарегистрированных на фототермопластические носители на основе тонких слоев As-SeS, зависит от дифракции записывающих лазерных пучков на движущейся поверхности термопластического слоя. Изменение кинетики зарядки ФТП носителя позволило получить дифракционную эффективность до 40% в проходящем сигнале.

2. Установлено, что при считывании голографической информации происходит эффект фотопросветления в системе ХСП – термопластический полимер.

3. Разрешающая способность фототермопластических носителей зависит от технологии получения полупроводникового слоя из твердого раствора As2S3-As2Se3, оптотермических свойств полимера и режима регистрации оптической информации.

Разработаны ФТП носители на основе As2S3-As2Se3 с предельной разрешающей способностью до 4000 mm-1.

4. Установлена взаимосвязь между составом ХСП системы As-Se-S и максимумом голографической чувствительности при регистрации импульсных голограмм в наносекундном диапазоне.

5. Разработан новый метод определения размеров микрообъектов в растрированном волновом фронте. Показана возможность применения ФТП носителей на основе ХСП системы As-Se-S в голографической микроскопии реального времени.

Положения, выносимые на защиту Спектральная ширина продольной фоточувствительности тонких слоев твердых растворов Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 с X=0,78, X=0,68 и X=0,62 ограничена поверхностной рекомбинацией неравновесных носителей и структурой края полосы основного поглощения.

Разрешающая способность структур ХСП – термопластик при ФТП процессе определяется поверхностным рельефом фоточувствительного полупроводника, электростатическим контрастом в слое As-Se-S и термомеханическими свойствами термопластика.

Процесс переноса масс термопластика при формировании рельефно-фазовой решетки уменьшает электростатический контраст в слое As-Se-S, что приводит к снижению дифракционной эффективности регистрируемой голограммы.

Эффект просветления в структуре As-Se-S – термопластик определяется оптическими характеристиками и остаточной толщиной термопластика между слоем ХСП и рельефнофазовой дифракционной решеткой на поверхности термопластического слоя.

При импульсной регистрации оптической информации в наносекундном диапазоне максимум голографической чувствительности ХСП системы As-Se-S смещается в коротковолновую область спектра.

Практическая значимость результатов 1. Разработана технология получения ФТП носителей на основе системы As-Se-S с разрешающей способностью до 4000mm-1. Продемонстрировано, что предельная разрешающая способность структуры ХСП – термопластический полимер зависит от технологии получения тонких пленок системы As2Se3 – As2S3 и распределения электростатических зарядов в структуре полупроводник – полимер.

2. Разработана технология получения ФТП носителей на основе системы As2Se3 – As2S3 c максимумом голографической чувствительности 6·106 cm2/J для длины волны =532 nm для состава на основе твердого раствора 72at.%As2S3:28at.%As2Se3. Разработаны ФТП носители для регистрации импульсных голограмм при продолжительности импульса 5ns на основе твердого раствора Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 при X=0,62.

3. Разработана технология получения ФТП носителей, позволяющих регистрировать голографические дифракционные решетки с дифракционной эффективностью до 40% в проходящем сигнале. Продемонстрировано наличие эффекта фотопросветления в голографической информации в лазерном излучении =532 nm, зарегистрированной на фототермопластические носители на основе системы As-Se-S.

4. Разработан новый метод регистрации голограмм в растрированном волновом фронте, позволяющий определять размеры исследуемых микрообъектов в проходящем и отраженном свете.

Внедрение научных результатов Научные результаты были внедрены в компанию Physical Optics Corporation (USA) в 2010 году.

Апробация результатов 1. Kukhtarev N., Kukhtareva T., Chirita A. Holographic imaging and interferometry with nonBragg diffraction orders in lithium niobate and photo-thermoplastic materials. Proc. of SPIE, 2012, v.8497, p. 8497061– 2. Kukhtarev N., Chirita A., Kukhtareva T. Holographically amplified interferometry with coherent fringe projection for the oil on the water remote sensing and characterization, Proc. of SPIE, 2013, v.8847, p. 88471J1- 3. Chirita A, Corsac O., Nasedchina N., Stamate M., Caraman M. Optical phenomena at glass semiconductors (As-S-Se)-polymer separating interface in devices of electro-thermographic optical information recording,

Abstract

of the Xth international conference OPROTEH-2013, 23-25 May 2013, Bacau, Romania Публикации: Основные результаты опубликованы в 20 научных работах и 6 патентах.

фототермопластические носители, регистрация оптической информации, голография реального времени, голографическая микроскопия, голографическая интерферометрия Структура работы Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, общих выводов и рекомендаций. Работа содержит 129 страниц основного текста, 57 рисунков, 1 таблицу и литературных ссылок.

СОДЕРЖАНИЕ ДИССЕРТАЦИИ

Во введении показана актуальность проведенных исследований, сформулированы цель и задачи работы, изложены научная новизна работы и практическая ценность проведенных исследований, представлено внедрение полученных результатов для их практического применения. Изложены выводы, сделанные в ходе выполнения работы, которые сформулированы в виде положений, выносимых на защиту.

Глава 1 содержит анализ литературных данных по проблемам разработки новых фоточувствительных материалов на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Se-S для регистрации оптической информации в реальном времени.

В первой части обзора представлены основные электрофизические и оптические параметры халькогенидных стеклообразных полупроводников на основе системы As-Se-S и возможность их применения в системах регистрации оптической информации. При электрофотографических процессах к фоточувствительному полупроводнику предъявляются достаточно высокие требования по следующим параметрам: высокое удельное сопротивление (1013 -1014 Oм·см), высокая фоточувствительность в заданной области спектра, отсутствие утечек зарядов по поверхности и высокая разрешающая способность.

Халькогенидные стеклообразные полупроводники систем As-Se-S обладают всеми вышеперечисленными свойствами. Непрерывный ряд твердых растворов системы As2Se3(х):

As2S3(1-х) позволяет получить фоточувствительные среды с максимумом фоточувствительности на любой из заданных длин волн видимого спектрального диапазона [1-2]. В работе [3] рассматриваются фотоиндуцированные изменения под действием фотооблучения и облучения электронным пучком в тонких пленках ХСП системы As-Se-S и As2S3. В работе [4] показана возможность применения тонких пленок ХСП системы As-Se-S в качестве фоторезистов высокой разрешающей способности для изготовления матриц цифровых камер. При регистрации дифракционных решеток на слои ХСП в иммерсионных средах были получены решетки с пространственной частотой до 7000 мм -1 [5].

Фотостимулированные изменения в ХСП системы As-Se-S приводят к изменению коэффициентов преломления материалов вблизи инфракрасной области спектра.

Исследования, представленные в работах [6-7], показывают изменение коэффициента преломления в слоях As2S3 и As2Se3 при облучении в спектральном диапазоне ближней инфракрасной области от 900 до 1700 nm. Также хорошо изучены процессы фотопотемнения и фотопросветления в тонких пленках As2S3 и As2Se3 при фотоструктурных превращениях под действием оптического излучения [8], что позволяет регистрировать фазовые голограммы в тонких пленках ХСП [9]. Наиболее подробно рассмотрены возможности применения ХСП системы As-Se-S в оптоэлектронике в системах регистрации оптической информации методами фотоструктурирования и фотоиндуцирования в работах [10-11]. В этих работах рассматриваются как технологии получения тонких пленок системы As-Se-S, так и подробно исследованы их электрофизические и оптические свойства, а также их практическое применение в качестве фоторезистов и сред для регистрации голограмм с высоким разрешением. Особый интерес представляют последние исследования по эффекту переноса массы ХСП в процессе регистрации дифракционных решеток методом фотоструктурирования [12-13].

В обзоре литературных данных рассмотрены аспекты применения ХСП системы AsSe-S в фототермопластическом процессе при регистрации оптической информации в реальном времени. Проведен сравнительный анализ фототермопластических носителей на основе органических полупроводников и халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Se-S. Для ФТП носителей на основе органических полупроводников были получены разрешающая способность до 4000 mm-1 и дифракционная эффективность до 40% при регистрации дифракционной решетки на пространственной частоте записи 1170 mm- [14]. Разрешающая способность ФТП носителей на основе ХСП системы As-Se-S ограничивается значением не более, чем 1500 mm-1 [15]. Это достаточно трудно объяснимый факт, так как при регистрации дифракционных решеток на ХСП системы As-Se-S методом фотоструктурирования с использованием иммерсионных сред были получены решетки с периодом порядка 0,1 µm (пространственная частота записи ~ 10000 mm-1) [5].

На основании изученных литературных источников были сформулированы цели и задачи диссертационной работы.

тонкопленочных структур системы As-Se-S для получения фоточувствительных тонких слоев на гибкие подложки, описаны методики измерений и исследованы электрофизические и оптические параметры полученных тонкопленочных структур, представлены технологии термопластического слоя poly-N-epoxypropylcarbazole.

Обосновано применение метода термического испарения в вакууме механической смеси на основе твердых растворов As2Se3 – As2S3 на гибкие подложки из полиэтилентерефталата протяженностью до 5 метров. Приведено описание разработанной установки для получения тонкопленочных структур системы Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 и описан технологический процесс получения тонких пленок со стабильными электрофизическими параметрами.

Исследованы электрофизические и оптические свойства полученных тонкопленочных структур. Установлен состав 67at.%As2S3:33at.%As2Se3, у которого при комнатной температуре максимум спектральной зависимости фототока совпадает с длиной волны фототермопластическом процессе необходимо учитывать температурное смещение спектральной зависимости фоточувствительности при нагреве слоя ХСП от комнатной температуры до температуры записи [16]. Для термопластика на основе poly-Nepoxypropylcarbazole температура записи при ФТП процессе составляет 790С. Максимум 67at.%As2S3:33at.%As2Se3 находится при =540 nm. Тонкие пленки ХСП с максимумом спектральной чувствительности вблизи =532 nm при температуре 79 0С были получены для состава в соотношении компонент 72at.%As2S3:28at.%As2Se3. Для такого состава максимум спектральной чувствительности при T=220C находится вблизи =526 nm, a при T=790C смещается в длинноволновую область спектра до =532 nm, что позволяет использовать состав 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 для создания фототермопластических носителей с максимум чувствительности для лазерного излучения с длиной волны 532 nm. Коэффициент поглощения для состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 определен из измерения спектральной интерференционные эффекты (пропускание слоя 10%) [17]. Оптическая ширина запрещенной зоны аморфного полупроводника состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3, определенная по экстраполяции прямолинейного участка зависимости (·h)1/2=f(h) к = [18, стр.508], равна E0 ~2,2 eV. Для определения электрофизических параметров проведены исследования температурной зависимости кинетики спада поверхностного потенциала для состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 при освещенности 0,6 lx. Удельное сопротивление уменьшается с 1,2·1014 Ohm·cm при Т=24 0С до 5·1013 Ohm·cm при Т=79 0С, в то время как световое удельное сопротивление изменяется от 1,3·1013 Ohm·cm (Т=24 0С) до 7· Ohm·cm (Т=79 0С).

Для получения фототермопластических носителей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников состава Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 и термопластического слоя на основе poly-N-epoxypropylcarbazole использовались технологии термического испарения в вакууме [19-20] и технология полива тонкопленочных слоев полимера из раствора poly-N-epoxypropylcarbazole в толуоле. Полученные фототермопластические носители представляют собой многослойную структуру из последовательно полученных на лавсановой основе проводящего полупрозрачного электрода на основе Cr, слоя фоточувствительного полупроводника состава Xat.%As2S3:(100X)at.%As2Se3 с X=0,78, X=0,68 и X=0,62 толщиной 1,5 µm, термопластического слоя на основе poly-N-epoxypropylcarbazole в интервале толщин 0,21µm. Диапазон толщин термопластического слоя был выбран из условия резонансного характера записи фототермопластической структуры, когда максимальное значение дифракционной эффективности достигается на резонансной частоте записи. Резонансная частота записи не зависит от состава или толщины полупроводникового слоя, а только от толщины термопластического слоя. Зависимость между резонансной частотой записи (max) и толщиной термопластического слоя (D) описывается полуэмпирическим соотношением [21, cтр.86]:

фототермопластических носителей с разрешающей способностью от 100 до 4000mm- находится в интервале 0,21µm.

Регистрация оптической информации на фототермопластические носители требует специального оборудования, которое было разработано и изготовлено в процессе выполнения данной работы. Разработанная и изготовленная фототермопластическая камера для регистрации оптической информации позволяет использовать носители как на основе неорганических, так и органических фоточувствительных полупроводников [22]. Основные параметры фототермопластического процесса для разработанных и изготовленных носителей на основе полупроводника состава Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 с X=0,78, X=0,68, X=0,62 и термопластика на основе poly-N-epoxypropylcarbazole были установлены из зависимостей дифракционной эффективности от пространственной частоты записи при регистрации интерференционных решеток в лазерном излучении =532 nm. Зарядка поверхности термопластика положительными ионами обеспечивается ионизационным устройством при потенциале 7,9 kV, пластическое состояние термопластика достигается при температуре разогрева T=790С, и время регистрации варьируется в диапазоне 1,43,6 s.

В главе 3 представлены результаты исследований оптических и голографических характеристик фототермопластических носителей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As-Se-S и термопластика на основе poly-Nepoxypropylcarbazole.

фототермопластическом процессе исследовалась на ФТП носителях на основе состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 и As2S3 в интервале толщин термопластического слоя 0,20, µm. При толщине термопластического слоя 0,45 µm спектр регистрируемых пространственных частот в лазерном излучении =532 nm ограничивается интервалом 502200 mm-1, а максимальное значение дифракционной эффективности в 30 % достигается на резонансной частотой записи rez=1000 mm-1. Дифракционная эффективность (DE) определялась как отношение интенсивности света в первом дифракционном максимуме к интенсивности света, прошедшего через неэкспонированный участок исследуемого образца.

Такой метод определения DE позволяет исключить влияние поглощения света в структуре металлический электрод – полупроводник. При толщине термопластического слоя 0,3 µm максимальное значение дифракционной эффективности в 12 % достигается на резонансной частотой записи rez=1500 mm-1, а спектр регистрируемых пространственных частот расширяется до интервала 500 3500 mm-1. Исследования зарегистрированных решеток на атомно-силовом микроскопе позволили определить глубину профиля решеток 0,11 µm и отсутствие поверхностных дефектов при пространственной частоте 3500 mm-1. Для регистрации дифракционных решеток с более высокими пространственными частотами запись проводилась в излучении Ar+ лазера с длиной волны =465,8 nm. Были получены фототермопластические носители на основе фоточувствительного полупроводника As2S3, обладающие чувствительностью к лазерному излучению с =465,8 nm. При регистрации дифракционных решеток с пространственной частотой более 3500 mm-1 дифракционная эффективность резко убывает до значений не более 0,1 %. Исследование поверхности слоев As2S3 на сканирующем зондовом микроскопе Nanoscope VEECO показало, что неоднородность поверхности слоя As2S3 составляет ~75 nm, что, как было установлено, ограничивает разрешающую способность структуры полупроводник – термопластик.

Уменьшение скорости осаждения полупроводникового слоя при термическом испарении в вакууме до ~ 80 ангстрем в секунду позволило существенно уменьшить поверхностную неоднородность As2S3. Исследование поверхности слоев As2S3 на сканирующем зондовом микроскопе показало неоднородность поверхностного рельефа ~40 nm. На поверхность As2S3 были нанесены термопластические слои толщиной 0,2 µm, и при помощи AFM микроскопа исследована поверхность термопластического слоя. На полученном изображении наблюдается достаточно однородная поверхность термопластического слоя с перепадом глубины рельефа ~19 nm Зависимость дифракционной эффективности от пространственной частоты записи для фототермопластических носителей на основе As2S3 с толщиной термопластика 0,2 µm показывает максимальное значение DE=7% при резонансной частоте записи пространственной частоты записи дифракционная эффективность плавно уменьшается и доходит до 0,5% при =4000 mm-1 [23-24].

Исследования по достижению максимальных значений дифракционной эффективности фототермопластических носителей на основе состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 и термопластического слоя poly-N-epoxypropylcarbazole в интервале толщин 0,20,6 µm проводились в лазерном излучении =532 nm. Дифракционная эффективность (DE) определялась как отношение интенсивности света в первом дифракционном максимуме к интенсивности света, прошедшего через неэкспонированный участок исследуемого образца.

Максимальные значения дифракционной эффективности в 30% были получены при регистрации интерференционных решеток в интервале пространственных частот mm-1 для носителей с толщиной термопластического слоя в интервале 0,42 0,45 µm.

Исследования кинетики роста дифракционной эффективности в процессе записи показали быстрый рост DE до значений 20% за 1,2 s, после чего наблюдается более медленное увеличение DE до значения 30% в течение 2,3 s. Было установлено, что при ФТП процессе интерференционная картина в полупроводниковом слое формируется пучками, проходящими через движущийся поверхностный рельеф термопластического слоя. В начальный момент времени интерференционная картина формируется при помощи лазерных пучков как в термопластическом слое, так и в светочувствительном полупроводниковом слое. С началом процесса регистрации на поверхности термопластического слоя начинает формироваться рельефно-фазовая решетка в виде канавок, глубина которых увеличивается на протяжении всего процесса записи. Разогретый до пластичного состояния термопластик можно рассматривать как вязкую несжимаемую жидкость, и формирование углублений в освещенных местах сопровождается процессом переноса масс полимера из освещенных участков в неосвещенные участки растра. Формирование поверхностного рельефа, сопровождающееся процессом переноса масс термопластика, приводит к дифракции записывающих лазерных пучков на движущейся поверхности термопластика на протяжении фоточувствительном слое создается только прошедшими без изменения через рельефнофазовую решетку нулевыми порядками дифракции. В то же время все другие порядки дифракции создают дополнительную засветку полупроводникового слоя, которая ухудшает контраст интерференционных полос регистрируемой решетки. Можно предположить, что при достижении DE~20% дифракция лазерных пучков на движущемся поверхностном рельефе полупроводниковом слое, и максимальное значение DE достигается только около 30%.

Экспериментально было установлено, что более высокие значения DE достигаются при изменении условий зарядки термопластического слоя в процессе регистрации дифракционных решеток. После 1,2s c начала процесса регистрации автоматически уменьшалось напряжение ионизирующего устройства с 7,8 kV до 6,7 kV, что приводило к росту DE до 40% при общем времени записи 3,2 s. Глубина деформации рельефно – фазовой решетки, измеренная на AFM микроскопе, составляет ~0,49µm. Понижение напряжения ионизирующего устройства через 1,2 s с момента начала деформации приводит к уменьшению поверхностного заряда термопластика, и, как следствие, уменьшается кулоновское взаимодействие между зарядами на поверхности и в полупроводниковом слое.

Можно предположить, что ослабление электростатических сил уменьшает влияние дополнительной засветки на полупроводниковый слой. В то же время более низкого напряжения ионизации достаточно для завершения процесса деформации на всю глубину термопластического слоя, и при этом достигается максимальное значение DE=40% [25].

Было установлено, что измеряемые значения DE зависят не только от глубины деформации и резонансной частоты записи, но и от процессов отражения светового сигнала на границе раздела ХСП – термопластик. Из расчета глубины профиля дифракционной решетки было установлено, что относительно первоначальной поверхности термопластического слоя поверхностный рельеф углубился на ~ 0,27 µm. Выпуклая часть канавок поднялась в процессе записи на ~0,22 µm, что в сумме составляет глубину рельефа ~0,49 µm. В то же время между поверхностным рельефом и слоем ХСП остается недеформированная часть термопластика толщиной h=0,15 µm, которая определяется как разность между изначальной толщиной термопластика и глубиной продавливания 0,27 µm относительно первоначального уровня поверхности термопластического слоя. Перед процессом записи толщина термопластического слоя составляла Н=0,42µm. Таким образом, между поверхностным рельефом и слоем ХСП остается недеформированный слой термопластика толщиной h~0,15µm. Тонкопленочная полимерная структура на поверхности ХСП может давать эффект фотопросветления в случае, если h=/4 и при коэффициентах преломления ХСП (nsc) и термопластика (ntp), удовлетворяющих условию[26, стр.190]:

Измеренный показатель преломления тонкого слоя состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 на длине волны =532 nm равен nsc=2,6, а для термопластика ntp=1,5, что достаточно хорошо удовлетворяет условию (2). Так как толщина недеформированного термопластического слоя h известна и находится вблизи ~0,15µm, то эффект фотопросветления в структуре ХСП – полимер был исследован экспериментально. На поверхность ХСП состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 был нанесен слой термопластика толщиной ~0,15µm и было измерено пропускание слоя ХСП и структуры ХСП – полимер. Было установлено, что пропускание структуры ХСП – полимер на длине волны =532nm в 1,18 раза больше, чем пропускание не покрытого термопластиком слоя ХСП. По результатам исследований можно сделать вывод, что достижение значений DE вблизи 40% для фототермопластических носителей определяется не только формой профиля, но и эффектом просветления в структуре фоточувствительный полупроводник – термопластик.

Голографическая чувствительность структуры ХСП – термопластик при стационарном процессе записи исследовалась на ФТП носителях с полупроводниковым слоем на основе состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 толщиной 1,5 µm и термопластическим слоем на основе poly-N-epoxypropylcarbazole толщиной 0,45 µm. Для этого состава максимальное значение фототока (при T=790C) находится при =532 nm. Исследования голографической чувствительности проводились на голографической установке, сконструированной на основе DPSS лазера с длиной волны излучения =532 nm. При записи дифракционных решеток ФТП носитель освещался равными по интенсивности плоскопараллельными лазерными пучками, формирующими в фоточувствительном полупроводниковом слое интерференционную решетку с пространственной частотой записи =1000mm-1. После разогрева ФТП носителя до температуры T=790 C одновременно включались зарядное устройство и оптический затвор, обеспечивающий освещение образца в течение выбранного времени экспозиции t, а разогрев ФТП носителя прекращался с момента начала процесса регистрации.

Голографическая чувствительность определялась из соотношения [27, с.314]:

где – дифракционная эффективность, H– энергетическая экспозиция, V- видность интерференционных полос.

Регистрация дифракционных решеток проводилась при суммарной интенсивности лазерных пучков I=1,2•10-7 W/cm2 и времени освещения t=1,4s, что соответствует экспозиции H=1,68•10-7J/cm2. Дифракционная эффективность зарегистрированных решеток составляла DE=1%. Для полученных ФТП носителей пороговая голографическая чувствительность для =532 nm при DE=1% равна S 532nm 6 10 6 cm 2 J 1 [28].

наносекундном диапазоне для лазерного излучения =532 nm возникают проблемы, связанные с особенностями импульсных DPSS лазеров, а именно с фиксированным взаимозаменяемость параметров экспозиции E и t в интервале от секунд до наносекундного диапазона. Для регистрации импульсных голограмм состав ХСП системы (X)at.%As2S3:(100X)at.%As2Se3 был подобран экспериментально. В отличие от предыдущих исследований, продолжительности импульса 5 ns был получен для состава 62at.%As2S3:38at.%As2Se3 с оптической шириной запрещенной зоны 2,15 eV. Максимум спектральной зависимости фототока для таких слоев находится вблизи =545 nm, в то время как при стационарном процессе записи максимум голографической чувствительности для лазерного излучения =532 nm совпадает с максимумом фототока на этой же длине волны для состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3. Для интерпретации смещения максимума голографической чувствительности в сторону больших энергий были проведены исследования по регистрации импульсных голограмм (продолжительность импульса 5ns) при освещении ФТП носителя как со стороны термопластического слоя, так и со стороны подложки. Проведенные исследования для ФТП носителей на основе состава 62at.%As2S3:38at.%As2Se3 показали, что термопластического слоя. На основе проведенных исследований было установлено, что при импульсной записи в наносекундном диапазоне имеет значение расстояние от области формирования сгенерированных световым импульсом зарядов до границы раздела ХСП – термопластик.

Халькогенидным стеклообразным полупроводникам системы As-Se-S свойственны низкие значения подвижности носителей заряда [29], так, согласно литературным данным, дрейфовая подвижность носителей в As2S3 при Т=450C составляет значение порядка 10- cm2/V·s и порядка 10-7 cm2/V·s при Т=1650C [30], для As2Se3 µ=5·10-7 cm2/V·s [18,стр.539].

Согласно работе [31, стр.103], рекомбинация неравновесных носителей в стеклообразном As2S3 характеризуется временами порядка =10-510-6 s. Напряженность электрического поля при ФТП процессе достигает достаточно высоких значений порядка105 V/cm. При таких полях дрейфовая подвижность носителей заряда в аморфном As2Se3 возрастает до значений порядка 10-4 cm2/V·s [18, стр.540]. Для определения диффузионной длины пробега фотоиндуцированных носителей заряда использовался метод, предложенный в работе [32, стр.54]. Была определена диффузионная длина пробега для состава 62at.%As2S3:38at.%As2Se при напряженности поля порядка 105 V/cm, которая составляет значение 0,12 µm.

На основе полученных экспериментальных данных проведен анализ стационарного и импульсного процессов записи. При стационарной засветке процесс фотогенерации и рекомбинации неравновесных носителей носит стационарный характер, и концентрация фотоиндуцированных носителей за единицу времени не изменяется на протяжении всего процесса записи. При таком процессе сила кулоновского взаимодействия между зарядами увеличивается с ростом поверхностного потенциала, а также за счет уменьшения толщины термопластического слоя при развитии углублений на поверхности термопластика. При импульсной засветке концентрация неравновесных носителей определяется скоростью рекомбинации на ловушках, и объемный заряд в слое ХСП сохраняется во временном интервале порядка =10-510-6 s. Продолжительность силы кулоновского взаимодействия между зарядами на поверхности термопластика и в объеме полупроводника ограничивается только этим интервалом времени.

На основе полученных результатов можно сделать вывод, что при импульсной засветке в момент максимального значения силы Кулона происходит “ударная” деформация на поверхности вязкой жидкости, которой является разогретый до пластичного состояния термопластик. В результате инерционности процесса переноса масс термопластика процесс деформации растягивается во времени до ~ 0,1 s. По истечении времени жизни фотоиндуцированных носителей заряда сила кулоновского взаимодействия исчезает, и под действием сил упругости и поверхностного натяжения поверхность термопластика стремится выровняться. Необходимо отметить, что минимальная энергетическая экспозиция при импульсной записи составляет значение H=5•10-5J/cm2, что на два порядка превышает экспозицию при стационарном процессе записи и, соответственно, снижает голографическую чувствительность ФТП при импульсной записи до S=2·104cm2/J.

Основываясь на вышесказанном можно сделать вывод, что при импульсной засветке существенное значение имеет область формирования фотоиндуцированных зарядов в объеме 62at.%As2S3:38at.%As2Se3 располагается ближе к границе раздела ХСП – термопластик, чем для состава 72at.% As2S3:28at.% As2Se3, и сила кулоновского взаимодействия, обратно пропорциональная квадрату расстояния r между зарядами на поверхности и в объеме, будет выше для состава с большим коэффициентом поглощения. Как было установлено в результате экспериментов, таким составом является ХСП системы 62at.%As2S3:38at.%As2Se3.

Разработанные носители были исследованы в голографической лаборатории компании Physical Optics Corporations (USA) при регистрации импульсных голограмм в наносекундном диапазоне. Были зарегистрированы голограммы движущихся микрокапель воды в импульсном излучении =532 nm при энергетической экспозиции ФТП носителя µJ/cm2 и продолжительности импульса 5ns. Дифракционная эффективность голограммы составляла 5%. Также были зарегистрированы двухэкспозиционные голограммы при продолжительности каждого импульса 5 ns и промежутками между импульсами 0,5 ms [25].

В главе 4 представлены результаты исследований по применению ФТП носителей в голографической микроскопии реального времени. Предложен новый метод регистрации голограмм в растрированном волновом фронте с возможностью определения размеров микрообъектов при регистрации рельефно-фазовых голограмм на ФТП носители. Показана возможность применения разработанного метода для определения размеров светопропускающих и непрозрачных микрообъектов в реальном масштабе времени.

Проведены исследования по компьютерной обработке зарегистрированных голограмм в графических редакторах и предложена методика определения размеров микрообъектов при помощи сканирования по пикселям голографических изображений.

Предлагаемый метод регистрации голограмм основан на освещении объекта растрированным волновым фронтом с периодическим распределением интерференционных максимумов и минимумов в поперечном сечении когерентного пучка лазерного излучения. В отличие от известных методов регистрации голограмм в предлагаемом методе объект освещается не одним пучком, а двумя когерентными плоско – параллельными лазерными пучками от одного источника излучения. В таком случае в области перекрытия пучков формируется интерференционная решетка, состоящая из чередующихся светлых и темных полос с постоянным периодом d. Использование ФТП носителей с высокими значениями голографической чувствительности и разрешающей способности в голографической микроскопии является наиболее перспективным направлением для их практического фоточувствительным слоем на основе ХСП системы 72at.%As2S3:28at.%As2Se3 с максимумом спектральной чувствительности вблизи =532 nm и резонансной частотой записи =960mm-1.

Для определения размеров микрообъектов по предложенной методике были проведены исследования по регистрации голограмм в растрированном волновом фронте. В качестве тест - объекта была выбрана штриховая мира, состоящая из периодически расположенных прозрачных прямоугольных штрихов на непрозрачном фоне. Мира располагалась в плоскости формирования интерференционной картины с периодом растра d=2,5 µm.

Увеличенное микроскопом изображение штриховой миры и интерференционного растра при помощи оптической системы проектируется на ФТП носитель, и при наложении опорного пучка регистрируется рельефно – фазовая голограмма объекта. При освещении зарегистрированной голограммы опорным пучком на экране наблюдается восстановленное изображение объекта (рис.1a).

Рис.1. а) восстановленная голограмма штриховой миры; b) увеличенный фрагмент голограммы.

Увеличение при помощи объектива фрагмента восстановленного изображения объекта позволяет (рис.1b) определить ширину штриха миры при помощи голограммы интерференционного растра с известным периодом d= 2,5 m. Как видно из рисунка, на каждом штрихе объекта укладывается десять периодов растра, что соответствует ширине линии миры 25 m [33].

Исследования процессов регистрации голограмм непрозрачных объектов были проведены на пластине монокристалла кремния с нанесенными методом фотолитографии элементами микросхемы. Были зарегистрированы голограммы поверхности интегральной микросхемы при освещении объекта интерференционным растром с периодом d=3µm. На рис.2a представлено восстановленное изображение голограммы поверхности микросхемы, зарегистрированное на ФТП носитель на основе ХСП состава 72at.%As2S3:28at.%As2Se3.

Рис.2. Компьютерная обработка голограммы поверхности микросхемы: а) отсканированное изображение голограммы вдоль оси Х, b) увеличенный фрагмент голограммы, c) распределение интенсивности пикселей вдоль кадра.

Применение компьютерных технологий позволяет увеличить точность измерения объектов при регистрации голограмм в растрированном волновом фронте. Для графической обработки изображения была выбрана программа Origin 8.5, позволяющая графическое сканирование изображений вдоль и поперек кадра с возможностью определения распределения интенсивности пикселей. При помощи графического редактора было проведено сканирование изображения вдоль кадра перпендикулярно линиям интерференционного растра (ось Х, рис.2а). На рис.2c представлено распределение интенсивности пикселей в условных единицах передачи полутонов от 0 до 255. Как видно из полученной зависимости, распределение интенсивности вдоль кадра отражает максимумы и минимумы интерференционного растра. Исходя из известного периода растра d=3µm, можно рассчитать соотношение между количеством пикселей и реальным размером изображения.

Как показано на рис.2с, пятнадцати периодам растра d соответствуют 135 пикселей изображения. Таким образом, 1µm реального размера объекта соответствует 3 пикселям восстановленного изображения голограммы. На рис.2b представлен увеличенный фрагмент голограммы, размеры которого определены из полученного соотношения 1µm=3рх [34].

Предложенный метод определения размеров объектов в растрированном волновом фронте с последующей компьютерной обработкой позволяет с высокой точностью определять размеры удаленных объектов. Были проведены исследования по определению размеров капель пролива нефтепродуктов на водной поверхности [35-36]. На рис. представлено восстановленное изображение голограммы капли моторного масла на водной поверхности при освещении объекта интерференционным растром с периодом d=3 mm. Как видно из изображения, наряду с геометрическими размерами объекта наблюдается интерференция в тонкой масляной пленке. Помимо определения размеров капли также можно определить и диаметр интерференционных колец, что позволяет определить и толщину масляной пленки.

Рис. 3. Изображение капли моторного масла на поверхности воды с наложением интерференционного растра При сканировании изображения по оси Х1 определяется соотношение размера пикселя к известному периоду растра 3d=186 px, в результате чего получаем, что каждый пиксель соответствует ~0,05 mm реального изображения объекта [35-36].

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ, ВЫВОДЫ И РЕКОМЕНДАЦИИ

Была решена научная проблема по разработке фототермопластических носителей на основе халькогенидных полупроводников системы As-Se-S для голографической регистрации оптической информации в реальном времени. Были получены и исследованы оптические и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур на основе твердых растворов системы As2S3 - As2Se3. Были установлены факторы, определяющие разрешающую способность, фоточувствительность и дифракционную эффективность фототермопластических носителей на основе твердых растворов халькогенидных полупроводников системы X%at.As2S3:(100-X)%at.As2Se3 для регистрации голографической информации в стационарном и импульсном режимах. Был разработан новый метод определения размеров микрообъектов при регистрации голограмм в растрированном волновом фронте. На основе полученных научных результатов были сформулированы следующие выводы:

1. Усовершенствованная технология получения тонкопленочных структур системы As-Se-S позволяет получить стабильные по электрофизическим и оптическим параметрам слои на гибкие основы протяженностью до 3m.

2. Разрешающая способность структуры ХСП – термопластический полимер зависит от неоднородности поверхностного рельефа полупроводникового слоя. Для получения ФТП носителей с разрешающей способностью до 4000 mm-1 технология получения тонких пленок ХСП системы As-Se-S должна обеспечивать неоднородность поверхностного рельефа не более 40nm.

3. Установлено, что при ФТП процессе происходит дифракция записывающих лазерных пучков на движущейся в процессе записи поверхности термопластического слоя, что приводит к размытию скрытого электростатического изображения в слое ХСП.

Уменьшение в процессе регистрации потенциала на поверхности термопластика снижает влияние процесса дифракции регистрирующих пучков и увеличивает значение дифракционной эффективности регистрируемой дифракционной картины.

4. Показано увеличение пропускания структуры ХСП – термопластический полимер, что связано с эффектом просветления, который зависит от оптических свойств тонких пленок системы Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 и остаточной толщины термопластика между зарегистрированной дифракционной решеткой и слоем ХСП. Эффект просветления позволяет получить дифракционную эффективность регистрируемых решеток до 40% в проходящем сигнале.

5. При разработке ФТП носителей для стационарного процесса записи состав ХСП системы Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 должен обладать максимумом спектральной зависимости фототока на длине волны используемого лазерного излучения. Для лазерного излучения =532 nm голографическая чувствительность 6·106cm2/J достигается для состава ХСП системы 72at.%As2S3:28at.% As2Se3 с оптической шириной запрещенной зоны E0=2,2eV.

6. При экспозициях вблизи пороговой чувствительности ФТП носителя дополнительная засветка интегральным излучением увеличивает дифракционную эффективность регистрируемой голограммы с 1 до 5%.

7. При импульсном освещении ФТП носителя на основе ХСП состава Xat.%As2S3:(100X)at.%As2Se3 в наносекундном диапазоне максимум голографической чувствительности смещается в коротковолновую область спектра по сравнению со стационарным процессом записи. Для импульсной записи в лазерном излучении =532 nm и продолжительности импульса 5ns максимум голографической чувствительности достигается для состава 62at.%As2S3:38at.%As2Se3 с оптической шириной запрещенной зоны E0=2,15eV.

8. Разработан новый метод определения размеров микрообъектов в реальном масштабе времени при регистрации голографических изображений в плоскопараллельном растрированном волновом фронте, сформированном двумя предметными пучками, освещающими исследуемый объект. Показана возможность успешного применения ФТП носителей на основе системы As-Se-S в голографической микроскопии реального времени. Разработанный метод позволяет в реальном времени определять геометрические размеры объектов с удаленной дистанции. Компьютерная обработка зарегистрированных на ФТП носители голограмм увеличивает вдвое точность определения размеров исследуемых микрообъектов.

9. Разработанные методы определения размеров микрообъектов могут найти применение в электронной промышленности при фотолитографических процессах, в микробиологии, медицине и фармацевтике при исследовании процессов формирования и деградации микрообъектов.

БИБЛИОГРАФИЯ

1. Valee R. et al. Real-time observation of Bragg grating formation in As2S3 chalcogenide ridge waveguides. Optics Communications, 2004, vol. 230, 4, p.301–307.

2. Teteris J. Amorphous As–S–Se semiconductor resists for holography and lithography. Journal of Non-Crystalline Solids, 2002, 299, 2, p.978–982.

3. Teteris J. Amorphous As–S–Se semiconductor resists for holography and lithography. Journal of Non-Crystalline Solids, 2002, 299, 2, p.978–982.

4. Bulanov A. et al. Investigations of As-S-Se thin films for use as inorganic photoresist for digital image-matrix holography. Central European Journal of Physics, 2011, 9, 5, p.1327-1333.

5. Teteris J. Immersion holography based on amorphous chalcogenide films. In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2009, 20, 1, p.149-152.

6. Andriesh A., Iovu M. Optical phenomena in chalcogenide glasses and their application in optoelectronics. Non-crystalline materials for optoelectronics, Series: Optoelectronic Materials and Devices, 2004, 1, p.155-210.

7. Rling C. et al. Imaging ellipsometry mapping of photo-induced refractive index in As2S3 films.

Journal of Non-Crystalline Solids, 2013, 365, p. 93-98.

8. Kryskov T.A. et al. Photoinducted refractive index and thickness changes in As2S3 thin film.

Abstracts of VII International Conference “Electronics and Applied Physics”, Ukraine, Kyiv, 2011, p. 120-121.

9. Rling C. et al. Imaging ellipsometry mapping of photo-induced refractive index in As2S3 films.

Journal of Non-Crystalline Solids, 2011, 365, p. 93-98.

10. Kovalskiy A. et al. Comparative study of electron- and photo-induced structural transformations on the surface of As35S65 amorphous thin films. Thin Solid Films, 2008, 516, 21, p. 7511-7518.

11. Mikla V., et ai., Structural transformations in amorphous AsxSe1x films. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2009, 20, 11, p 1095-1105.

12. Wang R. P. et al. Annealing induced phase transformations in amorphous As2S3 films. Journal of Applied Physics, 2006, 100, 6, p. 063524-063528.

13. Trunov M. et al. Photoinduced mass-transport based holographic recording of surface relief gratings in amorphous selenium films. Applied Physics Letters, 2011, 99, 5, p. 051906-3.

14. Credelle T., Spong F. Thermoplastic media for holographic recording. RCA Review, 1972, 38, p. 206-226.

15. Brevet de invenie. 1694 G2, MD. Procedeu de nregistrare a informaiei pe purttor fototermoplastic. Igor Jurminschi, Nadejda Nasedchina (MD). Cererea depus 30.06.2000, BOPI nr 6/2001.

16. Colomiets B., Lyubin V. Photometric phenomena in amorphous chalcogenide semiconductors.

Phys. Status Solids, 1973, 17,1, p.11 – 46.

17. Giulia M. D. et al. Optical properties of GSS thin films, Applied Physics, 1987, 62, 10, p.

4231- 18. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Москва: Мир, 1982, 658 с.

19. Prilepov V., Popescu M., Chirita A. et al. Technology of chalcogenide glassy semiconductor layers fabrication, Chalcogenide Letters, 2013, 10, 7, p. 249 – 20. Prilepov V., Gasin P., Chirita A. et al. Influence of fine- grained vanadium-based layers on the photo response multiplicity in structures with amorphous As2Se3 films. Technical Physics, 2010, 55,5, p.747- 21. Несеребреные фототермопластические носители. под ред. Картужанского Л. Ленинград:

Химия, 1984. 374 с.

22. Brevet de invenie. 4022, MD. Dispozitiv pentru nregistrarea hologramelor i interferogramelor pe purttor fototermoplastic. Oleg Corac, Arcadi Chiria, Iurie Jidcov (MD). 2008.07.07, BOPI nr. 02/2010.

23. Chirita A., Kukhtarev N., Kukhtareva T., et. al. Holographic imaging and interferometry with non-Bragg diffraction orders on volume and surface-relief gratings in lithium niobate and photothermoplastic media. Journal of Modern Optics, 2012, 59,16, p.1428- 24. Kukhtarev N., Kukhtareva T., Chirita A. Holographic imaging and interferometry with nonBragg diffraction orders in lithium niobate and photo-thermoplastic materials. Proc. of SPIE, 2012, v.8497, p. 8497061– 25. Chirita A., Dimov F., Pradhan S, et al. Real-time nano-seconds pulse holograms recording on photo-thermoplastic media. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 2012, 7,5, p.415– 26. Физика тонких пленок. Под ред. Хасса Г и Р.Туна. Москва: Мир, 1967. 392 с.

27. Collier R. J. Optical Holography. New York: Academic Press, 1971, 686 p.

28. Chirita A., Galstean T., Caraman M., et al. Photo-thermo-plastic media based on chalcogenide glassy semiconductors for real-time holography. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Rapid Com., 2013, 7(3-4), p.293 – 29. Schaffert R., Electrophotography, New York: Fogal Press, 1965, 448 p.

30. Шутов С. Д., Иову М. А., Иову М. С. Дрейфовая подвижность дырок в тонких плёнках стеклообразного As2S3. Физика и техника полупроводников, 1979, 13,5, с. 956-960.

31. Андриеш А. и др. Стеклообразный сульфид мышьяка и его сплавы. Кишинев, Штиинца, 1981, 211 с.

32. Равич Ю., Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение. Москва:Наука, 33. Chirita A. Real-time scaling of micro-objects by multiplexed holographic recording on photothermoplastic structure, Journal of Modern Optics, 2010, 57,10, p.854 – 34. Chirita A., Kukhtarev N., Kukhtareva T., et al. Recording holograms of micro-scale objects in real time, Laser Physics. 2013, 23, p.036002- 35. Chirita A., Kukhtarev N., Kukhtareva T., et al. Remote sensing and characterization of oil on water using coherent fringe projection and holographic in-line interferometry. Optical Engineering, 2013, 52, 3, p.035601- 36. Kukhtarev N., Chirita A., Kukhtareva T. Holographically amplified interferometry with coherent fringe projection for the oil on the water remote sensing and characterization, Proc. of SPIE, 2013, v.8847, p. 88471J1-

АННОТАЦИЯ

Фамилия, имя автора: Кирица Аркади Название диссертации: Фотоэлектрические и оптические процессы в структурах халькогенидный полупроводник - диэлектрик для голографической регистрации оптической информации Соискание ученой степени: доктора физических наук, специальность 134.01 - Физика и технология материалов Место защиты: г. Кишинев, Республика Молдова.

Год представления диссертации: 2014.

Структура диссертации: Работа написана на русском языке. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, общих выводов и рекомендаций. Работа содержит страниц основного текста, 57 рисунков, 1 таблицу и 157 литературных ссылок. Основные результаты опубликованы в 20 научных работах и 6 патентах.

Ключевые слова: аморфные полупроводники, халькогенидные стекла, регистрация оптической информации, голография реального времени, голографическая микроскопия Область исследования: физика и технология халькогенидных стеклообразных полупроводников, регистрация оптической информации, интерференционная оптика и голография Цель и задачи работы: Разработка технологии получения тонкопленочных структур на основе полупроводников системы As-Se-S; исследование электрофизических и оптических параметров полученных структур; разработка технологии получения фототермопластических носителей на основе твердых растворов As-Se-S и исследование их электрофизических и голографических характеристик; применение фототермопластических носителей в голографической микроскопии.

Научная новизна и оригинальность результатов: Установлено, что дифракционная эффективность голографических решеток, зарегистрированных на фототермопластические носители на основе тонкопленочных структур халькогенидных полупроводников на основе As-Se-S, зависит от дифракции записывающих лазерных пучков на движущейся в процессе переноса масс поверхности жидкого термопластика. Показан эффект фотопросветления структуры халькогенидный полупроводник – термопластический полимер, который зависит от оптических свойств тонких пленок Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3, коэффициентов преломления и толщины остаточного слоя термопластика на границе раздела халькогенидный полупроводник – термопластик. Были разработаны фототермопластические носители на основе твердых растворов халькогенидных полупроводников системы As2S3 As2Se3 с разрешающей способностью до 4000 mm-1. Установлена зависимость между составом халькогенидного полупроводника и системы As-Se-S и максимальной голографической чувствительностью при регистрации импульсных голограмм в наносекундном диапазоне световых импульсов. Показана возможность применения фототермопластических носителей на основе халькогенидных полупроводников системы AsSe-S в голографической микроскопии реального времени.

Практическая значимость работы: Был установлен состав твердого раствора системы As2S3 - As2Se3 в соотношении 72at.%As2S3:2at.%As2Se3 для фототермопластических носителей с максимальной голографической чувствительностью 6·106 cm2/J для длины волны =532 nm в стационарном режиме записи. Были разработаны фототермопластические носители на основе твердого раствора Xat.%As2S3:(100-X)at.%As2Se3 при X=62 для регистрации голограмм в импульсном режиме с продолжительностью импульса 5 ns. Был предложен новый метод регистрации голограмм в растрированном волновом фронте, позволяющий определять размеры пропускающих и отражающих свет микрообъектов.

Внедрение научных результатов: Научные результаты были внедрены в компанию Physical Optics Corporation (USA) в 2010 году.

ADNOTARE

Numele, prenumele autorului: Chiria Arcadi Titlul tezei: Procese fotoelectrice i optice n structuri semiconductor calcogenic - dielectric pentru nregistrarea holografic a informaiei optice Gradul tiinific solicitat: doctor n tiinte fizice la specialitatea 134.01 - Fizica i tehnologia materialelor Localitatea: or. Chiinu, Republica Moldova.

Anul prezentrii tezei: Structura tezei: Teza este scris n limba rus i const din ntroducere, patru capitole, concluzii generale i recomandri, bibliografie ce cuprinde 157 de titluri, o anex. Lucrarea conine 129 de pagini de text de baz. Rezultatele principale sunt publicate n 20 lucrri tiinifice.

Cuvintele cheie: semiconductor amorf, sticle calcogenice, nregistrarea informaiei optice, holografie n timp real, microscopie holografic Domeniul de cercetare: fizica i tehnologia semiconductorilor calcogenici sticloi, nregistrarea, stocarea i reproducerea informaiei optice pe purttori fototermoplastici, optica interferenial i holografia Scopul i obiectivele tezei: elaborarea tehnologiei de obinere a structurilor pe baza peliculelor subiri din semiconductori As-Se-S, cercetarea proprietilor electrofizice i optice a structurilor obinute; elaborarea tehnologiei de obinere a purttorilor fototermoplastici pe baza soluiilor solide As-Se-S i cercetarea caracteristicilor electrofizice i holografice; utilizarea purttorilor fototermoplastici n microscopia holografic.

Noutatea i originalitatea tiinific: S-a stabilit c puterea difracional a reelelor holografice nregistrate pe purttori fototermoplastici cu straturi subiri din semiconductori calcogenici pe baz de As-Se-S depinde de difracia fasciculelor laser incidente la valurile masei de termoplastic lichiud. A fost demonstrat efectul de supratransparena a structurii semiconductor calcogenic – polimer termoplastic, care depinde de caracteristicile optice a stratului subire din semiconductor X%at.As2S3:(100-X)%at.As2Se3, de indicile de refracie i grosimea remanent a termoplasticului de la frontiera semiconductor calcogenic - termoplast. Au fost elaborai purttori fototermoplastici pe baz de semiconductori calcogenici din soluii solide As2S3 - As2Se3 cu putere de rezoluie spaial pn la 4000 mm-1.A fost stabilit legtura dintre compoziia semiconductorului calcogenic din sistemul As-Se-S i valoarea maximal a sensibilitii holografice la nregistrarea hologramelor cu impulsuri de lumin cu durat de nanosecunde.

Valoarea aplicativ a tezei: A fost stabilit compoziia soluiei solide din sistemul As2S3 As2Se3 n proporia 72%at.As2S3:28%at.As2Se3 din componena purttorului fototermoplastic cu sensibilitatea holografic maximal n regim staionar de inregistrare de 6·106 cm2/J la lungimea de und =532 nm. Au fost elaborai purttori fototermoplastici pentru nregistrarea hologramelor n regim de impuls cu durat de 5ns pe baz de soluie solid X%at.As2S3:(100-X)%at.As2Se3 cu compoziie X=62. A fost propus o nou metod de nregistrare a hologramelor n regimul de rastru al undelor i de determinare a dimensiunilor microobiectelor n reflexie i transmisie.

Implementarea rezultatelor tiinifice: Rezultatele tiinifice obinute au fost implementate n compania Physical Optics Corporation (USA) n anul 2010.

SUMMARY

Author name, surname: Chiria Arcadi Thesis title: Photoelectric and optical processes of chalcogenide semiconductor – dielectric structures for holographic recording of optical information Scientific degree required: Doctor in Physics, field 134.01 – Physics and Tehnology of Materials Locality: Chisinau, Republic of Moldova Year of thesis submission: Thesis structure: Thesis is written in Russian language and consists of introduction, four chapters, general conclusions and recommendations, a list of references which includes 157 titles, an amendment. The work consists of 129 of basic text. The obtained results are published in scientific papers.

Key words: amorphous semiconductor, chalcogenide glasses, optical information recording, real time holography, holographic microscopy.

Field of the investigation: Physics and technology of chalcogenide semiconductors, recording, saving and reproducing of the optical information on the photothermoplastic carriers, interference optics and holography.

Thesis aim and objectives: elaboration of technology of structures fabrication based on As-SeS semiconductor thin layers, studies of electro-physical and optical properties of the obtained structures; elaboration of fabrication technology of photothermoplastic carriers based on As-Se-S solid solutions and investigation of their electro-physical and holographic dependencies; using of the photothermoplastic carriers in holographic microscopy.

Novelty anf scientific genuinity: It was established that the diffractional efficiency of the diffraction grating recorded on photothermoplastic carriers with the glassy semiconductor layers based on As-Se-S depends on the laser beams diffraction on the mooving in prosses of mass transport liquid thermoplastic surface. It was shown the effect of photoenlightenment of structure calcogenide semiconductor - thermoplastic polymer, which depends on optical properties of thin films Xat % As2S3: (100-X) at.% As2Se3, refractive index and a thickness of a residual stratum of thermoplastic on the demarcation line of calcogenide semiconductor – thermoplastic.

Photothermoplastic carriers based on glassy chalcogenide As2S3 - As2Se3 solid solutions with a spatial resolution up to 4000 mm-1 were elaborated. The relation between chalcogenide glassy semiconductor of As-Se-S system composition and the maximum holographic sensitivity was established at the holograms recording by using the light pulses of nanosecond duration. The posssibility of using of photothermolastic carriers with glassy semiconductor based on As-Se-S in real time holographic microscopy was shown.

Applied value of the thesis: It was established the composition of As2S3 - As2Se3 solid solutions in consistents 72%at.As2S3:28%at.As2Se3 in the componence of photothermoplastic carrier with the maximum holographic sensitivity in a stationary recording regime of 6·106 cm2/J at the wavelength of =532 nm. Photothermoplastic carriers for the holograms recording in the pulse regime with the pulse duration of 5 ns were elaborated based on the solid state solutions Xat.% As2S3:(100-X)at.%As2Se3 with the composition of X=62. A new method of holograms recording in a wave raster regime and of microobjects dimension determination at reflection and transmission was elaborated.

Scientific results implementation: The scientific results were implemented at Physical Optics Corporation Company (USA) in 2010.

Внедрение научных результатов

КИРИЦА АРКАДИ

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

В СТРУКТУРАХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫЙ

ПОЛУПРОВОДНИК - ДИЭЛЕКТРИК ДЛЯ

ГОЛОГРАФИЧЕСКОЙ РЕГИСТРАЦИИ ОПТИЧЕСКОЙ

ИНФОРМАЦИИ

134.01 - ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ Автореферат диссертации на соискание учёной степени Подп. в печ.: 26 февраля 2014 г.

Отпечатано в Государственном Университете Молдовы, ул. А.Матеевич 60, г. Кишинёв,

UNIVERSITATEA DE STAT DIN MOLDOVA

CHIRIA ARCADI

PROCESE FOTOELECTRICE I OPTICE N STRUCTURI

SEMICONDUCTOR CALCOGENIC - DIELECTRIC PENTRU

NREGISTRAREA HOLOGRAFIC A INFORMAIEI OPTICE

134.01 - FIZICA I TEHNOLOGIA MATERIALELOR Autoreferatul tezei de doctor n tiine fizice

Похожие работы:

«Содержание Нормативное правовое, организационно-методическое и 1. информационное обеспечение воспитательной работы в вузе. 4 Материально-техническая база вуза, обеспечивающая проведение 2. воспитательной, культурно-массовой, спортивно-оздоровительной и социальной работы со студентами. 14 Содержание, цели, задачи, основные направления и формы 3. воспитательной работы в вузе. 17 Духовно-нравственное воспитание студенческой молодежи 4. вуза.. 23 Гражданско-патриотическое воспитание студентов вуза....»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ВЫСШАЯ ШКОЛА ЭКОНОМИКИ ОТДЕЛЕНИЕ КУЛЬУТРОЛОГИИ УТВЕРЖДЕНО на заседании Ученого совета факультета философии председатель Ученого совета д.ф.н., проф. А.М. Руткевич 4 июня 2013 г. протокол № 8 ОТЧЕТ по результатам самообследования основной профессиональной образовательной программы высшего профессионального образования 033000. 62 Культурология...»

«О социальной защите инвалидов в Республике Казахстан (с изменениями и дополнениями по состоянию на 06.01.2011 г.) Глава 1. Общие положения (статьи 1 - 3) Глава 2. Государственное регулирование социальной защиты инвалидов (статьи 4 - 12) Глава 3. Права и социальная защита инвалидов (статьи 13 - 32) Глава 4. Участие работодателя в социальной защите инвалидов (статьи 33 - 35) Глава 5. Общественные объединения инвалидов (статья 36) Глава 6. Контроль за соблюдением настоящего закона (статьи 37 - 38)...»

«СОДЕРЖАНИЕ Стр. ПРЕДИСЛОВИЕ xx Назначение руководства xx Целевая аудитория xx Структура руководства xx Дополнительная литература xxiii Новое в данном руководстве xxiii Техническая поддержка и поддержка потребителей xxiii Семейство процессоров xxiv Информация о продуктах xxiv Информация о цифровых сигнальных процессорах xxiv Сопутствующие документы xxiv Интерактивные технические публикации и публикации в сети xxv Печатные версии руководств xxv Используемые обозначения xxvi Обозначения,...»

«A/AC.105/C.1/L.292/Rev.4 Организация Объединенных Наций Генеральная Ассамблея Distr.: Limited 18 February 2009 Russian Original: English Комитет по использованию космического пространства в мирных целях Научно-технический подкомитет Сорок шестая сессия Вена, 9-20 февраля 2009 года Пункт 10 повестки дня Использование ядерных источников энергии в космическом пространстве Рамки обеспечения безопасного использования ядерных источников энергии в космическом пространстве Предисловие Разработка и...»

«Владимир Петров Система обобщенных моделей1 Телль-Авив, Израиль vladpetr@netvision.net.il © Vladimir Petrov 1975-2008 Аннотация В работе описывается система обобщенных моделей, которая может быть использована для анализа существующих, синтеза и прогнозирования новых систем и решения стандартных изобретательских задач. Система моделей включает стандарты на решение изобретательских задач, законы развития систем и приемы разрешения противоречий. Ключевые слова: Модель, стандарты, приемы, анализ...»

«Достижения и перспективы развития ксенона в медицине Буров Н.Е., Молчанов И.В., Николаев Л.Л., Потапов В.Н. Кафедра анестезиологии и реаниматологии ГОУ ДПО РМАПО (ректор - академик РАМН. Мошетова Л.К), ООО Акела-Н Введение Исполнилось 111 лет с момента открытия инертных газов, заполнивших V111 группу таблицы Менделеева. Это было открытие мирового значения, определившим развитие научно-технического процесса всего ХХ века. Инертные газы проникли во все ведущие области науки и техники и лишь в...»

«Дисководы Руководство пользователя © Copyright 2008 Hewlett-Packard Уведомление о продукте Development Company, L.P. В этом руководстве пользователя Windows — зарегистрированный в США описываются функции, которые являются товарный знак Microsoft Corporation. общими для большинства моделей. Некоторые функции могут быть Информация, содержащаяся в недоступны на данном компьютере. настоящем документе, может быть изменена без предварительного уведомления. Все виды гарантий на продукты и услуги...»

«Л. Р. АКСЮТИН ГРУЗОВОЙ ПЛАН СУДНА Одесса ЛАТСТАР 1999 ББК 39.471 А 40 УДК 656.61.052 (075.8) В учебном пособии доктора технических наук, профессора ОГМА Л.Р.Аксютина рассмотрены современные методы составления и способы расчета грузового плана судна, а также особенности загрузки судов основными видами грузов. Для курсантов, студентов и аспирантов морских высших учебных заведений. Настоящее издание может быть использовано при курсовом и дипломном проектировании. Представляется полезным для...»

«1 Доклад министра социальной защиты населения Рязанской области В.Н.Глонти Основные направления деятельности министерства социальной защиты населения Рязанской области в 2011 году и задачи на 2012 год Основным итогом проведенной в 2011 году работы следует считать исполнение возложенных на отрасль задач, обязательств перед гражданами, нуждающимися в помощи и заботе государства. В целом выполнены все запланированные мероприятия, а также решения, принятые на прошлогоднем заседании итоговой...»

«ОРГАНИЗАЦИЯ A ОБЪЕДИНЕННЫХ НАЦИЙ Distr. ГЕНЕРАЛЬНАЯ АССАМБЛЕЯ GENERAL A/HRC/10/46 25 January 2009 RUSSIAN Original: ENGLISH СОВЕТ ПО ПРАВАМ ЧЕЛОВЕКА Десятая сессия Пункт 2 повестки дня ЕЖЕГОДНЫЙ ДОКЛАД ВЕРХОВНОГО КОМИССАРА ОРГАНИЗАЦИИ ОБЪЕДИНЕННЫХ НАЦИЙ ПО ПРАВАМ ЧЕЛОВЕКА И ДОКЛАДЫ УПРАВЛЕНИЯ ВЕРХОВНОГО КОМИССАРА ОРГАНИЗАЦИИ ОБЪЕДИНЕННЫХ НАЦИЙ ПО ПРАВАМ ЧЕЛОВЕКА И ГЕНЕРАЛЬНОГО СЕКРЕТАРЯ Доклад Генерального секретаря по вопросу об осуществлении во всех странах экономических, социальных и...»

«Федеральное Собрание Российской Федерации Совет Федерации Парламентские слушания ЭКОНОМИЧЕСКАЯ ИНТЕГРАЦИЯ В РАМКАХ СОДРУЖЕСТВА НЕЗАВИСИМЫХ ГОСУДАРСТВ: ПРОБЛЕМЫ, ПЕРСПЕКТИВЫ, ПРАВОВОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ 14 марта 2008 года ИЗДАНИЕ СОВЕТА ФЕДЕРАЦИИ В Совете Федерации Федерального Собрания Российской Федерации 14 марта 2008 года состоялись парламентские слушания Экономическая интеграция в рам ках Содружества Независимых Государств: проблемы, перспективы, правовое обеспечение. В ходе слушаний обсуждены...»

«ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО СВЯЗИ ФЕД ЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВ АТЕЛЬНОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВ АНИЯ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ им. проф. М. А. БОНЧ-БРУЕВИЧА М ЕЖ ДУНА РО Д НАЯ Н АУЧНО- ТЕХНИЧЕСКАЯ И Н АУ ЧНО- МЕТОДИЧЕСК АЯ КОНФЕРЕНЦИЯ АКТУАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ИНФОТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ В НАУКЕ И ОБРАЗОВАНИИ № 20–24 февраля 2012 года ПРИГЛАСИТЕЛЬНЫЙ БИЛЕТ И ПРОГРАММА СПб ГУТ)))

«Стр 1 из 203 7 апреля 2013 г. Форма 4 заполняется на каждую образовательную программу Сведения об обеспеченности образовательного процесса учебной литературой по блоку общепрофессиональных и специальных дисциплин Иркутский государственный технический университет 140611 Электроизоляционная, кабельная и конденсаторная техника Наименование дисциплин, входящих в Количество заявленную образовательную программу обучающихся, Автор, название, место издания, издательство, год издания учебной литературы,...»

«ФГБОУ ВПО Липецкий государственный технический университет (ЛГТУ) СИСТЕМА МЕНЕДЖМЕНТА КАЧЕСТВА Стандарт организации Обозначение: СТО-13-2011 Студенческие работы. Общие требования к оформлению. Введен впервые Стр. 1 из 32 УТВЕРЖДАЮ Ректор университета _ А.К. Погодаев (подпись) _ 2011 г. СТО-13- СТАНДАРТ ОРГАНИЗАЦИИ СТУДЕНЧЕСКИЕ РАБОТЫ. ОБЩИЕ ТРЕБОВАНИЯ К ОФОРМЛЕНИЮ Дата введения 2011 – 10 – (год, месяц, число) РОССИЯ г. Липецк, Липецкая область 2011 г. ФГБОУ ВПО Липецкий государственный...»

«1 Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com) ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ЭКОНОМИЧЕСКОГО ВОЗРОЖДЕНИЯ САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АРХИТЕКТУРНОСТРОИТЕЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ВОЛГОГРАДСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ А. Н. АСАУЛ, Б. М. КАПАРОВ, В. Б. ПЕРЕВЯЗКИН, М. К. СТАРОВОЙТОВ МОДЕРНИЗАЦИЯ ЭКОНОМИКИ НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ИННОВАЦИЙ & Лауреат конкурса на лучшую научную книгу 2008 года в номинации Экономика, проводимого Фондом развития...»

«PocketBook Pro 903 Руководство пользователя Содержание МЕРЫ ПРЕДОСТОРОЖНОСТИ ВНЕШНИЙ ВИД Вид спереди 8 Вид сзади 10 ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИСТУПАЯ К РАБОТЕ Зарядка аккумулятора 12 Включение устройства 13 Режимы работы устройства 13 Загрузка файлов в память Устройства 14 Навигация 14 Использование стилуса 15 Использование экранной клавиатуры 16 Установка USIM карты для использования 3G-связи ГЛАВНОЕ МЕНЮ Главная панель Виджеты Строка состояния Список задач СССССССССС ЧТЕНИЕ КНИГ Библиотека...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПЕРВОЕ ВЫСШЕЕ ТЕХНИЧЕСКОЕ УЧЕБНОЕ ЗАВЕДЕНИЕ РОССИИ федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования НАЦИОНАЛЬНЫЙ МИНЕРАЛЬНО-СЫРЬЕВОЙ УНИВЕРСИТЕТ ГОРНЫЙ (Горный университет) У Т В Е Р Ж Д АЮ Ректор Горного университета, профессор _ В.С. ЛИТВИНЕНКО 14 апреля 2014 г. ОТЧЕТ О САМООБСЛЕДОВАНИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального...»

«МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РФ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тверской государственный университет УТВЕРЖДАЮ Декан факультета географии и геоэкологии Е.Р. Хохлова 2011 г. Учебно-методический комплекс по дисциплине ТЕХНИКО-ЭКОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОИЗВОДСТВА, 2 курс 020800.62 Экология и природопользование очная форма обучения Обсуждено на заседании кафедры Составитель: туризма и природопользования д.г.н., проф. 2011 г. _...»

«ГОСТ 7.1-84 (Взамен ГОСТ 7.1—76). ГОСТ 7.1-84: Библиографическое описание документа. Общие требования и правила составления (с дополнениями и изменениями) Дата введения 01.01.86 Настоящий стандарт устанавливает общие требования к библиографическому описанию документа и правила его составления: набор элементов библиографического описания, последовательность их расположения, наполнение и способ представления каждого элемента, применение условных разделительных знаков. Стандарт распространяется на...»






 
© 2014 www.kniga.seluk.ru - «Бесплатная электронная библиотека - Книги, пособия, учебники, издания, публикации»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.